补充一句:并联时不是最好用正温度系数的,是一定要用.不然后续问题多得不可想象.可能你在那儿波形分析了半天,盯着故障和奇异现象,却不知道自己在一开始就走了弯路,选了温度特性不适合的device.

是的.只要是采用了infineon第二代和第三代芯片的IGBTmodule/discrete,都是电压正温度悉数,可以放心地考虑并联方案.我提到过,目前市面上有多家企业在应用英飞凌的芯片.关于温度特性的原因和影响,除了看看我推荐的文章,还可以在IR网站上查查,有篇AN谈到了IGBT温度特性及其影响.罗嗦第二遍了,温度特性非常重要.是个器件它总要发热的,热了结温就要升高,结温升高器件内部的电流电压就要变化(散热大家做得差不太多,这时候就看温度特性的了);特别是在高频工作下,infineon的芯片可以实现拖尾电流仅小幅增加,这样不单是高温功耗增加不大,更重要的是避免了热电反馈.很多时候,模块还没工作到正常水平就烧了,有这种分流不均的可能.去年坊间流传有几个品牌就在这儿出了问题.最近,有人反映一种IGBTmodule烧了的情形:驱动电阻没选合适.这倒是大家讨论了很多遍了,有料可找.建议大家问原厂或分销商的FAE要相关参数.EUPEC给的挺详细的.反正,IGBT这个东西,不像SCR大家用了很多年,该出的问题都出了,该解决的也解决了.但是,它将来一定是主流.不管我们需要花多少功夫来琢磨它也是值得的.(很多企业现在高薪招有经验的IGBT设计人员,就是希望少走弯路)钱景无限啊.言多了.不对的地方大家讨论喽.

该回复可删除.属误导.

suzgreat说得841用的人多,比较成熟,坛子里好交流.你说的这种容量,一单元IGBT可选谏早(ISAHAYA)M57959al也可选EUPEC2ED020I12-F低成本分案安捷伦HCPL-316J(可达150A)

也没有怎么滴.就是从研发角度,看到不少误选误用器件的,所以想在技术论坛里多和大家交流交流.大家辛苦搞出来的方案不能被器件毁了啊.强烈建议搞研发的和元件供应商的FAE多多沟通(他们也很欢迎,他们也愿意收集来自客户的反馈),少走弯路.特别是少炸管子哦.

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无意与前面的大牛们争论,只是希望能告诉兄弟你:IGBT的标称确实与温度相关.作为一种复合器件,IGBT既具有类MOS特性,又具有类晶体管的输出特性.直观上,IGBT的常温和高温输出曲线族中的零温度系数点很重要.象采用INFINEON芯片的,都是电压正温度悉数,就是说高温电流要小于常温电流,所以它要以高温来标称,估计大意是想告诉客户:常温下的电流更高了,放心使吧.好像APT的一个AN中有一个关于温度特性的讨论,有兴趣就看看吧.反正要并联时要选好,问清FAE他们的产品的温度特性.

以前大家用841比较多.现在国内能做驱动的太多了.网上自己搜吧.不过,如果你象“雪山无痕”说得那样,就没趣了.瑞士CONCEPT也有驱动,价格适中.西门子(INFINEON)针对高压大功率(如1700V以上)IGBT开发了一些驱动,性能很好,估计需要有实力、想保持竞争优势的厂家才舍得大批量使用.

承蒙“雪山无痕”抬举.只是来这儿和大家交流交流、学习学习.IGBT毫无疑问在很多个领域完全取代了GTA、SCR,除了少数小功率超高频率仍需功率MOSFET外,它绝对是电力电子行业大多数应用的首选.也许,各位搞应用的大侠们在定方案时应该首先考虑IGBT,特别是使用INFINEON芯片的IGBT(全球每3片/块IGBT就有一片/块采用的是INFINEON的芯片).这种芯片确实牛.通态特性、频率特性和温度特性同时达到很好的折中.对于象我一样入行不久的,如果想深入了解目前商品化了的IGBT,推荐:引人注目的新型IGBT:NPT-IGBT  周文定  “电焊机”2000No.4P.36-39下载了看看就知道目前面对林林总总的IGBT该选哪个了.特别提醒大家,温度特性非常关键.好多次就发生了IGBT并联后爆了.一定要选好哦.

在现代电力电子技术中,为了增大电流容量常常需要并联使用数支IGBT.显然,如果器件具有通态压降正温度系数,有利于电流密度自动均匀分布,可以安全可靠地实现并联.然而,对于通态压降负温度系数(即电流正温度系数)的IGBT,随温度上升可能出现分流不均的现象,将电流集中到一支或某几支管子上,导致单管电流或者小于预期值或者远大于额定值.后一种情况甚至会引发热电反馈,造成器件失效乃至烧毁爆炸,严重威胁设备的安全性和稳定性.