在开始之前，我们先理清楚“晶体”和“晶振”这两个概念的区别！为什么要提着一嘴呢？
因为我发现身边的工程师基本上都把“晶体”叫成“晶振”了，估计是工作环境的影响，慢慢的潜移默化了，大家都习惯了，包括本文的题目其实应该叫“晶体电路”的，但为了大伙能适应自己的习惯，就索性不改过来了，心里有个概念就行！
根据概念区分如下：（来自网络，这段可以不用细看）
晶体（Crystal）通常简称为XTAL，是无源晶体（Passive Crystal），需要依赖外部电路来产生时钟信号。它有两个引脚，一般直插两个脚的无极性元件，没有方向性，可以正向或反向焊接。晶体本身无法振荡，需要外部电路提供激励信号才能产生振荡。
晶振（Crystal Oscillator）通常简称为XO，是有源晶振（Active Crystal Oscillator），只需通电即可振荡并输出时钟信号，因为其内部已经集成了振荡电路。它至少有三个引脚，包括电源、地和时钟输出，有时还会有一个压控脚。晶振有方向性，焊反则信号无法传至芯片。有源晶振内部集成了激励电路，可以直接连接到电路中，产生所需的振荡信号。
所以，我们常见的“晶振电路”其实都是“晶体电路”（如下图1和2所示）
为了能适应各位的阅读习惯，本文暂时还是以“晶振电路”这个名称展开！
图1
图2
疑问：那图1和图2中的两个电容是怎么来的？我们首先要看的是晶振的手册
先看11.0592MZH的
图3
再看8MZH的
图4
再图3和图4中重点关注两个参数：
（1）负载电容CL
（2）静态电容Co
在解释这两个参数有何用时，我们需要了解一下晶振的等效模型，如下图5所示：
图5
其中：
Inverter：芯片内部的反向放大器
Crystal：无源晶体
C1,C2：正是我们要计算的匹配电容
Rf：反馈电阻
那我们需要计算的就是C1和C2的值。
根据负载电容的计算公式：
一般在实际使用中C1都会等于C2。C1=C2
Cs为晶振的引脚寄生电容，一般无法抵消，只能减少，不同厂家的晶振这个值也有所不同，一般取2pF~5pF。
故：CL=(C1²/2C1)+Cs C1=2(CL-Cs) ---公式1
我们按照公式1计算一下如下图1的电容。由晶振手册可知CL=12pF，Cs≈Co 手册中写着最大是7pF，我们一般取2pF~5pF，其中芯片端引脚，还有PCB走线的寄生电容，由于比例很少我们可以忽略不计，当然，如果想精确计算，也可以加进去，但加进去的意义不大，无论怎样，算出来的值都只能是作为参考，使用时还得看实际电路的具体表现来适当的调节匹配电容的大小。
C1=C2=2*(12pF-2pF)=20pF 取Cs=2pF 考虑到PCB走线和芯片引脚的寄生电容，故选择常规值22pF。
那8MHZ的晶振也是按照公式1计算，可以得出:
C1=C2=2*(10pF-2pF)=16pF
再查看STM32的手册也可以知道手册推荐的匹配电容的范围是
5pF~25pF，
最后说一下晶振电路PCB怎么布局和走线。
（1）晶振电路尽量靠近芯片放置，减少PCB走线带来的寄生电容，也防止其他信号干扰。如下图所示：
（2）晶振走线要走类差分线，而且尽量不要换层打孔。如下图所示：
（3）晶振电路要做包地处理，如下图所示：
其余的一些细节，如：
晶振底部不能走其他信号线
匹配电容回流地尽量短
晶振电路走线不要靠近其他信号线
至于Rf反馈电阻的作用是什么？大小为什么是1M,欢迎知道的小伙伴们评论区留言！
好了，今天就先写到这吧！