H桥中MOS管门级和源级接的电阻作用是什么？

二极管作用：当功率管开通时选用30欧电阻作为门极电阻，当功率管关断时选用10欧电阻作为门极电阻。

1 R70 R79的阻值确实大了，一般选1-10K均可，视驱动输出的能力而定。

2 二极管相当于一个开关在使用，目的是在输出低电平时，有更低的阻值(10ohm)来对MOS的GS结管放电。

不知道您说的HI LI输入波形的幅值符合要求是什么意思？

HI LI的输入波形是由飞思卡尔单片机提供的一对互补PWM波，我检测过HI LI端的波形，有一定的尖峰，正常的应该是0~5V的PWM波，尖峰有1V左右。

不知道您说的驱动芯片工作在放大区时间过长是什么意思？驱动芯片还有放大区么？

U3的工作温度是正常的，就是容易烧...

前段时间遇到其他问题了，然后又都解决了，现在又绕回来，还是这个问题，我是这样一步步测试的：

先断开连接驱动芯片和MOS管的HO,LO端电阻

1、焊驱动芯片，测试LO端波形，输出PWM波，正常；测HO波形，为10V高电平，正常；测HS波形，为10V高电平，正常。

2、焊上LO端电阻，测LO端波形，输出PWM波，正常；测HO端波形，输出PWM波形，正常，测HS波形，为0V，正常。（因为焊上LO端的电阻后，下管MOS管导通，连接MR端的HS电压被拉低）

3、焊上HO端电阻，测各端波形，这个时候就会烧驱动芯片了....

烧毁后，我断开HO端电阻，检测发现：LO输出持续的10V高电平，而HO输出仍是PWM波形，所以我断定烧毁的是LO,而HO端正常。

MOS管没有烧。

驱动波形幅度值是指波形的大小，当接近小于场管的VGS电压时会造成驱动不足， 工作在放大驱是指你的驱动波形的前沿以及后沿是否足够陡，如果不是，也会造成MOS损耜增大。

您给出的检测方法是从驱动芯片的输入输出口入手的吧？

驱动芯片是输入是HI LI ：纯正的波形是0~5V的方波信号，但由于后面MOS管的开、关引起的尖峰通过驱动芯片L5109串扰到前端单片机哪儿，使得单片机的电源端和地端有峰峰值为2V的尖峰，单片机的PWM输出也有峰峰值2V的尖峰，继而在L5109的输出端HO,LO也有8伏左右的尖峰，但在MOS管的栅极没有尖峰。

驱动芯片的输出是HO LO:LO是0~12V的方波，有尖峰，HO是0~22V的方波，也有一定的尖峰，但在上下管的栅极没有尖峰了。

我这几天又做了测试，在只接了右桥臂的情况下，第一次上电，输出输出波形都很正常，电机端波形也正常（有波形图），但是断电后，隔了半个小时，第二次上电时，就发现下管非常烫，D级的焊锡都融掉了，并伴随着“丝丝”的声音，此时再测上下管栅极波形，就都不对了（有波形图），测电源端电压，只有5.8V（正常为铅蓄电池电压12V），此时单片机端只有2点几V，输出波形也不对，我分析驱动芯片烧毁后，上下管有直通的现象，相当于电源端和地端有短路的时刻，所以电源电压才不对，但是不知道是为什么第一次上电好好的，第二次上电就会出问题？中间没动任何东西。

不知道您能不能帮我分析下啊。。。。

个人拙见，认为二极管是为了给MOS的结电容提供一个放电回路，MOS开关其实就是结电容充放电，加个二极管和电阻并联，提供放电回路，使MOS开关速度加快，损耗和功耗减少，发热也就少了，

你把HO，LO输出端接的肖特基二级管卸下来，如果还烧的话，增大R61和R66的电阻值，增大到50看看，如果还烧，就增大到100。还有你的HS应该接MR点。为什么没有接？

问题解决了，是驱动芯片电源端的问题，在接上电源的瞬间，有一个尖峰脉冲，我在驱动芯片电源端接入一个12V的稳压电路，就没有烧芯片了。

谢谢大家的回答！