• CoolGaN™是最佳选择。为什么？
  • 如何释放CoolGaN™的所有潜力？
  • 我们准备好了。你呢？

增强模式（常关）概念

· 

英飞凌通过大批量的端到端生产将电子模式概念推向一个成熟的水平

· 

在所有可用的GaN HEMT中提供最高性能

了解更多

GaN在所有领域解决方案的好处

· 

更小巧与轻便的设计

· 

GaN EiceDRIVER容易使用与设计

· 

最高效率与功率密度水平

了解更多

相信市场上最可靠的GaN解决方案

· 

根据具有非常保守的失效模型的综合资格进行资格认证

· 

预计长于15年的寿命

了解更多
了解更多CoolGaN™

CoolGaN™电子模式HEMT产品组合

· 可提供顶部和底部冷却SMD封装

· 根据应用需求启动合适的散热性能

下载数据表并在线购买

CoolGaN™ + GaN EiceDRIVER

· 双电平负栅极电压特别适用于第一个脉冲

· GaN导通瞬态与占空比或开关速度无

了解更多

评估板

2500瓦特全桥图腾柱功率PFC

更多 应用说明书

高频率半桥平台

更多

CoolGaN在服务器的电源应用

·节省成本（物料清单，运营支出，资本支出）

·每个机架更多电量

下载白皮书

CoolGaN在适配器和充电器的电源应用

·功率密度上的突破，适用于小巧轻便，高效率的解决方案

下载白皮书

CoolGaN在D类音频上的应用

·最大化音频性能，实现出色的音质

·实际上可被忽略的热设计限制

下载白皮书

CoolGaN 在电信的电源应用

·节省成本（物料清单，运营支出，资本支出）

·每个机架更多电量

下载白皮书

CoolGaN在无线充电上的应用

·低Qg和C可在更高功率水平下实现高效率

·E类设计中的最佳调查，尤其适用于>30W的解决方案

下载白皮书
CoolGaN™在其他方面的应用 了解更多CoolGaN™
产品 Package name Technology VDS max RDS (on) max QG IDpuls max ID @25°C max
IGO60R070D1 PG-DSO-20 CoolGaN™ 600 V 70 mΩ 5.8 nC 60A 31A
IGOT60R070D1 PG-DSO-20 CoolGaN™ 600 V 70 mΩ 5.8 nC 60A 31A
IGT60R070D1 PG-HSOF-8 CoolGaN™ 600 V 70 mΩ 5.8 nC 60A 31A
IGT60R190D1S PG-HSOF-8 CoolGaN™ 600 V 190 mΩ 3.2 nC 23A 12.5A
IGLD60R070D1 PG-DSO-20 CoolGaN™ 600 V 70 mΩ 5.8 nC 60A 15A
评估板 级别 描述

EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

查看详情 		CoolGaN™, EiceDRIVER™ GaN半桥开发板

EVAL_2500W_PFC_GAN_A

查看详情

MOSFET高/低侧开关

Gate Driver栅极驱动器

CoolSET™"

采用CoolGaN™ 600V 电子模式

HEMTs 2.5kw全桥PFC开发板

活动规则

1. 活动时间2019.02.25-2019.04.25；

2. 登录电源网账号即可参与活动；

3. 活动流程：根据每周给出的题目，查阅活动区PDF，回答正确即可获得一次抽奖机会，共8周最多可获得8次抽奖机会；

4. 每人最多8次抽奖机会，不可小号参与活动，一经发现取消参与活动资格；

5. 活动最终解释权归电源网所有，有关于活动的任何问题可联系电源网-静静QQ1471950357。

你了解CoolGaN™的这些知识吗

根据每周给出的题目，查阅活动区PDF，每周回答正确即可获得一次抽奖机会

距下次更换题目还剩： 01天 02小时 03分 04秒

  • 第一周
  • 第二周
  • 第三周
  • 第四周
  • 第五周
  • 第六周
  • 第七周
  • 第八周

Gallium Nitride CoolGaN™ e-mode HEMTs

Q1 CoolGaN™ 设计的好处有几个？ 正确答案：4个

温馨提示：请认真填写核对后再提交。

提交表单后，表示您已同意将个人信息提供给活动合作方。我们可能会发送新闻、资讯或活动宣传给您。

CoolMOS™ 7 MOSFETs - CoolSiC™ diodes - Gallium Nitride CoolGaN™ HEMTs - Infineon’s technology trifecta for power designs of today and tomorrow

Gallium nitride - Gate driver ICs - GaN EiceDRIVER™ for GaN HEMTs

Gallium Nitride 600V e-mode-CoolGaN™

Solution Brief Gallium Nitride CoolGaN™ HEMTs and GaN EiceDRIVER™

Q1 英飞凌为您的应用提供了解决方案，其中SiC的关键特性不包含哪一点？ 正确答案：Mainstream technology

Q2 用GaN EiceDRIVER™系列的关键性能中最小脉冲输出宽度是多少？ 正确答案：18 ns

Q3 CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT主要优点不包括哪一项？ 正确答案：英飞凌设定了更高的宽带隙质量水平

