随着芯片工艺的不断发展，芯片已经逐渐由平面结构过渡向三维结构。据本人所知，目前存在的三种CMOS制造工艺大体分为三种：
-
Planner FET（平面结构）
-
FinFet（鱼鳍结构）
-
GAAFET（全环绕结构）
在一开始，几乎所有芯片均采用平面结构的CMOS，如下图所示：
Planner FET（平面结构）
但是在实际应用中 平面结构 的FET存在一定的静态电流，这会导致芯片有些许的静态功耗，后面我的台湾同胞为了减少芯片的静态功耗，发明了鱼鳍结构的Fin FET如下图所示：
FinFet（鱼鳍结构）
在上图中，绿色的部分为控制极栅极，当灰色的沟道和绿色的控制极接触面积更大时，就会使得MOS管关断后的静态电流更小，这就是FinFet拥有更小的静态功耗的原因，当然这样做的缺点就是实现难度很大，尤其在纳米级别的制造中，这是很难的。近几年，韩国的三星公司在此基础上更进一步，发明了全环绕结构的MOS结构，如下图所示：
GAAFET（全环绕结构）
通过上图可以看到，灰色的沟道被控制极栅极全面包裹，这就使得其具有更小的静态电流，更小的静态功耗使得相同体积与功耗小，芯片能够容纳更多的晶体管，芯片的功能会更强。
综上所述，我们可以看到随着芯片制造工艺的逐渐发展，已经进化出三种以上不同的芯片制造工艺，随着工艺的发展，可以达到更好的性能，但是工艺的复杂度也逐步攀升，三种工艺的发展如下图所示：
planner->FinFet->GAAFET
在这篇短文中我介绍了，芯片制造过程中的三种主要的工艺，有可能随着时间的发展已经诞生出了更多更好的工艺，如果您觉得本片短文还可以的话欢迎点赞分享收藏。