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功率器件热设计基础(八)——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
5天前
功率器件热设计基础(七)——热等效模型
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器
2星期前
功率器件热设计基础(六)——瞬态热测量
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
3星期前
功率器件热设计基础(五)——功率半导体热容
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
3星期前
功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
11-19 09:13
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功率器件热设计基础
功率器件热设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
11-10 09:33
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功率器件热设计基础
功率器件热设计基础(二)——热阻的串联和并联
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
11-08 13:26
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功率器件热设计基础
功率器件热设计基础(一)——功率半导体的热阻
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
11-07 13:41
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功率器件热设计基础
PCIM2024论文摘要|主驱逆变器应用中不同 Zth 模型对分立 IGBT Tvj 计算的影响
*本论文摘要由PCIM官方授权发布/ 摘要/在 xEV 应用的主驱逆变器中,关于 IGBT 分立器件热阻网络建模和虚拟结温计算的研究和论文相对较少。本文基于最新的可回流焊接分立式 IGBT 产品(TO
09-27 09:33
磁悬浮轴承——电力电子在高速旋转机械领域的应用
作者简介本文是生活中的电、电源与电力电子科普征文大赛的二等奖作品,原标题《磁悬浮轴承——电力电子在高速旋转机械领域的应用》,作者:蒋栋,孙宏博,杨佶昌,刘自程,帅逸轩,来自华中科技大学,强电磁工程与新
09-23 13:10
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