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电源IC的功率

想问大家一个问题,什么限制了开关电源的IC功率,是外置的MOS 。有人说电源功率,跟IC没关系,但是我觉得虽然MOS是电压型器件,但是IC内部也要有驱动能力?
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lsc0471
LV.5
2
2012-12-20 12:16
取决于IC驱动电流和内部的保护电路设定
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2012-12-20 12:28
可以是没关系,因为IC和MOS之间可以增加驱动电路.
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gang
LV.5
4
2012-12-20 13:46
@sometimes
可以是没关系,因为IC和MOS之间可以增加驱动电路.

寒ing,走你的  ----可以没关系

关系大着呢;功率越大,控制越复杂,风险越大;

1.驱动是一个方面;

2 功率越大,对环路的要求越高,对芯片设计来说又是一个方面;

3 再就是杂七杂八的控制时序及时间触发或延迟等加上各种保护控制的完整连续;

负责任的公司会把芯片做多大功率写在规格书里;比如NEM的芯片规格书;

不负责任的公司不会写做多大功率,出了问题就推脱;

大公司的做法与小公司都不一样的;

 

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2012-12-20 14:13
@gang
寒ing,走你的 ----可以没关系关系大着呢;功率越大,控制越复杂,风险越大;1.驱动是一个方面;2功率越大,对环路的要求越高,对芯片设计来说又是一个方面;3再就是杂七杂八的控制时序及时间触发或延迟等加上各种保护控制的完整连续;负责任的公司会把芯片做多大功率写在规格书里;比如NEM的芯片规格书;不负责任的公司不会写做多大功率,出了问题就推脱;大公司的做法与小公司都不一样的; 

首先,功率大小和环路是否需要复杂没有关系

其次,芯片是不是复杂是取决于需求,而不是功率的大小,

很多小功率的电源,也需要繁琐的各种保护.

同样384X系列,从几十瓦到几千瓦,都有应用,你看见TI之类的大公司

有写该IC适合多大功率么?

只有一些集成MOS,或者特殊应用的IC才会注明适用功率.

至于什么公司负责不负责不是你说了算的,用不着这样做广告.

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jecxze
LV.4
6
2012-12-21 09:16
@sometimes
首先,功率大小和环路是否需要复杂没有关系其次,芯片是不是复杂是取决于需求,而不是功率的大小,很多小功率的电源,也需要繁琐的各种保护.同样384X系列,从几十瓦到几千瓦,都有应用,你看见TI之类的大公司有写该IC适合多大功率么?只有一些集成MOS,或者特殊应用的IC才会注明适用功率.至于什么公司负责不负责不是你说了算的,用不着这样做广告.
有点明白了,但是人家说MOS是电压型驱动器件,一般的IC的驱动脚都能推到10-17V,为什么还要加电路
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2012-12-21 11:15
这个和电路形式及外接的元件有关,如MOS,三极管,变压器等;例如用MOS做硬开关,结电容将影响驱动波形,只要上升的斜率符合要求,MOS的结电容越小,能驱动的功率就会越大。
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yopoo
LV.2
8
2012-12-21 11:50
@jecxze
有点明白了,但是人家说MOS是电压型驱动器件,一般的IC的驱动脚都能推到10-17V,为什么还要加电路

电流能力

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2012-12-21 16:51
@jecxze
有点明白了,但是人家说MOS是电压型驱动器件,一般的IC的驱动脚都能推到10-17V,为什么还要加电路
MOS是有寄生电容的,比如GS之间是有结电容,要把GS电压充起来,就需要给这个电容充电,所以电流能力小,充电就慢,开关速度就慢,损耗就大.
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yufei.1013
LV.3
10
2012-12-21 17:06
@sometimes
可以是没关系,因为IC和MOS之间可以增加驱动电路.
如果IC对MOS管的驱动能力不够的话,MOS管的温度会很高,因为MOS管没有完全开通,开通损耗很大,此时如果在MOS管和IC间加一图腾可解决温度问题,对吗?如有异议请指正,谢谢!
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2012-12-26 09:42
@qinzutaim
这个和电路形式及外接的元件有关,如MOS,三极管,变压器等;例如用MOS做硬开关,结电容将影响驱动波形,只要上升的斜率符合要求,MOS的结电容越小,能驱动的功率就会越大。

只要驱动功率够,你想做多少W都可以,有人在驱动外追加一个图腾来推动MOS,这是为什么?是不是为了增大驱动力吗?为什么要增大呢?是为了MOS正常导通关闭吗?是防止MOS出现不完全导通吗?MOS在什么情况下出现不完全导通呢?

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2012-12-26 09:44
@gang
寒ing,走你的 ----可以没关系关系大着呢;功率越大,控制越复杂,风险越大;1.驱动是一个方面;2功率越大,对环路的要求越高,对芯片设计来说又是一个方面;3再就是杂七杂八的控制时序及时间触发或延迟等加上各种保护控制的完整连续;负责任的公司会把芯片做多大功率写在规格书里;比如NEM的芯片规格书;不负责任的公司不会写做多大功率,出了问题就推脱;大公司的做法与小公司都不一样的; 

只要驱动功率够,你想做多少W都可以,有人在驱动外追加一个图腾来推动MOS,这是为什么?是不是为了增大驱动力吗?为什么要增大呢?是为了MOS正常导通关闭吗?是防止MOS出现不完全导通吗?MOS在什么情况下出现不完全导通呢?

