gyusan1978:
功率MOSFET的基本特性2.3.1静态特性MOSFET的转移特性和输出特性如图2所示.漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导GfsMOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区).电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换.电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122736451.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">当Uds>Ugs-Ugs(th),工作在饱和区(恒流区),Uds