kuamax123：
尊敬的主办方：首先，很感谢有这样的活动可以诸多爱好者更多的去了解熟悉SiCMOSFET的发展以及在实际工业应用中的现状。本人刚博士毕业半年，现为高校教师，从事电力电子系统状态监测与故障诊断相关研究，前期主要针对SiMOSFET以及IGBT开展了大量相关的器件特性分析、可靠性评估、在线状态监测等研究，积累了丰富的相关理论和实际经验。SiCMOSFET目前已在电动汽车、光伏发电系统等领域得到大量关注，罗姆公司一直处于半导体行业的领先地位，本人现阶段主要在开展SiCMOSFET并网逆变器健康状态监测研究，重点是SiCMOSFET的特性分析与参数监测，这也是本人想申请该评估板的原因之一，也希望借此取得的相关研究或分析结果可以进一步促进新型半导体功率器件的发展。我的申请理由如下：（1）实验室具备相关的泰克示波器（带PWR模块可在线监测导通电阻）、电子负载等仪器，分析SiCMOSFET在特定工况下器件的开关特性与损耗，以及驱动电路的相关设计方案；（2）实验室具备高温箱等环境实验设备，分析高温环境下，SiCMOSFET相关参数的变化特性，如Vth,Rdson等。（3）基于实验室具备的FPGA+DSP开发板，试图开发一种可在线原位监测SiCMOSFET健康参数的测试平台，以便后续为光伏逆变器的PHM（故障预测与健康管理）奠定基础。我的试用规划如下：（1）测试SiCMOSFET评估版在室温条件下的开关特性，并与传统IGBT进行对比，通过改变工况条件，分析开关管导通与断开阶段，器件振铃效应、拖尾电流现象以及功率损耗；（2）将评估板相关测试点引出至高温箱外部（便于测试用），在不同温度工作环境下，测试评估板的相关特性参数以及SiCMOSFET特征参数Vth,Rdson的变化趋势，从而间接反映开关管的温度特性及损耗。（3）通过功率循环测试实验，加速SiCMOSFET退化，分析可表征该器件健康状态的特征参数，基于实验室已有开发平台，设计一种可在线监测该器件参数的测试电路/平台，为后续光伏发电系统PHM提供技术保障。 最后，感谢主办方、感谢电源网等支持该活动的有心人，希望有幸可以学习、研究罗姆SiCMOSFET评估板。