会不会是由于驱动电流不足，驱动大功率MOS管时（由于其栅极电容的存在），无法快速对其栅极电容充电，引起栅极电压上升缓慢，切换功耗大大增大，引起烧MOS管？

在一些低压的应用场合，例如当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。

跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们有的时候还需要速度。

有的，也有做其它普通的二极管，还有电源芯片，可以去芯派网站看看，

只要流过稳压二极管中的最大电流不要超过稳压二极管最大允许电流值就可以，不同型号稳压管的最大允许电流值是不同的，可以通过具体的型号手册查出来该参数。

要想让稳压二极管实现稳压输出，必须保证电流要达到额定稳压值，太小的话管子因无法导通而无法稳压，太大了则会因功率增大而烧毁管子。为了防止稳压二极管两端电压增大而造成内部电流的急剧增加，需要在电路中使用一只电阻与管子串联来分压，由于电阻的引入还可以很有效的减小管子内部的电流过大问题，因此起到了对管子的保护。

如果是保护电路免遭18V以上电压的冲击。那么也可以用一个18V的压敏电阻来代替18V的稳压管。

例如1N5226跟1N4728输入输出都是3.3V，但是1N5226属于精密稳压管，而1N4728属于普通稳压管.