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2012-12-26 11:41
@老钟电源IC
只要驱动功率够,你想做多少W都可以,有人在驱动外追加一个图腾来推动MOS,这是为什么?是不是为了增大驱动力吗?为什么要增大呢?是为了MOS正常导通关闭吗?是防止MOS出现不完全导通吗?MOS在什么情况下出现不完全导通呢?
不是说不完全导通,如果驱动电压足够,IC的驱动电流小的话,只是上升的时间长一点而已,而驱动电压由供电的VCC决定,非轨对轨的输出一般会比VCC低1V左右的驱动电压
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zhenxiang
LV.10
14
2013-04-07 12:34
@心中有冰
不是说不完全导通,如果驱动电压足够,IC的驱动电流小的话,只是上升的时间长一点而已,而驱动电压由供电的VCC决定,非轨对轨的输出一般会比VCC低1V左右的驱动电压
4楼的回帖挺不靠谱。我是很反感这种技术讨论中植入广告的行为。(负责任的公司会把芯片做多大功率写在规格书里;比如NEM的芯片规格书;

不负责任的公司不会写做多大功率,出了问题就推脱;

大公司的做法与小公司都不一样的;)我不知道NEM是多么大多负责人的公司,但我知道384X系列,从几十瓦到几千瓦,都有应用,TI是没有标出能做多大功率的。NEM和TI的比较相信不用多说
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2013-04-07 13:19
@心中有冰
不是说不完全导通,如果驱动电压足够,IC的驱动电流小的话,只是上升的时间长一点而已,而驱动电压由供电的VCC决定,非轨对轨的输出一般会比VCC低1V左右的驱动电压

隔行如隔山;

做电源的人讨论芯片的功率,要搞清楚不是那么容易;

芯片的猫腻有很多,大部分猫腻就是在省成本和规格书方面做回避,在出现问题的时候,在法律上尽量的回避责任;这个是芯片公司一贯的做法;所以出问题,真的打官司,芯片公司败诉的很少;

至于加图腾增加驱动是否可行,要考虑MOS,如果你选择的MOS  VGS驱动为20V,那么你的VCC超过20V,风险很大;MOS的雪崩能量也是需要考虑的,有些芯片会在MOS烧毁以前保护,但这个就要看这个MOS能承受雪崩能量;

再就是响应速度,功率越大,响应一定要做好,否则就容易炸机;

现在推广芯片的人,可以信口开河;但做为电源工程师,在设计过程中,如果觉得做不到这个功率,别听芯片公司的推广人员说说,要他给出标准的证据,防止出了问题,回避责任;

无论做电源和做芯片,只要是产品,都不可能有100% OK的事情;任何公司都不可能,像做的比较好的台达,他们的电源也不能保证100% OK,长时间使用,元器件老化,能回避的只能是尽量不炸机;

一个好的电源工程师,做出好的电源,要懂的东西太多,MOS ,肖特基,芯片,变压器,PCB布局太多;

 

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zhenxiang
LV.10
16
2013-04-09 09:50
@chinacompower
隔行如隔山;做电源的人讨论芯片的功率,要搞清楚不是那么容易;芯片的猫腻有很多,大部分猫腻就是在省成本和规格书方面做回避,在出现问题的时候,在法律上尽量的回避责任;这个是芯片公司一贯的做法;所以出问题,真的打官司,芯片公司败诉的很少;至于加图腾增加驱动是否可行,要考虑MOS,如果你选择的MOS VGS驱动为20V,那么你的VCC超过20V,风险很大;MOS的雪崩能量也是需要考虑的,有些芯片会在MOS烧毁以前保护,但这个就要看这个MOS能承受雪崩能量;再就是响应速度,功率越大,响应一定要做好,否则就容易炸机;现在推广芯片的人,可以信口开河;但做为电源工程师,在设计过程中,如果觉得做不到这个功率,别听芯片公司的推广人员说说,要他给出标准的证据,防止出了问题,回避责任;无论做电源和做芯片,只要是产品,都不可能有100%OK的事情;任何公司都不可能,像做的比较好的台达,他们的电源也不能保证100%OK,长时间使用,元器件老化,能回避的只能是尽量不炸机;一个好的电源工程师,做出好的电源,要懂的东西太多,MOS,肖特基,芯片,变压器,PCB布局太多; 

这话说得对


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2013-04-09 10:01
@sometimes
首先,功率大小和环路是否需要复杂没有关系其次,芯片是不是复杂是取决于需求,而不是功率的大小,很多小功率的电源,也需要繁琐的各种保护.同样384X系列,从几十瓦到几千瓦,都有应用,你看见TI之类的大公司有写该IC适合多大功率么?只有一些集成MOS,或者特殊应用的IC才会注明适用功率.至于什么公司负责不负责不是你说了算的,用不着这样做广告.

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