大师应该不是在说我吧，我可没说过你的技术不靠谱。请问你所说的五代技术是不是指零电流关断，零电压开通？我可是很尊重技术的，我不会觉得自己的技术好了，别人的就差。你申请的专利我下载看了，分析了，仿真了，我也在贴中说了想法很好。我始终认为一山总比一山高，人如果自我封闭了，自负了自然不会进步。我再说DSP的问题，首先我们不关心它内部多复杂，它肯定比intel的cpu简单多了，280200卖7块人民币，能有多复杂。其次，它解决了什么问题，大家都知道器件参数一致性问题，也就是说器件是有容差的，这个会导致电源的一致性问题，比如输出限流点，传统的办法是把余量做足，比如说限流点是额定的120%，但是多出20%是要付出成本的，或者你用高精度的器件，但那也是成本。而且现在高端的电源，客户要求电源能上报电压电流温度故障信息等数据，精度要求还比较高，但是这些数据采样都会受器件参数影响。假如用DSP，我们就可以在生产的过程中增加测试环节，把所有参数校准一遍，这个跟仪器的校准是一个道理，这个是几乎不增加成本的。所以并不是说用dsp的人就不懂得用模拟电路。当然dsp并不适合所有电源，这就好像宝马用倍耐力的轮胎，五菱荣光也用倍耐力好吗？最后强调，我认为你的技术很好，但是不是最好，我不知道。然后，我认为中国人做电源水平参差不齐，毕竟这个行业这么大，但不是说中国电源技术都差，现在艾默生易达powerone台达都被中国电源公司打压的不行，都在搞合并重组，难道只是因为中国电源便宜，而且会抄。就算抄，抄得好也是要有水平的。未来电源技术，主要在工艺上突破，国内公司虽然起步晚，但是也在搞。

大师不要太悲观，觉得国内的电源技术就是抄。哪天你买个华为98的电源测下就知道，你所说的5代技术早就产品化了，解决的问题不止你说的那么多。而且DSP控制发挥了很多的作用，模拟和数字电源都做得好的人才知道DSP到底好在哪里。能想象50人的研发团队卖出10亿美金的产品吗？其中DSP贡献很大。对大公司来说，DSP的成本已经不是问题。

对于运营商来说，只关心电费，管你发电过剩，我一次投资，一年收回成本，剩下9年都是赚的。现在电源还可以这么买，你出低效的钱，把没年省下的电费和我提成。小公司当然是自己赚钱就行，大公司讲的是成就客户，不然人家怎么选你做战略伙伴。再说现在发电过剩了吗？夏天还经常错峰用电呢。水电煤电都破坏环境，人家发达国家还收碳排放税。华为用的是几代技术？这个三代、五代也是你说的，业界可没有人这么说。华为更不会附和你吧。我说过，华为的也是零电流关断，零电压开通，用的是普通coolmos，所有半导体器件可以在淘宝上买到，信息量够大了吧，总不能告诉你是谁做的吧。

1、碳化硅不如MUR那才是笑话，你要是做50K频率用碳化硅也是一个笑话。你用不用GaN和SiC是你的事，人家Cree一年那么多的晶圆出货量摆在那，我只是想说半导体进步推动电源技术进步。SiC是笑话，那大家都一起看笑话吧。2、你的效率97%是什么条件测试的，我可是看到了，PF值什么都不管。华为的电源要是用400V的直流输入那效率都99%了，400Vdc输入也是工况之一，但人家宣传的是230Vac输入的效率，PF值>98,THD

半导体的未来是氮化镓，当然以后还会有更好的材料，半导体器件的进步远大于电源技术的进步，应该说，半导体的进步推动了电源技术发展。目前氮化镓的电源成本可以做到和硅持平，但是新东西推广有困难，连英飞凌都抗拒，因为会影响自家的业务，但是英飞凌已经收购了IR并购买了松下的氮化镓技术，很快就会推出产品。氮化镓和SiC除了开关特性好，还有耐压高的优势，现在1200V以上的SiCMOSFET商用，以前大家用3电平的也开始改用2电平了。今天大吹特吹的谐振技术实际上在上世纪70年代都有，不信的可以去找资料。原因是，70年代的开关管开关损耗很大，甚至只能零电流关断。半导体进步后才有了硬开关变换器，接着大家追求高功率密度，提高了开关频率，所以又有了软开关，后面氮化镓商用了估计又要回到硬开关技术，现在氮化镓做软开关频率做到30Mhz的都有，但是磁性器件又成为另一个瓶颈。再来说你喜欢贬低的华为电源，好不好就看客户买不买，难道客户都是傻子吗？五代技术，就算不计较成本能达到98%的效率？

看了大师专利，明白你的意思了，并联一个电感并且利用谐振电容钳位得到一个环流来实现MOSFETzvs。不错！我估计你一直在解决的是控制问题。第5代功率电路一样的吗？

mos管上并电容是会减小关断损耗，但是影响很小，0.01%量级的。励磁电感电流导致效率低的原因不是关断损耗，而是管子上的电流有效值带来的损耗，除非开关管的裕量实在太大了或者开关频率很高才会影响关断损耗。上面的LC谐振只能工作在0电流吧？貌似无法0电压，或者你的目的只是解决轻载问题，重载都在谐振点附近了。这个拓扑更适合用IGBT。华为的电源虽然有pfc，但是输出电压是43-58V可调的。如果稳定的母线没有意义，所以……

当然coolmos的P6，cp，c7的开关速度是比c6，c3要快不少。前者是针对硬开关设计，不适合用在LLC。实际测试，llc并不适合用很快速度的开关管。这就是为什么大家喜欢用irf460之类，就是你说的coolmos容易炸，实际在今天coolmos成本和效率都很有优势。

我所说的coolmos就是47n60这一类的，coolmos特性都差不多，没有快慢之分，有带快恢复体二极管的（二极管恢复时间200nS以下，是普通的1/3-1/2）。你所说的速度很快的mos估计是用在无线功放上的，也有人拿来做电源，不过是特殊用途的电源。vicor和HW的1Mhz都是带同步整流的，不然是没法98%的。人家用的是数字控制，控制电路器件很少（100个以内）。

有一点你说对了，做这个模块工艺很重要。不过vicor和HW的模块上面一个特殊器件都没有，都是普通的coolmos。现在开始火起来的GaNmos几个公司都没用，因为大公司对供货风险比小公司更顾虑。还有你前面提到的LLC反着用，市场上有很多产品，用的是IGBT，比MOS还便宜。松下90年代的产品还有用NPN三极管做的LLC适配器，效率照样接近90%，成本就更低了。说白了就是工作在所谓的3区，即原边ZCS区。