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导通时间和截止时间构成开关管的导通损耗和截止损耗。因为在此时间内，三极管处于放大区，其管压降必然增大，功耗随之增加。与此相同的原理，二极管也有导通／截止时间，不过，在开关电源中，影响最大的是二极管的反向恢复时间。当二极管导通后，外加脉冲降为零，二极管并不会立即截止，恢复到截止需一定时间（与上述相同的原因）。当工作频率升高时，正向脉冲过后二极管不能及时恢复，其单向导电性则使电路处于短路状态。二极管的恢复时间除取决于PN结、N电容以外，还与工艺结构有关，因此有普通工频整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管之分。　　普通工频整流二极管正向压降范围为1～2V，随耐压升高有不同程度的增大。目前其最高反压可作到5kV以上，最大整流电流达到kA以上。所谓工频，不单指频率，还指其波形是正弦波，其反向恢复时间比较慢，因此，此类二极管不适直用在方波逆变器中作整流和阻尼。在开关电源中，也只能用于交流电源整流。　　快恢复二极管，指反向恢复时间在50～200ns范围内，可用于100kHz。以下的开关脉冲的整流、箝位及开关管的阻尼电路等。快恢复二极管的参数与生产工艺有关，反向恢复时间最快的属外延法生产的二极管．一般手册中所列最高反压为其击穿电压的80%，选用时需注意留有适当的余量。　　肖特基二极管SBD为多数载流子单向导电器件，其开关时间极短，一般为50～100ns。其最大特点是：正向压降理论上为0.3～0.5V，额定电流不超出0.6～0.8V，比PN结二极管的最大正向压降1～1.2V低近一倍，因此作低压大电流脉冲整流十分有利。但肖特基二极管反向电压较低，大多为40V以下，只有极少数产品能达到100V。一股用于低压输出开关电源中和大电流低电压的脉冲整流电路中。

发射结的充电速度，不仅与输入驱动脉冲的内阻有关，而且与三极管的截止有关。如果三极管处于深度截止（即反向偏置过大），ta也越慢。当Ic达到10%的Icm时，在驱动脉冲的作用下，Ic随IB呈线性增长。　　其增长速度即从Ic由10%到90%曲线的斜率等于该管的hfe。　　前面已提到，此段曲线不可能是垂直线，因而形成上升时间tr。很明显，三极管的hfe越大，Tr越短。经过延迟时间与上升时间之后，三极管Ic=90%的Icm才认为其已经导通，开关闭合，因此导通时间为ta+tr。当驱动脉冲回落至零时，开关的关断同样需要一定的时间。　　当开关管饱和时，基区必然积累较多的电荷，集电结形成空穴积累，饱和过程中必然出现IB》IC/hFE，这是使三极管进入饱和区的可靠保证。但如果IB远大于IC/hFE，即处于过饱和状态（或称深度饱和状态），基区存储电荷越多，集电结空穴积累越严重，当驱动脉冲截止时，存储电荷的消散时间也越长，因而在驱动脉冲截止后，将Ic由90%降低为10%的时间称为存储时间ts。从三极管结构来说，基区和集电区越薄，存储电荷量就越小，tr也就越小。经过ts之后，三极管随存储时间基区正偏逐渐消失，Ic随之下降，形成下降时间tf。　　存储时间ta+tf，即构成开关管关断时间。导通时间与关断时间首先取决于三极管的结构和工艺，其次才是设计合理的开关驱动电路。