大家有没有遇到过频繁烧半桥驱动芯片LO端，而MOS管完好的？

小弟最近在研究EPS电机控制方法，单片机用的是Freescale，H桥驱动芯片用的是两片半桥驱动芯片——"L5109"，

H桥的MOS管用的N沟道的IRF 1404S。在调试过程中，发现经常容易烧毁驱动芯片L5109“，而MOS管没有烧毁。

不知大家有什么有关这方面的驱动芯片保护电路没有？请各位大神不吝赐教！

下图是我画的驱动芯片外围电路，前级是单片机输出的PWM波，后级是一个桥臂。

这是L5109的内部构造

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【问题已经找到了】：

是驱动芯片供电电源的问题，在通电瞬间，我捕捉到一个过冲电压，大概有15V左右（未接HO端MOS管时），后面我在驱动芯片电源端加入一个稳压电路，就没有再烧芯片了。

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kegaank

LV.1

2012-12-09 21:22

呵呵，HS要与MR短接在一起啊。如不能接到一起，自举电容将以下桥驱动MOS为自举回路，不烧驱动电路才怪呢

三撅

LV.4

2012-12-10 23:50

楼主，你的RC中电容是什么类型的，CBB，瓷片？电阻多大功率的

天堂的妖

LV.3

2012-12-12 17:05

@kegaank

呵呵，HS要与MR短接在一起啊。如不能接到一起，自举电容将以下桥驱动MOS为自举回路，不烧驱动电路才怪呢

额~。。HS是接了MR的，我在图中是用net连接起来的...

天堂的妖

LV.3

2012-12-12 17:07

@三撅

楼主，你的RC中电容是什么类型的，CBB，瓷片？电阻多大功率的

RC吸收电路中电容是普通的贴片式电容——472.

电阻也是0805封装的贴片电阻。

感觉这个RC吸收电路作用不大。

三撅

LV.4

2012-12-12 20:11

@天堂的妖

RC吸收电路中电容是普通的贴片式电容——472.电阻也是0805封装的贴片电阻。感觉这个RC吸收电路作用不大。

我倒是在我的驱动器中用了RC吸收，效果还是有的，但是我使用贴片电容，电容就会嗞嗞的叫，用CBB就不会，下图是不加RC吸收驱动350W电机空载时候的波形

三撅

LV.4

2012-12-12 20:18

@天堂的妖

RC吸收电路中电容是普通的贴片式电容——472.电阻也是0805封装的贴片电阻。感觉这个RC吸收电路作用不大。

加了RC

天堂的妖

LV.3

2012-12-12 20:32

@三撅

我倒是在我的驱动器中用了RC吸收，效果还是有的，但是我使用贴片电容，电容就会嗞嗞的叫，用CBB就不会，下图是不加RC吸收驱动350W电机空载时候的波形[图片]

你这尖峰有多少伏？

主要是RC参数不好配，我以前在网上找过配置方法...

天堂的妖

LV.3

2012-12-12 20:33

@三撅

加了RC[图片]

