讲的对！MOSFET是导通电阻IGBT是导通电压两者功耗就看应用的电流大小了。开关速度也不一样，MOSFET的快IGBT关断时有拖尾！

 通常门级都有一个下拉电阻，不仅不能没有它，而且必须具有足够低的阻值。原因是高输入电压情况下输入功率突增时，FET的漏极电压突然上升，因此漏极到门极电容两端会产生一个电压脉冲，电压脉冲产生电流，并对门极充电并因此产生电势，使FET误导通！一般阻值为4.7-10k！

1、增大电容 谐振频率降低2、降低线盘电感谐振频率提高3、降低高度缺点是低功率时IGBT非零电压开通，IGBT发热增加

刚好,我也看到这个图片,是苏州创惠电子的.我见到一超声电路图,就是需要多个接头,因为换能器发热,会使电路匹配失调,通过不断调整变压器次级以及电感量,使电路重新匹配!