RCD吸收那边的理论公式都看懂了，现在有个小想法，就是干嘛不把R和C都弄大点，这样C上的电压上升基本忽略不计，而且使得时间常数RC很大，漏感能量就储存在电容里好了，总不至于爆了。。、实际中测了下波形，C的电压保持在一定水平，就是POE电压+次级反射电压。注：开关频率是250K，R=10K，C=100nf.
另一个问题，次级的肖特基二极管，RC吸收回路，R=100欧姆，C=470pf，二极管上的波形很好，但是初级取样电阻的电压波形一开始导通的时候有个很大的尖峰，取样电阻RS是0.25欧姆的，尖峰有6V左右（取样电阻梯形波是250mv到400mv），说明一开始的导通电流很大，改过那个100欧姆的电阻，到32欧姆，基本没改善。。、尼玛这是为什么，还有那个计算的频率，到底是振荡的频率还是开关的频率。。(PS:抄来的一段话：可用于衰减次级漏感与整流二极管的振荡,此时所加RC应短路整流二极管体等效电容(肖特基的体电容一般在100pf到1000pf之间,随反向电压增大而变小,具体可参考数据手册),其与次级漏感形成RLC衰减振荡网络(R>2*(L/C)^0.5,R越大衰减越快);同时,为短路肖特基二极管的体电容,又要满足(R^2+(1/2*pi()*f*C)^2)^0.5<<1/(2*pi()*f*Cvd)(Cvd为肖特基体电容),一般取前者为后者的五到十分之一; ）
他这里的好像是R C并联，但是也不应该是平方和再开方啊，偶是按照串联加起来的，R+1/2*pi()*f*C...这里的f是开关频率么？？？
PSS:好像我这个肖特基二极管的结电容是30pf的...so我的电阻要取到20欧以下？明天再试试。
我的输出功率是12W的，输入是54V的POE.
