neverfindyou：
跟各位拜个早年!!! 版主大大的建议,跑了一些测试 发给各位大大看一下附上layout和gate波型图boost_layout_v1no_chartge100mA500mA1000mA2000mA3000mAp.s:降低R50的阻值(4mR降到3.9mR),结果一样,可能降太少,还须测试. 另外,我用之前的试作板测试了一下(R50阻值=>4mR),虽然正常负载, ˋ但是ti推荐使用的mosfet(BSZ100N06LS3G,大概4.5x4.5(mm)大小),负载3A以上温度快速上升,热到焊锡熔化,这种情况正常吗?若是正常情况,需要换一颗可以加散热片的mosfet吗?还是在背面(bottomlayer)画一个散热区?