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功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
3天前
功率器件热设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
2星期前
功率器件的热设计基础(二)——热阻的串联和并联
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
2星期前
功率器件热设计基础(一)——功率半导体的热阻
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计
2星期前
PCIM2024论文摘要|主驱逆变器应用中不同 Zth 模型对分立 IGBT Tvj 计算的影响
*本论文摘要由PCIM官方授权发布/ 摘要/在 xEV 应用的主驱逆变器中,关于 IGBT 分立器件热阻网络建模和虚拟结温计算的研究和论文相对较少。本文基于最新的可回流焊接分立式 IGBT 产品(TO
09-27 09:33
磁悬浮轴承——电力电子在高速旋转机械领域的应用
作者简介本文是生活中的电、电源与电力电子科普征文大赛的二等奖作品,原标题《磁悬浮轴承——电力电子在高速旋转机械领域的应用》,作者:蒋栋,孙宏博,杨佶昌,刘自程,帅逸轩,来自华中科技大学,强电磁工程与新
09-23 13:10
系统寄生参数对SiC器件开关的影响分析
*本论文摘要由PCIM官方授权发布/ 摘要/本文分析了系统寄生参数对SiC(碳化硅)器件使用的影响。本文还研究了SiC MOS开关开通时的过流机理,以及开通电流振荡的原因。除了寄生电感对功率器件电压应
09-22 08:16
PCIM2024论文摘要|新型400V SiC MOSFET用于高效三电平工业电机驱动
/ 摘要 /400V SiC MOSFET技术商用化弥补了长期存在的200V中压MOSFET与600V超级结MOSFET之间产品和技术空缺。400 V SiC MOSFET技术开关损耗低、导通电阻小,
09-20 13:10
PCIM2024论文摘要|离网场景下SiC MOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势
*本论文摘要由PCIM官方授权发布/ 摘要/工商业侧储能正以其经济性,电网友好性等特点蓬勃发展,其中离网应用场景下,不平衡负载带载能力,谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。三相四桥臂(3P4L)变流器
09-20 09:18
一款适用于光伏应用的半桥评估板设计
光伏,作为重点发展的新质生产力,其市场规模仍在迅速发展扩大中,其技术迭代也在不断演进升级。英飞凌作为半导体技术和市场应用的领军企业,发布了一系列具有差异化附加价值的创新半导体,并同时推出了一款适用于光
09-18 10:13
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