目前正在用IR的Class-D方案(基于IRS20955的大功率Class-D)设计本公司的Class-D产品(MOSFET用IRFB4020),碰到以下问题:带载(4Ohm负载)测试时,THD+NvsFrequency的性能在中大功率(>20W)很差,主要是在4K-7K的THD+N太大,做FFT分析,该方案的奇次谐波(3次、5次、7次)很大;但如果空载测试,则THD+N小很多,且做FFT分析时,奇次谐波也小很多.请帮忙分析下是什么原因,有什么好的解决方法.谢谢!

Vbs间的电压为8.3V左右.此外,又有一个新的问题请教:两个通道的半桥中点均有4.5V左右的直流电压,如何解决呢?希望可以早点得到你的答复.

经过几版的调试,始终觉得IRClass-D方案中靠自激振荡的方法生成PWM的方法不可靠.因为每一版的PCBLayout都进行的改进,但都会发生功放两个channel输出无PWM的现象,对此现象很困惑.不知各位在应用IR方案时有没有类似的困惑,最终是如何解决的,有没有方法可以保证功放始终有PWM输出呢?(当然,除了保护发生的情况)

还是老问题:class-d两个通道无PWM输出      正在根据IRAudioAMP4的参考设计调试自己设计的2*250W功放,调试中碰到下面问题,想了很久也不明白什么原因.    问题描述:两个通道均无PWM输出,测试了IRS20955的相关管脚波形,Vdd、CSD的波形均为为10.2V左右的(参考地)直流,Vcc为15V(参考-50V)的直流.Lo、Ho及Vs的波形参考附件.      我们对板上的所有原件进行了测试,没有发现原件故障,帮忙分析一下是什么原因造成的,该如何解决呢?      谢谢!9921224574966.doc

新的PCBlayout已参考您的建议.目前还是在原来的PCB上进行调试,希望可以发现更多的问题,调试过程中发现以下问题:1、设置过流保护时,应该参考MOSFET的ID@TC=25℃还是参考IDM进行过流保护门限设置,调试中发现如果根据ID@TC=25℃进行OCP门限设置,则调试中很容易发生OCP致使输出功率无法达到250W.2、当输出功率大于250W时,其中一个通道会出现直流,但当降低输出功率(250W附近但小于250W时)则不会出现直流现象.不知您是否碰到过类似的问题,希望可以得到您的帮助.

附件为Protel99SE格式的PCB文件9921217482660.rar

我现在正在用IR的Class-D方案(IRAUDAMP4)设计本公司的Class-D产品(2*150W和2*250W),调试中发现有以下问题:1)两个通道的参数设置相同,但两通道的PWM频率相差100多Khz2)用半桥结构时,Busbumping比较严重,因此会影响到低频输出功率;3)空载时,IRS20955的CSD脚一直处于充放电状态,系统无PWM输出;4)两个通道所用元件参数及型号完全相同,但有一个通道的THD+N在20W-80W之间很差(>0.5%),但另外一个通道的THD+N在产品规格要求内(

下图为空载时的VS点对gnd的波形,从该图可以看出,是该电压尖峰引起的IRS20955过流保护,使得IRS20955一直处于保护状态,无法输出PWM波形,不知各位有什么好的方法可以解决该问题,谢谢![图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/67/9921217398112.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

VS波形[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/67/9921217397371.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

我已经从正电源到HVIC的VB点间接一47K电阻,我现在用的驱动IC为IRS20955,      当MOSFET用IRFB4019,调试时会出现以下情况:    1)IRS20955的CSD脚始终处于充放电状态,因此IRS20955无输出PWM.    当MOSFET用FDP3682,调试时会出现以下情况:    只要接上负载调试一次,则IRS20955的VB与VS间的阻抗就只有300欧姆,同时IRS20955无PWM输出,IRS20955的外围电路设计及参数如附件所示9921217310439.pdf