IGBT比MOS管的压降要小很多？可以替代MOS管？以低压内阻1mR的mos管为例，电流100A时，mos管压降0.1V，IGBT压降2V电流10A时，MOS管压降0.01V，IGBT压降2V电流1A时，MOS管压降0.001V,IGBT压降2V到底哪个能打？到底哪个压降要低？IGBT总在耐压高的地方，mosfet总在低压的地方，2V/2mR=1000A所以在1000A以下，感觉低压还是mosfet的天下吧?