Q4 产品1EDF5673F的UVLO是多少？ 正确答案：4.5 V / 5.0 V

温馨提示：请认真填写核对后再提交。

提交表单后，表示您已同意将个人信息提供给活动合作方。我们可能会发送新闻、资讯或活动宣传给您。

Data Sheet IGLD60R070D1

Data Sheet IGO60R070D1

Data Sheet IGOT60R070D1

Data Sheet IGT60R070D1

Data Sheet IGT60R190D1S

Q1 IGLD60R070D1最大额定参数功耗的注意/测试条件是什么？ 正确答案：TC = 25 °C

Q2 IGO60R070D1的产品封装是什么？ 正确答案：PG-DSO-20-85

Q3 关于IGOT60R070D1一共分几部分进行了介绍？ 正确答案：8部分

Q4 IGT60R070D1脉冲电流，漏源最大值是多少？ 正确答案：60

Q5 IGT60R190D1S的脉冲电流是多少？ 正确答案：23A

温馨提示：请认真填写核对后再提交。

提交表单后，表示您已同意将个人信息提供给活动合作方。我们可能会发送新闻、资讯或活动宣传给您。

Evaluation Board Gallium Nitride CoolGaN™ - EVAL_2500W_PFC_GaN_A

Gallium Nitride - CoolGaN™ 600V e-mode HEMTs

Gallium Nitride - CoolGaN™ 600V e-mode HEMTs - driving CoolGaN™ high electron mobility transistors with EiceDRIVER™ 1EDI Compact

Package - Gallium Nitride - MOSFET - Thermal performance of surface mount semiconductor packages

Q1 在5.3.1页中C7的电压是多少？ 正确答案：300 V

Q2 下面不属于本应用说明适用范围的是？ 正确答案：Highest power density

Q3 CoolGaN™ 600V e栅极二极管正向电压是多少？ 正确答案：3.5 V

Q4 Measuremet set-up设置分几部分？ 正确答案：TIM,DUT,QUICK,RELEASE

温馨提示：请认真填写核对后再提交。

提交表单后，表示您已同意将个人信息提供给活动合作方。我们可能会发送新闻、资讯或活动宣传给您。

1 Gallium nitride - Why Infineon CoolGaN™

2 Gallium nitride - Reliability and qualification of CoolGaN™

3 Gallium nitride technology in server and telecom applications

4 Gallium nitride technology in adapter and charger applications

5 Gallium nitride - Benefits of GaN e-mode HEMTs in wirless power transfer

Q1 CoolGaN™ 600 V 器件系列产品已通过认证，预计寿命超过多少 年？故障率低于多少？ 正确答案：15年,1FIT

Q2 英飞凌测试平台允许在电压高达多少V 的加速总线（相比较于 420V 的典型使用条件）和高于额定器件电流的情况下进行测试？ 正确答案：700V

Q3 GaN 具有什么功能？可使用更简单的控制方案。 正确答案：硬开关

Q4 GaN 可为 65W USB-PD 适配器提供迄今无法实现的超过多少的小外形尺寸？ 正确答案：20W/in³

Q5 硅和 GaN 之间功率损耗的降低幅度在百分之几左右？ 正确答案：30％

温馨提示：请认真填写核对后再提交。

提交表单后，表示您已同意将个人信息提供给活动合作方。我们可能会发送新闻、资讯或活动宣传给您。

Market News Eltek launches Flatpack2 SHE module with CoolGaN™ technology

Market News Gallium Nitride CoolGaN™ 600V e-mode HEMTs and GaN EiceDRIVER™ gate driver IC

Market News PCIM 2018: Infineon’s CoolGaN™ opens up for a new horizon in power management

Q1 中央办公室网站在英国,250千瓦负荷-年度储蓄是多少？ 正确答案：£18350

Q2 2018年英飞凌电子科技展AG 展示了其氮化镓(GaN)的优点是什么？ 正确答案：更高的功率密度，使更小更轻的设计，更低的整体系统成本和运营费用以及资本支出的减少

Q3 在PCIM 2018贸易展上，英飞凌展示了其领先的技术高效系统在哪些方面的应用？工业，消费和汽车应用 正确答案：industrial, consumer and automotive applications

温馨提示：请认真填写核对后再提交。

提交表单后，表示您已同意将个人信息提供给活动合作方。我们可能会发送新闻、资讯或活动宣传给您。

Gallium nitride - CoolGaN™ - A new era in power electronics with Gallium Nitride - ETG Journal

Gallium nitride - CoolGaN™ enters the mass market - elektroniknet.de

Gallium nitride - CoolGaN™ startet in den Massenmarkt - Design&Elektronik

Gallium nitride - Cover story - Breaking boundaries with Infineon’s new GaN solution - Power Systems Design 11/ 2018

Gallium nitride - Effizienter ohne Kabel – GaN verbessert Class-D-Topologie - E&E

Gallium nitride - GaN HEMTs in class E power amplifiers: charging the wireless way - Elektronik

Gallium nitride - MOSFET - Silicon Carbide - Perspective of loss mechanisms for silicon and wide band-gap power devices

