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BP3309 变压器设计表格破解

lingxueyou0

最新回复：2013-07-11 08:32

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BP3309 破解的变压器计算表格

lingxueyou0

最新回复：2013-02-17 17:13

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lingxueyou0：

lingxueyou1@163,com,兄弟帮我发一份谢谢！

2021-03-22 16:24 回复

原帖：功率半导体器件的原理与应用(英文版)

lingxueyou0：

按照BP3122的计算公式，在你需要的VO条件下，保证芯片的工作模式（BP3122是DCM模式）和芯片集成的MOS耐压就可以了，当然还有IC的温度。

2013-07-03 15:53 回复

原帖：如何降低MOS管的VDS电压？

lingxueyou0：

BP32xxseriesIC, 没有辅助绕组的IC  一般都是芯片内部高压管+低压管的驱动方式,也就是所谓的源极驱动.1:供电时利用下管Drain上面的漏感电压供电的.2:采样也是利用Drain上面的波形采样的,Drain的波形和辅助绕组是一样的.3:恒流控制原理一般是将Toff时间和T成一个固定比例,初级Ipk可调.  Io=(Toff/T)*n*Ipk/2.    N固定 调整初级的RCS电阻就能调整输出电流. 

2013-07-03 15:27 回复

原帖：讨论 BP31xx 双绕组隔离方案

lingxueyou0：

您好！能发一份到到我油箱吗，谢谢！lingxueyou1@163.com

2013-06-24 10:34 回复

原帖：模拟集成电路的分析与设计

lingxueyou0：

大胆猜测：VZCD4V只是在带载的情况下限制最大的输出电压，由于是空载，这个时候芯片是依照托底频率来工作的，频率已经是最低了，这个时候芯片没有办法再调整了，1/2LIpk*Ipk能量是一定的，这个时候估计加大假负载会把输出电压降下来，但是要牺牲效率。

2013-05-02 17:47 回复

原帖：OB3330的OVP问题

lingxueyou0：

上电抑制冲击电流的，应该在AC波形的过零点附近VGS的电压比较小，MOS管的RDSon比较大，把MOS管当电阻用，在过零以后MOS管全部导通不影响效率。主要就是在过零附近抑制冲击电流。