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这边有做的，具体需要参数是？

用psim和simetrix都有仿真

个人认为高压输入，低压输出时，LLC如果参数设计合理可以实现原边的ZVS以及副边的ZCS，对于大电流是有利的，但峰值电流会比较大，需要电容组来处理纹波。移相全桥这一点就相对好处理一些。我想请教一下，采用移相全桥整体优势是什么，考虑器件数量，效率等因素

移相全桥不熟悉所以没有选，倍流整流也有考虑，但输出需要多个电感续流，担心线径与体积上会比较麻烦。

嗯嗯。理论半桥匝数比要小一倍，对于低压输出有利，但是计算下来半桥的励磁电流大了一倍，原边线径也需要更大的，可能导致效率降低，要根据需求定量分析（欢迎大佬们秀一波理论）。输出整流四路并联，辅助12V供电驱动（5V电压较低），否则MOS的损耗太大，型号也不好选，每路一颗可能还是比较困难，不行考虑用2颗，太多也放不下。

同步整流是副边绕组各一颗MOS，一共4颗，能否满足200A电流？

遥控小车+锂电池组+双向DCDC，有需要可以联系我。

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