Gallium nitride - The promise of GaN in light of future requirements for power electronics

Q1 本次文章中介绍了几个英飞凌高层人物？ 正确答案：4个

Q2 此文章的发布时间是什么？ 正确答案：06.09.2018

Q3 第二页的时间分布图中Llfetime虚线模型用几种颜色介绍？ 正确答案：3个

Q4 全桥图腾柱PFC拓扑图在文章的第几页？ 正确答案：5页

Q5 Power transmitting unit (PTU)图中被标注的是以下哪个？ 正确答案：Power amplifier

Q6 本文介绍的是哪一种方式？ 正确答案：无线充电

Q7 随着技术的不断改进和制造成本的下降，超结晶体管成为多少高压电源器件的首选？ 正确答案：500 ~ 800伏

Q8 为移动应用程序提供了迄今为止无法实现外形因素超出多少年³20 W / W USB-PD适配器？ 正确答案：65年

温馨提示：请认真填写核对后再提交。

提交表单后，表示您已同意将个人信息提供给活动合作方。我们可能会发送新闻、资讯或活动宣传给您。

IGO60R070D1

IGOT60R070D1

IGT60R070D1

IGT60R190D1S

Q1 本产品鉴定报告描述了该产品在哪些方面的特点？ 正确答案：质量和可靠性

Q2 Intermittent Operational Life TestMIL-STD 750 / Meth.1037的持续时间？ 正确答案：15,000x

Q3 Dynamic Gate Current Bias的条件？ 正确答案：Ta = 150 °C f = 100 kHz

Q4 ESD (HBM) JESD22-A114的Abbr.是什么？ 正确答案：HBM

温馨提示：请认真填写核对后再提交。

提交表单后，表示您已同意将个人信息提供给活动合作方。我们可能会发送新闻、资讯或活动宣传给您。

更多精彩内容
  • 明星评估板
    • /
  • 相关视频
    • /
  • 热门应用

  • 40W准谐振反激电源免费试用

    作为一名工程师，怎能不折腾，怎么不捣鼓，作为一名社区运维人员，怎能不想着为工程师提供好产品，40W准谐振反激电源 免费试用速来申请

    有奖试用
  • Electronica 2018 英飞凌正式发布600V氮化镓产品
    邓巍 博士,英飞凌高电压氮化镓高级产品经理,深入讲解英飞凌CoolGaN™ 系列氮化镓产品
    Get the know-how of driving gallium nitride CoolGaN邃｢ e-mode HEMTs from an expert!
  • 英飞凌的CoolGaN™系列为种类繁多的应用系统带来了重要的价值。 这些电子模式的HEMT设备为消费者与工业应用而设计，例如服务器，数据通信，电信，适配器/充电器，无线充电和音频，巩固了市场上最稳健，高性能的概念。

    服务器开关电源

    在图腾柱PFC中结合LLC DC-DC阶段使用CoolGaN™能够实现 >98.5%系统效率（适用于48V 输出电压系统），让美国的数据中心每年节省总数20亿kWh的电流 (每年节省大约 3亿 美金@ 0.15 USD/kWh)。使用GaN的SMPS解决方案通过将功率密度从今天典型的~30..40 W / in3硅基础解决方案推至> 80W / in3，从而为每个机架提供更高的计算能力。

    下载白皮书

    电信开关电源

    节省运营支出（OPEX）和资本支出（CAPEX），整体电源足迹和最高稳健性的解决方案已经，并将继续成为电信基础设施发展的重点。英飞凌的CoolGaN™解决方案通过在整个操作范围内提供基准效率，在遵循英飞凌严格的认证制度的同时最大化功率密度， 从而应对这些挑战。

    下载白皮书

    适配器和充电器

    英飞凌的CoolGaN™是适配器和充电器系统功率密度方面的突破，启用~20W/in3 功率密度系统（最大输出功率为65W）。此效能是由通过在半桥拓扑中应用CoolGaN™，同时增加开关频率和效率而被实践。

    下载白皮书

    无线通电

    启用CoolGaN™可在E类放大器中实现最佳调谐，尤其是30W以上，并且在6.78MHz无线充电中效果优于硅

    较小并线性的输出电容即使在较低的Vds下也不会大幅增加，使得ZVS在较宽的负载电阻范围内成为可能

    与等效硅MOSFET相比，QG非常低

    5V栅极驱动，栅极驱动损耗非常低

    坚固的器件 - 自钳位栅极代替肖特基栅极结构

    质量和可靠性：例如没有动态RDS(on)

    容量和稳定供应

    下载白皮书

    D类音频放大器

    由于英飞凌CoolGaN™的独特特性，其技术可以接近D类音频放大器的理论上理想性能，完美的匹配以下应用: 体二极管的零反向恢复电荷（Qrr），线性输入和输出电容，以及极快的开关速度（最低Qgd和Rg）而达到了理想的开关波行。这理想的开关波形是最大化音频性能和有效降低D类音频放大器功率损耗必须具有的条件。

    CoolGaN™400V电子模式HEMT即将开发。

    下载白皮书

剩余抽奖机会：0次