随着电源技术行业飞快成长,客户对LED驱动电源品质价格的要求也越来越高。 体积要求越来越小,一致性要求更好。因此平面的VD-MOSFET已经有些力不从心的感觉,因为推荐工艺更高一层的超结MOSFET NCE5N60(RDS≤900mΩ)封装(TO-251 TO-252 TO-220 TO-220F)和NCE8N60(RDS≤600mΩ)封装(TO-251 TO-252 TO-220 TO-220F)NCE11N60(RDS≤380mΩ)NCE20N60(RDS≤180mΩ)。电压有500V;600V;650V.内阻降低70%,更低的导通内阻,利于降低导通损耗;极低的栅极电荷,提供更快的开关速度;同规格下更小的封装体系,是系统更轻便;更好的一致性,保证了系统的持续稳定运行;100%雪崩能力测试,确保产品质量可靠.同等型号替代,可以省去散热片!各位大侠工程可以所样测试,体验效果。留个候选料也值得! QQ: 526735147
提高电源效率及使用寿命,大幅度降低温升,超结MOSFET新力量
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