好的，我验证下

是的，用mosfet做测试，实验结果基本正常，最高效率95.7%，满载效率95.2%；但是谐振电流波形有一点尖峰，（这个应该是变压器的寄生电容引起的，之前尖峰更严重，改进过绕组结构后，好多了，如图为mosfet测试，半载时的谐振电流波形）[图片]附上GaN的驱动电路图，以供参考：[图片]

第一张图里100V输入时有轻微的重叠，再第二张图里200V输入时就完全实现了ZVS的，这两张图死区是80nS；之前测试过死区120nS的，结果一样，炸机

之前用mosfet做测试的时候，死区时间为120nS时，400V输入，1A负载电流时是可以实现ZVS的，换用GAN之后，实验现象同文首描述一样

GAN没有体二极管，但在死区时间内，由于GAN自身的二极管特性，是可以实现续流的；死区时间之前用的是120nS，后来改成80nS，两个死区时间都能实现ZVS，且现象一样，应该不是这个问题吧。

没有用负压，正电压6.1V，应该不是上下桥臂直通吧，总感觉谐振电流波形的变化很怪异。

谢谢您的意见，用的是GaNsystems公司的GS66502B管子，管子内部没有反并二极管，没有反向回复，但具有二极管特性。