工业级大功率的就没有人用IR什么驱动IC,都用东芝  安捷伦等驱动

FZ600R12KS4

工业电磁炉推荐IGBT单管:IKW25N120T2  100度37.5A/1200V,TO-247封装    3KWIKW40N120T2    100度56A/1200V,TO-247封装    5KW.....做更大功率可并联或用模块工业级IGBT,Vcesat=1.7V,开关损耗低,最高结温175度,infineonIGBT均为正温度系数饱和压降,加之全球唯一的离子注入芯片掺杂技术,使产品能做到很高的一致性,所以易于并联及大批量使用.IGBT模块:BSM100GB120DN2/FF100R12KS4BSM150GB120DN2/FF150R12KS4BSM200GB120DN2/FF200R12KS4FF300R12KS4FZ400R12KS4FZ600R12KS4                                    北京晶川公司-符先生                                                Fu.haijiang@IGBT.cn                                          010-67695050-826

工业电磁炉推荐IGBT:IKW25N120T2  37.5A/1200V,TO-247封装    3KWIKW40N120T2    56A/1200V,TO-247封装    5KW.....做更大功率可并联或用模块工业级IGBT,Vcesat=1.7V,开关损耗低,最高结温175度,infineonIGBT均为正温度系数饱和压降,加之全球唯一的离子注入芯片掺杂技术,使产品能做到很高的一致性,所以易于并联及大批量使用.                                    北京晶川公司-符先生                                            Fu.haijiang@IGBT.cn                                          010-67695050-826

推荐IGBT:IKW25N120T2  37.5A/1200V,TO-247封装    3KWIKW40N120T2    56A/1200V,TO-247封装    5KW.....做更大功率可并联或用模块工业级IGBT,Vcesat=1.7V,开关损耗低,最高结温175度,infineonIGBT均为正温度系数饱和压降,加之全球唯一的离子注入芯片掺杂技术,使产品能做到很高的一致性,所以易于并联及大批量使用.                                    北京晶川公司-符先生                                          010-67695050-826

建议用IGBT:IKW25N120T2  37.5A/1200VIKW40N120T2    56A/1200V.....硬开关用到50KHZ没问题,Vcesat=1.7V,开关损耗低,最高结温175度,infineonIGBT均为正温度系数饱和压降,加之全球唯一的离子注入芯片掺杂技术,使产品能做到很高的一致性,所以易于并联及大批量使用.

善于用新结构新封装,就不会缺货了

Infineon/EUPEC电流5A以上,耐压500V以上,且应用在100KHZ开关频率以下用IGBT合算.  可以考虑infineon(英飞凌),IGBT芯片产量第一,约占全球1/3.  EUPEC为infineon一个部门,只封装模块化中大功率产品.  infineon  IGBT从3A-400A/600V,8A-3600A/1200V,3600A/1700V,3300V,6500V全系列在产,有分立器件和模块化IGBT、快恢复二极管等功率半导体器件.            北京晶川公司-符先生                    010-67695050-826

调光器现在都用IGBT做了,可控硅花精力研究不值,,况且国家出台了对这个的政策要求,可控硅做的现在达不到要求了.