今天在群里看到道友发来一张NPN三极管控制PMOS的电路图，提问是为什么整体功耗偏大？那么您有没有发现为什么整体功耗偏大呢？电路图如下。
先阐述一下电路工作原理：EN控制三极管导通或者关断，当EN输出高电平时，三极管导通，PMOS管的栅极拉低到地，从而PMOS的Vgs达到开启条件，PMOS导通，VBUS向VCC供电；当EN输出低电平时，三极管截止，PMOS关断，从而VCC断电。
确实，上图的电路也能“正常工作”，那么功耗为什么这么大？您是不是已经发现了呢？
答案是：三极管的基极电阻R3选的10Ω，实在是太小了！！！！
假设EN输出高电平为3.3V，按Vbe=0.7V算（实际上Vbe比这个要大）；那么Ib=（3.3V- 0.7V）/10Ω ≈ 0.26A！！（单片机的IO输出能力一般在20mA内，这个R3实在是太小了，单片机竟然没坏？？！）那么这个R3上的功率PR3≈0.26*0.26*10=0.676W
0603电阻封装功率一般按0.1W算，其实这个R3电阻已经超额了！！
所以这就是电路功耗大的原因！！三极管的Ib占了主要的功耗来源。甚至可能会损毁单片机！
那么这个电路怎么改善呢？群友给了两个改善方法：
群友A：10Ω太小了（上面已分析），增大R3阻值为100k。然后提问的群友又回复了，R3换为100K后三极管不能导通了（究其原因是因为R3和R4一分压，3.3V的控制信号被分压到了0.3V，所以三极管不能导通了），所以解决方案应该是增加R3阻值，增加到10K~100K，同时增大R4阻值（例如让R4比R3大十倍，让R3和R4分压后可以使三极管饱和导通）；这样三极管就能正常导通了，而且功耗也不会很大啦。
群友B：直接把Q2从三极管更换为NMOS管，因为三极管是流控器件，MOS管是压控器件，换成MOS管可以平替三极管，解决三极管Ib的电流。
那么大概修改后的电路就大致更改为
那么您更倾向于哪种改法呢？哈哈，要是我的话，那肯定是哪个便宜用那个啦，我选第一种改法，毕竟NMOS要比三极管要贵一些，要勤俭持家帮老板省钱是不是，哈哈。