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打嗝式短路保护!

请问一个正激电路采用短路打嗝保护电路,为什么在高端交流输入时打嗝7-8下后会炸MOS管
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delahair
LV.4
2
2006-08-12 01:11
打嗝周期太短会在mos管上积累雪崩能量导致击穿.
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wdpwdp1981
LV.2
3
2006-08-12 10:13
@delahair
打嗝周期太短会在mos管上积累雪崩能量导致击穿.
是打嗝周期太长还是太短  是太长会导致炸管子把!有可能是发热导致的开关管损坏.有没高手指导下还应该考虑哪个地方!!
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wdpwdp1981
LV.2
4
2006-08-12 10:19
高手请指点下哦!
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wdpwdp1981
LV.2
5
2006-08-12 16:58
高手指点下啊
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xiaodong
LV.9
6
2006-08-16 00:10
@wdpwdp1981
高手指点下啊
顶顶
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delahair
LV.4
7
2006-08-16 00:37
@wdpwdp1981
是打嗝周期太长还是太短  是太长会导致炸管子把!有可能是发热导致的开关管损坏.有没高手指导下还应该考虑哪个地方!!
打嗝周期太短会导致在上一次保护时mos管上积累的能量还未完全释放掉就又一次保护动作,能量积累到一定程度,mos管就会损坏.
mos管的雪崩能量计算各大厂家的资料上都有,主要跟电压电流和持续时间相关.你可以根据实测波形计算一下.
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简*单
LV.2
8
2006-08-16 06:57
@wdpwdp1981
高手指点下啊
吸收回路有问题或是变压器漏感有问题,导致MOS两端VDC又叠加后的电压过高造成MOS崩溃.
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jacki_wang
LV.11
9
2006-08-16 08:24
用什么芯片控制?输出电压和工作频率?变压器如何设计?
很大可能是因为变压器饱和了导致非常大的Ids而损坏MOS.
提高工作频率和增加Np都可以解决这样的问题.
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rhett
LV.8
10
2006-08-16 09:33
@jacki_wang
用什么芯片控制?输出电压和工作频率?变压器如何设计?很大可能是因为变压器饱和了导致非常大的Ids而损坏MOS.提高工作频率和增加Np都可以解决这样的问题.
是否饱和可以测出来呀.
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jacki_wang
LV.11
11
2006-08-16 11:49
@rhett
是否饱和可以测出来呀.
是可以测试的,但是还有很多人因为条件的问题不容易做到.
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rhett
LV.8
12
2006-08-16 14:48
@jacki_wang
是可以测试的,但是还有很多人因为条件的问题不容易做到.
用各种打嗝的保护,做单电压还是容易调的,并且一致性也可以.若做全电压的最好还是不用,一致性不好,变压器的工艺影响太大.
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wdpwdp1981
LV.2
13
2006-08-22 15:31
@delahair
打嗝周期太短会导致在上一次保护时mos管上积累的能量还未完全释放掉就又一次保护动作,能量积累到一定程度,mos管就会损坏.mos管的雪崩能量计算各大厂家的资料上都有,主要跟电压电流和持续时间相关.你可以根据实测波形计算一下.
谢谢指点. 我看过保护时的瞬态应力有1KV,管子的应力极限是900V.估计是积蓄了能量发热炸掉.如果把打嗝时间调的很大会????????????
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wdpwdp1981
LV.2
14
2006-08-22 15:36
@rhett
用各种打嗝的保护,做单电压还是容易调的,并且一致性也可以.若做全电压的最好还是不用,一致性不好,变压器的工艺影响太大.
请问什么是单电压 什么是全电压
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wdpwdp1981
LV.2
15
2006-08-22 15:41
@rhett
是否饱和可以测出来呀.
请问是否饱和怎么测,是测变压器两端电压吗
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xiaodong
LV.9
16
2006-08-22 18:31
@rhett
用各种打嗝的保护,做单电压还是容易调的,并且一致性也可以.若做全电压的最好还是不用,一致性不好,变压器的工艺影响太大.
此话不完全对,恒功率保护如果不加处理电路在高低压时也很不一致.
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delahair
LV.4
17
2006-08-22 21:14
@wdpwdp1981
谢谢指点.我看过保护时的瞬态应力有1KV,管子的应力极限是900V.估计是积蓄了能量发热炸掉.如果把打嗝时间调的很大会????????????
mos管的资料上有单次或者重复多次的最大雪崩能量,可以算一下的是否超出.如果超出可以调整电路参数把过电压的幅值降低、过电压脉冲的宽度减小、过电压脉冲的个数减少、打嗝周期放宽,也许会有好处.
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胡成才
LV.5
18
2006-08-22 21:49
@jacki_wang
是可以测试的,但是还有很多人因为条件的问题不容易做到.
高太保护要考虑磁饱和吗?
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胡成才
LV.5
19
2006-08-22 21:50
低压时怎么样?
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rhett
LV.8
20
2006-08-23 08:24
@wdpwdp1981
请问什么是单电压什么是全电压
单电压:输入电压是一个窄范围如100~120,或200~240.
全电压同样知道了
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rhett
LV.8
21
2006-08-23 08:28
@xiaodong
此话不完全对,恒功率保护如果不加处理电路在高低压时也很不一致.
我这说的是短路保护,用打嗝的保护的情况.
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rhett
LV.8
22
2006-08-23 08:29
@胡成才
高太保护要考虑磁饱和吗?
你保护时,时间很短所以dB也不会大所以一般不会有问题.
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rhett
LV.8
23
2006-08-23 08:36
@wdpwdp1981
请问是否饱和怎么测,是测变压器两端电压吗
不对,原则上是测变压器两端的电流, 如有取样电阻,也可以测取样电阻的电压.
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janysophia
LV.3
24
2008-08-03 11:46
@胡成才
低压时怎么样?
请问你们打嗝保护一般怎么做呢?能否提供下电路学习学习,谢谢.
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lingfengzi
LV.2
25
2008-10-22 22:04
@jacki_wang
用什么芯片控制?输出电压和工作频率?变压器如何设计?很大可能是因为变压器饱和了导致非常大的Ids而损坏MOS.提高工作频率和增加Np都可以解决这样的问题.
王老师你好,我问你个问题:Buck电路中,一般OCP或者SP时,其保护模式分打嗝模式与锁死模式,在锁死模式中又分为将L-mos的Gate端一直拉高,与瞬间拉高放电后一直保持低电平;是这么理解吗?谢谢!
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kinderla01
LV.5
26
2008-10-23 08:46
@janysophia
请问你们打嗝保护一般怎么做呢?能否提供下电路学习学习,谢谢.
"不对,原则上是测变压器两端的电流, 如有取样电阻,也可以测取样电阻的电压."
rhett,请把你这句话说完,取样电阻的电压怎么衡量变压器饱和?
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