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—功率开关器件

德州仪器集成式三相GaN IPM特点大揭秘 24-07-02 11:30
安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模块, 助力可再生能源应用简化设计并降低成本 24-06-12 16:02
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器 24-05-22 16:29
Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器 24-05-22 14:46
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗 24-02-29 14:29
安森美推出第七代IGBT智能功率模块, 助力降低供暖和制冷能耗 24-02-27 15:14
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化 23-12-26 15:07
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器 23-12-13 15:01
英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容 23-08-03 16:55
意法半导体量产PowerGaN器件,让电源产品更小巧、更清凉、更节能 23-08-03 16:52
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备 23-05-18 11:59
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET),管脚尺寸缩小60% 23-03-22 13:41
英飞凌推出采用第二代MERUS™多电平开关技术的全新2 x 37 W音频放大器系列 22-11-25 17:47
飞宏新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用Transphorm的氮化镓技术 22-08-02 13:09
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发 22-06-27 13:29
意法半导体和MACOM成功开发射频硅基氮化镓原型芯片,取得技术与性能阶段突破 22-05-19 10:54
瑞萨电子投资甲府工厂,300mm功率半导体产线恢复 22-05-17 18:03
安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET 22-05-11 13:55
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管,比等效硅器件小20倍且成本更低 22-04-08 14:41
Power Integrations推出集成750V氮化镓开关的高效准谐振PFC IC 22-03-22 14:00
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