【 中低压MOS管  替代AO系列】SL403    -30V-70A    5毫欧  TO-252封装  P沟道      优势替代AOD403SL484    30V41A    14毫欧  TO-252封装  N沟道     优势替代AOD484SL6601    30V    SOT23-6封装  N+P双管      优势替代AO6601  SL6602    30V    SOT23-6封装  N+P双管      优势替代AO6602

SL4459  -30V-6.5A  75毫欧 SOP-8封装     优势替代 AO4459SL4813  -30V-9A  28毫欧 双管SOP-8封装    优势替代AO4813SL4425  -40V-17A  10毫欧 SOP-8封装    优势替代AO4425SL4485  -40V-11A  16毫欧 SOP-8封装    优势替代AO4485SL4421  -60V-7A  40毫欧 SOP-8封装    优势替代 AO4421SL4441  -60V-5A  68毫欧 SOP-8封装    优势替代AO4441SL4803  -30V-6.5A  36毫欧双管 SOP-8封装    优势替代AO4803SL4612  60V5.1A  N+P沟道 SOP-8封装    优势替代AO4612SL4616  -30V-7.0A  N+P 沟道 SOP-8封装    优势替代AO4616SL4620  30V    N+P 沟道 SOP-8封装     优势替代AO4620

【 中低压MOS管  替代AO系列】SL403    -30V-70A    5毫欧  TO-252封装  P沟道      优势替代AOD403SL484    30V41A    14毫欧  TO-252封装  N沟道     优势替代AOD484SL6601    30V    SOT23-6封装  N+P双管      优势替代AO6601  SL6602    30V    SOT23-6封装  N+P双管      优势替代AO6602

【 中低压MOS管  替代AO系列】SL403    -30V-70A    5毫欧  TO-252封装  P沟道      优势替代AOD403SL484    30V41A    14毫欧  TO-252封装  N沟道     优势替代AOD484SL6601    30V    SOT23-6封装  N+P双管      优势替代AO6601  SL6602    30V    SOT23-6封装  N+P双管      优势替代AO6602

OC5806L是一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC，芯片内置150V/3A功率MOS，最高输入电压可超过120V。

【100VMOS管 N沟道】SL05N10  100V5A  SOT23-3L 封装    N沟道SL3N10  100V3A  SOT23-3L 封装    N沟道SL15N10  100V15A  TO-252 封装      N沟道SL2N10  100V2A  TO23-3L 封装    N沟道【60VMOS管 N/P沟道】SL50N06  60V50A  TO-252封装    N沟道sl444      60V12A    TO-252封装    N沟道SL4264    60V10A    SOP-8封装    N沟道SL4421    -60V-7A    SOP-8封装    P沟道【55VMOS管 N沟道】SL3422    55V2.1A    SOT23-3L封装    N沟道

代理中低压MOS管[图片][图片]

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