基本上没有尖峰了，吸收效果不错嘛！

三撅

LV.4

2012-12-13 11:58

@天堂的妖

基本上没有尖峰了，吸收效果不错嘛！

还不错，就是用瓷片电容的时候电容会嗞嗞叫，用CBB就不叫了

天堂的妖

LV.3

2012-12-20 17:19

@三撅

还不错，就是用瓷片电容的时候电容会嗞嗞叫，用CBB就不叫了

没有大神来探讨下么？？？？

三撅

LV.4

2012-12-21 09:33

@天堂的妖

没有大神来探讨下么？？？？

大神们估计都不屑于回答了，我当初站内信驱动器板块版主，人家就是不理

天堂的妖

LV.3

2012-12-21 10:05

@三撅

大神们估计都不屑于回答了，我当初站内信驱动器板块版主，人家就是不理

哎。。。。咱两讨论下呗？

你的H桥是用什么芯片驱动的？IR2110？

三撅

LV.4

2012-12-21 15:45

@天堂的妖

哎。。。。咱两讨论下呗？你的H桥是用什么芯片驱动的？IR2110？

IR2184，不过这些IR的驱动芯片差不多都一样的

yinxiangtuo

LV.5

2013-01-09 17:13

不知道你单片机输出的高电平是多少V？没有用过飞思卡尔的单片机。还有POWER_EN是多少V？R59又是干什么的？还有MR_OUT输出的信号作用在什么电路上？

yinxiangtuo

LV.5

2013-01-09 17:21

@yinxiangtuo

不知道你单片机输出的高电平是多少V？没有用过飞思卡尔的单片机。还有POWER_EN是多少V？R59又是干什么的？还有MR_OUT输出的信号作用在什么电路上？

还有那个驱动信号是直接反向的么？有没有加死区？

obanewok

LV.2

2013-01-09 17:44

@天堂的妖

RC吸收电路中电容是普通的贴片式电容——472.电阻也是0805封装的贴片电阻。感觉这个RC吸收电路作用不大。

有需要二三极管、SCR/TRIAC、TVS、LDO、HALL IC、MOS及coolMOS、运放、光耦、EEPROM、移动电源控制IC及方案、Charging IC、USB电源开关、MOS半桥驱动器、DCDC控制器、直流无刷电机驱动方案及元器件等可以联系我司，易生，15813899729，QQ：2375658448，谢谢！

天堂的妖

LV.3

2013-01-09 17:49

@yinxiangtuo

还有那个驱动信号是直接反向的么？有没有加死区？

容我一项项来说清楚哈：

单片机输出的PWM波是0-5V的方波；

POWER_EN 是12V，和H桥的母线来源相同；

R59是自举电阻，降压的作用；

MR_OUT是电机的输入端，目前还没接负载，是悬空的；

驱动信号不是反向的，而是单独的输出，即一个半桥的两路输入PWM波都是由独立的程序来控制其占空比的；

yinxiangtuo

LV.5

2013-01-09 18:58

@天堂的妖

容我一项项来说清楚哈：单片机输出的PWM波是0-5V的方波；POWER_EN是12V，和H桥的母线来源相同；R59是自举电阻，降压的作用；[图片] MR_OUT是电机的输入端，目前还没接负载，是悬空的；驱动信号不是反向的，而是单独的输出，即一个半桥的两路输入PWM波都是由独立的程序来控制其占空比的；

我觉得现在存在两种可能，其中后者的可能性比较大。

一：输入电压峰值太大。在datasheet中，我们可以看到L5109的输入下拉电阻典型值是200K，然后你的R60R62和下拉电阻串联，基本上5V的PWM信号全输入到了芯片内，但是芯片的输入电压高电平上限是1.8V……这里你最好修改一下……

二：该芯片会自行加入死区时间，datasheet上画的是一半的上升沿时间……然后这样的话，如果你的驱动信号之间没有加入死区的话，有可能导致两管直通……然后吧……你懂得……如果你加入了合适的死区时间的话那么这第二点就可以不考虑了……

我暂时只想到了这两点……

yinxiangtuo

LV.5

2013-01-09 19:14

@天堂的妖

还有自举电阻……我觉得没必要加吧？你供电电压12V，离Vgs上限还远呢……加个自举电阻还增加功耗……

天堂的妖

LV.3

2013-01-09 21:45

@yinxiangtuo

我觉得现在存在两种可能，其中后者的可能性比较大。一：输入电压峰值太大。在datasheet中，我们可以看到L5109的输入下拉电阻典型值是200K，然后你的R60R62和下拉电阻串联，基本上5V的PWM信号全输入到了芯片内，但是芯片的输入电压高电平上限是1.8V……这里你最好修改一下…… 二：该芯片会自行加入死区时间，datasheet上画的是一半的上升沿时间……然后这样的话，如果你的驱动信号之间没有加入死区的话，有可能导致两管直通……然后吧……你懂得……如果你加入了合适的死区时间的话那么这第二点就可以不考虑了……我暂时只想到了这两点……

Input Voltage Threshold这是说的是门槛电压吧？并不是最大值...也就是说，高于2.2V的都认定为高电平...

还有，这个芯片没有死区时间的...从下面这张图可以看得出，另外，我在程序里面加了足够的死区时间的，我也测过，死区时间没问题。