NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决

Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

在给大家提供一个用于NMOS的驱动电路[图片]

给大家提供一个用于PMOS的驱动电路Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。[图片]

驱动电阻增加可以降低MOS管开关的时候得电压电流的变化率。比较慢的开关速度，对EMI有好处。

MOS管的G极之间，会串一个电阻，就如下图的R3，驱动电阻的作用，如果你的驱动走线很长，驱动电阻可以对走线电感和MOS管结电容引起的震荡起阻尼作用[图片]

这个图表确实很直观，一下就能看出双极性晶体管跟mos管的主要差异了。

假如驱动是个理想脉冲源，那么其驱动能力就是无穷大，想提供多大电流就给多大。但实际中，驱动是有内阻的，假设其内阻为10欧姆，在10V电压下，最多能提供的峰值电流就是1A，通常也认为其驱动能力为1A

很多地方都有用到，例如在电动车控制器、控制器、开关电源、风扇、整流器等等，而且MOS管型号也很多。

运算放大器电路，这个还是要一定的功底才能分析好。