你可以尝试如下:  1.在输出端和输入端加47~100nF耐压50V瓷片电容  2.在输入端二极管后加100uH左右的电感  3.改布局

用掉电侦测来保存EEPROM是非常不科学的，不知道你测量过从掉电开始到MCU停止大概要多长时间，而EERPOM的写又需要多长时间，即便时间够我也是不推荐这种写法的如果一定要这样做可以如下:1.你可以在供电上加个外部电源检测电路比如分压，来检测外部是否断电，这个比MCU的低压中断来得早得多2.MCU供电用二极管与外部电源隔开，并加大电容，当外部掉电之后，确保MCU还有足够的电执行EEPROM操作3.每次EEPROM操作前都是需要先擦除，再写入