海旭：
在DS之间并电容好像对米勒电容没影响，我在实际中加这个电容对效率有提高。加这个电容好处正如你所说对关断时MOS的DV/DT减小，减小mos的误开通可能性。同时对整流管和EMC都有好处。但是这个电容应该是减小关断损耗，正因为关断时MOS的DV/DT减小，所以关断时电压电流叠加乘积小了，可以理解为关断时部分谐振电流是流经DS间并联电容，真正流经mos的电流小了，所以损耗也小。 在DS间并电容真正的缺点是在死区内可能需要更大的电流来把电容上的电荷抽走来实现软开关，在固定死区的LLC中很难在小载或者空载实现完全软开关，但现今数字控制，死区随负载或者说频率可调，这个不是问题。 另一个缺点就是在宽范围输入输出的电源中，高频采取PWM方式控制中，可能损耗大些。这个看你调脉宽范围，最小脉宽越小损耗越大。但是一般到调脉宽的时候输出电流小。损耗也没我们想象那么大，很多电源实际工作中也很很少工作在此状态，所以这个时候效率也没人在乎。 据我所知，华为模块最小占空比不会低于20%，虽然轻载有点硬开关，但是mos的开通电压还是非常低，不会高于50V，所以不会很热，同时也能满足低压轻载输出要求。 另外说句，我虽不是华为的，但是能做到通信行业老大，里面会养一些打酱油的闲人么。就目前来说，国内电源做的最好的还是华为，没有之一。