打嗝式短路保护!

打嗝周期太短会在mos管上积累雪崩能量导致击穿.

是打嗝周期太长还是太短  是太长会导致炸管子把!有可能是发热导致的开关管损坏.有没高手指导下还应该考虑哪个地方!!

高手请指点下哦!

高手指点下啊

顶顶

打嗝周期太短会导致在上一次保护时mos管上积累的能量还未完全释放掉就又一次保护动作,能量积累到一定程度,mos管就会损坏.
mos管的雪崩能量计算各大厂家的资料上都有,主要跟电压电流和持续时间相关.你可以根据实测波形计算一下.

吸收回路有问题或是变压器漏感有问题,导致MOS两端VDC又叠加后的电压过高造成MOS崩溃.

用什么芯片控制?输出电压和工作频率?变压器如何设计?
很大可能是因为变压器饱和了导致非常大的Ids而损坏MOS.
提高工作频率和增加Np都可以解决这样的问题.

是否饱和可以测出来呀.

是可以测试的,但是还有很多人因为条件的问题不容易做到.

用各种打嗝的保护,做单电压还是容易调的,并且一致性也可以.若做全电压的最好还是不用,一致性不好,变压器的工艺影响太大.

谢谢指点. 我看过保护时的瞬态应力有1KV,管子的应力极限是900V.估计是积蓄了能量发热炸掉.如果把打嗝时间调的很大会????????????

请问什么是单电压 什么是全电压

请问是否饱和怎么测,是测变压器两端电压吗

此话不完全对,恒功率保护如果不加处理电路在高低压时也很不一致.

mos管的资料上有单次或者重复多次的最大雪崩能量,可以算一下的是否超出.如果超出可以调整电路参数把过电压的幅值降低、过电压脉冲的宽度减小、过电压脉冲的个数减少、打嗝周期放宽,也许会有好处.

高太保护要考虑磁饱和吗?

低压时怎么样?

单电压:输入电压是一个窄范围如100~120,或200~240.
全电压同样知道了

我这说的是短路保护,用打嗝的保护的情况.

你保护时,时间很短所以dB也不会大所以一般不会有问题.

不对,原则上是测变压器两端的电流, 如有取样电阻,也可以测取样电阻的电压.

请问你们打嗝保护一般怎么做呢?能否提供下电路学习学习,谢谢.

王老师你好,我问你个问题:Buck电路中,一般OCP或者SP时,其保护模式分打嗝模式与锁死模式,在锁死模式中又分为将L-mos的Gate端一直拉高,与瞬间拉高放电后一直保持低电平;是这么理解吗?谢谢!

"不对,原则上是测变压器两端的电流, 如有取样电阻,也可以测取样电阻的电压."
rhett,请把你这句话说完,取样电阻的电压怎么衡量变压器饱和?