工欲善其事,必先利其器。泰克的产品确实不错，值得拥有。对于研发工作而言在测试设备上的投入是很有必要的。

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个人认为损耗应该分为IGBT的导通损耗和开关损耗，以及二极管的导通损耗和开关损耗四大类。二极管的导通损耗除了和自身特性相关外最大的因素就是温度了，而开关损耗除这两点之外也和关断的速率（反向恢复阶段的电流大小）之间存在一些关系。至于IGBT的导通损耗除了与温度相关和门极电压也相关。开关损耗就复杂一些了，和工作电流，工作电压，密勒电容（门极与集电极之间的等效电容与集射电压相关），驱动电流，门极稳态电压，温度等因素都有关系。有一点容易忽略的是和关断震荡波形也有关系。也就是说和外围电路的杂散参量，尤其是吸收电路也是有关系的。当然了，最主要的还是IGBT自身特性决定的开关硬度。

IGBT的特点是大功率，高电压。（电源的功率大了，电压就不能太低，否则大电流会导致高损耗，关断尖峰等问题。）而且抗过载冲击能力强。而MOS的特点则是开关速度快。所以在大功率应用，尤其是高压应用中IGBT使用较多。而高频应用则MOS较多。在开关电源里，IGBT主要还是用在频率较低的有源功率因数校正等部分。在其他场合，像民用的电磁炉等千瓦级的产品上使用份额较大。而随着伺服电机等电力产品越来越多的替代传统的气动，液压等动力机构。乃至电力汽车，新能源等产业的崛起。IGBT，尤其是高压大功率的IGBT的使用会越来越多。个人浅见，电源产业未来高附加值的增长点，主要会集中在低压直流大电流和高动态性能的逆变两大方向。前者在强调高效和高功率密度的基础上，会越来越看重动态响应能力。而后者则会越来越看重与伺服控制技术相结合的宽动态范围的输出频率和电压。

你好！我的意思是，如果驱动器的输出速率不足。就会导致IGBT的集电极电位在进入上升或下降阶段时，驱动器的输出还没有达到最终稳定的电压值。这个现象是会导致问题的。原因是这种情况下，驱动器输出在这个时间节点上的电压值每一次都可能有较大差异。这就导致了工作状态的不稳定，很容易超出实际的安全工作区间，从而导致损坏。并不是我们平时所说的功率超过额定值而导致的器件烧坏。不知道我说清楚没有？

你好，前几天静静团长也说到了这个问题。我第一次发帖，经验不足。以后一定会逐步把这些问题进一步解说清楚，力争图文并茂。只是最近赶上一个比较大的项目，差不多夜以继日。时间实在紧张。上论坛已经显得是很奢侈的休息了。可能要等到两三个月以后才能有大块的时间更新补充了。因此还望你能见谅。

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综上所述，驱动器与控制板之间的线缆不能过长，否则就存在引入干扰，导致误触发的风险。鉴于驱动器输出与功率器件之间的距离也不能太远，建议采用光纤隔离驱动器的那种一分为二，中间通过不怕干扰的光纤进行连接的方式。另外，建议按照上述方法补充一个接地，以便旁路耦合电流对控制板的影响。

还有一个问题就是干扰电流的引导问题。通过合理的接地处理是可以优化耦合电流对控制板相关电路的干扰的。也是将该干扰电流引走，使它不经过控制板电路。具体来说就是把它引回到它的源头去。由于电场的建立需要等量的异种电荷。因此对驱动器的电荷补充必然导致电源侧的电荷缺失。实际中，这个电荷的缺失是要通过各种杂散参量组成的电荷路径从周边环境（包括地）中汲取回来的。而不同途径提供电荷量的比例，自然是决定于各路径阻抗的大小。如果我们人为建设一条低阻抗的电荷路径连接在，害怕受到干扰的敏感电路入口与干扰源的源头之间。那么干扰电流就会抄近道回到干扰源而不对敏感设备造成影响。很明显，这个通路应该是驱动器与控制板连接处的地到它所驱动的IGBT（MOSFET）周边最近的接地屏蔽体处。但是这里一定要注意，不要把其他干扰从这个屏蔽体引到控制板。所以，常用的对策就是在这两点之间串接一个并联了电阻的高频瓷片电容。具体的阻值和容值就要根据具体情况设定了。另外注意线材一定使用尽量短的多股软线，以便进一步降低阻抗。需要注意的一点是，由于控制板的电源一般是隔离的开关电源。所以有些系统的主控板往往是悬浮地。这在高压大功率场合不太合适。很可能累积静电，导致故障。但是贸然接地又有可能引入干扰。所以，推荐对主控板以上述的方式，接地于功率电路的接地屏蔽体。并且保持一个接地点。