以下电路设计老是烧MOS管。设计电流余量是够的。

LV.8

2013-01-12 10:48

MOS管烧掉不是只因电流过大引起，DS电压或GS电压超限和温度超限都可能炸掉。所有建议还看看电压和温度。

LV.2

2013-01-14 09:52

@不要放弃

MOS管的规格小了，，把MOS管换大一点的。

MOS选多少大呢这个选型怎么选。

LV.2

2013-01-14 09:54

@dreamer662006

MOS管烧掉不是只因电流过大引起，DS电压或GS电压超限和温度超限都可能炸掉。所有建议还看看电压和温度。

电压完全不会超的。上限是40V。温度在未失效情况下不可能超上限的。这个在好的样机里温升测试是没有任何问题的。

xuanxuan

LV.2

2013-01-14 14:09

查查驱动吧，看驱动波箱，尤其带功率的时候。

nkzfwjf

LV.4

2013-01-14 14:48

@xuanxuan

查查驱动吧，看驱动波箱，尤其带功率的时候。

查驱动是对的

LV.8

2013-01-14 17:02

@gdfrg

电压完全不会超的。上限是40V。温度在未失效情况下不可能超上限的。这个在好的样机里温升测试是没有任何问题的。

看着电压是不会超的。你们做温升测试时测到的温度是多少？这个MOSFET的最大节温允许多少啊？

LV.2

2013-01-15 20:30

@dreamer662006

看着电压是不会超的。你们做温升测试时测到的温度是多少？这个MOSFET的最大节温允许多少啊？

温升都量了的。可能是电感后级的反压。

LV.9

2013-01-16 08:40

@nkzfwjf

查驱动是对的

你的上下管的死区时间是多少，有可是死区时间太小，使两管同时有导通现象？？

kyhejie

LV.1

2013-01-16 12:32

你确定你的电路图是完整的？我看差了一点东西

LV.2

2013-01-17 08:41

@贺赫无名

你的上下管的死区时间是多少，有可是死区时间太小，使两管同时有导通现象？？

死区区间，图中很明显啊。蓝色的是高导通，黄色低导通。

LV.2

2013-01-17 08:42

@kyhejie

你确定你的电路图是完整的？我看差了一点东西

差了那部分呢控制信号是CPU给的。

确实有缺个肖特基二极管这个影响大吗？

LV.8

2013-01-17 09:10

你给的那两个波形各是哪个地方的波形？电感和寄生电容振荡产生尖峰电压可能导致下管烧坏，还有就是下管体二极管的反向恢复问题。

LV.2

2013-01-17 09:18

@dreamer662006

你给的那两个波形各是哪个地方的波形？电感和寄生电容振荡产生尖峰电压可能导致下管烧坏，还有就是下管体二极管的反向恢复问题。

是控制PMOS（黄色）和NMOS（蓝色）的波形。

尖峰电压怎么测量呢。这个烧板率大约千分之一。因为涉及大批量。所以是个大问题。

插入MOS的规格书吧

207065803000

735575630

LV.5

2013-01-17 10:10

怎么不在MOSFET的G、S两端加个10k电阻呢？？可能是输入电容Ciss获得了电荷，来不及放电，使得刚上电时，MOSFET的D、S两端电压过大，造成烧管的呢？？建议在MOSFET的G、S两端加个10k电阻，防止MOSFET误操作

LV.8

2013-01-17 10:48

@gdfrg

是控制PMOS（黄色）和NMOS（蓝色）的波形。尖峰电压怎么测量呢。这个烧板率大约千分之一。因为涉及大批量。所以是个大问题。插入MOS的规格书吧[图片]207065803000

探头将地线弄的尽量短来测量。

LV.9

2013-01-17 12:39

@gdfrg

死区区间，图中很明显啊。蓝色的是高导通，黄色低导通。

蓝高黄低，就有死区

如果是蓝低，黄高，就没有死区

楼主说明一下波形到底是对应哪两脚产生的

LV.9

2013-01-17 12:44

@贺赫无名

你的上下管的死区时间是多少，有可是死区时间太小，使两管同时有导通现象？？

不过楼主又说了，只有千分之一。。。

估计死区是有的

LV.9

2013-01-17 12:45

@贺赫无名

不过楼主又说了，只有千分之一。。。估计死区是有的

应该上一个电感1端的波形图

LV.9

2013-01-17 12:48

@735575630

如果是开机就烧MOS管，就要考滤在GS间加一个1K的电阻

如果不是，就可以考滤其它，如过温，散热等。或是程序是否偶尔有使管子误导通的地方

LV.8

2013-01-17 14:27

@735575630

高端的那个MOS，地和低端的那个是一样啊？

kyhejie

LV.1

2013-01-17 19:13

@735575630

有道理

kyhejie

LV.1

2013-01-17 19:14

@gdfrg

差了那部分呢控制信号是CPU给的。确实有缺个肖特基二极管这个影响大吗？

我认为很可能是21楼说的那个原因。

LV.2

2013-02-17 14:28

@贺赫无名

应该上一个电感1端的波形图

等一下我找找。过年了还是不让人省心。依然烧的厉害。

LV.2

2013-02-17 14:44

@dreamer662006

探头将地线弄的尽量短来测量。

测量时还是主要针对控制波形吗

LV.2

2013-02-17 14:46

@735575630

DS端电压瞬间能导致烧管吗？

DS电压上限应该±30V

这个有可能超过吗貌似没抓取过这个的瞬间电压。

心中有冰

2013-02-17 15:26

@gdfrg

DS端电压瞬间能导致烧管吗？DS电压上限应该±30V这个有可能超过吗貌似没抓取过这个的瞬间电压。

瞬间的电压超标，就要看波形了

如果进入了雪崩区，那你就要计算雪崩能量来衡量是否超出datasheet给出的值

如果没有进入雪崩区，那么就要用电压跟电流的的波形积分来计算能量，以及这个能量产生的温升加上壳温是否超出结温的最大值来衡量了

LV.2

2013-02-17 15:42

@心中有冰

瞬间的电压超标，就要看波形了如果进入了雪崩区，那你就要计算雪崩能量来衡量是否超出datasheet给出的值如果没有进入雪崩区，那么就要用电压跟电流的的波形积分来计算能量，以及这个能量产生的温升加上壳温是否超出结温的最大值来衡量了

好的。我可以去测试一下。

关键有一个问题。

板子的控制信号目前已经坏了。无论你换什么MOS都必须烧毁。

LV.2

2013-02-17 16:11

@dreamer662006

高端的那个MOS，地和低端的那个是一样啊？

一个NMOS一个PMOS