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开关尖峰问题

如图，为什么线输入电压越高，开关管导通时产生的尖峰电压越高呢？

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LV.5

2

2013-01-23 16:32

你这个应该是电流波形吧

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LV.5

3

2013-01-23 16:33

@瞌睡虫

你这个应该是电流波形吧

主要是MOS管的CISS在作怪

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LV.2

4

2013-01-23 17:09

量下看是不是IC脚出来有尖峰？

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LV.6

5

2013-01-23 17:41

@瞌睡虫

主要是MOS管的CISS在作怪[图片]

这个是采样脚的电压波形，除以采样电阻就是电流波形撒。。。。如果是MOS的CISS在作怪，那怎么解释85VAC输入时候的毛刺尖峰远小于265VAC输入的呢？？

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LV.6

6

2013-01-23 17:42

@hd313

量下看是不是IC脚出来有尖峰？

没有啊，CS脚是输入到IC里面去的，接MOS管的源极的。。。

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LV.5

7

2013-01-24 10:26

@silverpuma

这个是采样脚的电压波形，除以采样电阻就是电流波形撒。。。。如果是MOS的CISS在作怪，那怎么解释85VAC输入时候的毛刺尖峰远小于265VAC输入的呢？？

你可以理解为CISS电容为DS之间的等效电容，当G级每个周期从低电平跳转为高电平的时候，CISS的储能要通过MOS管放电，所以，在MOS管关断的期间，加在MOS管上的电压越高，这个CISS的储能电压也就越高，自然，放电的时候电流峰值就会越高，又因为在MOS管关断的时候，其DS电压等于VIN（DC)+折射电压，所以，在264V的时候，VIN(DC)最大，DS电压也就最大，CISS的放电电流峰值也就最高。

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LV.6

8

2013-01-24 11:15

@瞌睡虫

你可以理解为CISS电容为DS之间的等效电容，当G级每个周期从低电平跳转为高电平的时候，CISS的储能要通过MOS管放电，所以，在MOS管关断的期间，加在MOS管上的电压越高，这个CISS的储能电压也就越高，自然，放电的时候电流峰值就会越高，又因为在MOS管关断的时候，其DS电压等于VIN（DC)+折射电压，所以，在264V的时候，VIN(DC)最大，DS电压也就最大，CISS的放电电流峰值也就最高。

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LV.5

9

2013-01-24 13:51

@瞌睡虫

你可以理解为CISS电容为DS之间的等效电容，当G级每个周期从低电平跳转为高电平的时候，CISS的储能要通过MOS管放电，所以，在MOS管关断的期间，加在MOS管上的电压越高，这个CISS的储能电压也就越高，自然，放电的时候电流峰值就会越高，又因为在MOS管关断的时候，其DS电压等于VIN（DC)+折射电压，所以，在264V的时候，VIN(DC)最大，DS电压也就最大，CISS的放电电流峰值也就最高。

Ciss（输入电容）怎么是DS之间的等效电容呢？？DS之间的等效电容是Coss，输出电容

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LV.5

10

2013-01-24 16:34

@735575630

Ciss（输入电容）怎么是DS之间的等效电容呢？？DS之间的等效电容是Coss，输出电容

兄台所言极是，应该是COSS电容

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LV.5

11

2013-01-24 18:35

在DG之间加个小电容和电阻，看看能不能去掉那个T LEB 波形？？

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LV.5

12

2013-01-24 18:39

@瞌睡虫

你可以理解为CISS电容为DS之间的等效电容，当G级每个周期从低电平跳转为高电平的时候，CISS的储能要通过MOS管放电，所以，在MOS管关断的期间，加在MOS管上的电压越高，这个CISS的储能电压也就越高，自然，放电的时候电流峰值就会越高，又因为在MOS管关断的时候，其DS电压等于VIN（DC)+折射电压，所以，在264V的时候，VIN(DC)最大，DS电压也就最大，CISS的放电电流峰值也就最高。

Coss放电是在mosfET开通时放电还是有其他回路？？Coss是电阻性质的电容，本身也是要消耗能量的

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LV.3

13

2013-01-24 22:47

@瞌睡虫

主要是MOS管的CISS在作怪[图片]

跟变压器的分布电容关系也很大啊，我试过只改变变压器的绕制顺序就可以控制这个电流尖峰。

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LV.8

14

2013-01-25 00:17

开通电流尖峰由三部分组成：
(1) 变压器初级绕组的层间电容充电电流。
(2) MOSFET漏源极电容的放电电流。
(3) 工作在CCM模式的输出二极管的反向恢复电流。

（以上文字及图摘自网友ADLsong的帖子）

前两项很显然和输入电压有关 ~

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LV.6

15

2013-01-25 08:11

@瞌睡虫

你可以理解为CISS电容为DS之间的等效电容，当G级每个周期从低电平跳转为高电平的时候，CISS的储能要通过MOS管放电，所以，在MOS管关断的期间，加在MOS管上的电压越高，这个CISS的储能电压也就越高，自然，放电的时候电流峰值就会越高，又因为在MOS管关断的时候，其DS电压等于VIN（DC)+折射电压，所以，在264V的时候，VIN(DC)最大，DS电压也就最大，CISS的放电电流峰值也就最高。

我也碰到过这样的波形。处理方式主要有两种，第一改变变压器的绕法，每层绕制都加一层胶带，这样可以减少变压器的等效结电容。第二种就是加Y电容。我做过实验，加Y电容的效果更佳！但是我就是解释不通为什么，兄台能否指点一二？

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LV.5

16

2013-01-25 08:50

@一点点蓝

我也碰到过这样的波形。处理方式主要有两种，第一改变变压器的绕法，每层绕制都加一层胶带，这样可以减少变压器的等效结电容。第二种就是加Y电容。我做过实验，加Y电容的效果更佳！但是我就是解释不通为什么，兄台能否指点一二？

是Coss和漏感产生了谐振？？？加Y电容，滤掉了共模信号？？

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LV.5

17

2013-01-25 10:20

@mko145

开通电流尖峰由三部分组成：(1)变压器初级绕组的层间电容充电电流。(2)MOSFET漏源极电容的放电电流。(3)工作在CCM模式的输出二极管的反向恢复电流。[图片] （以上文字及图摘自网友ADLsong的帖子）前两项很显然和输入电压有关~

Very good

电容的储能=0.5*C*U*U，所以当然是电压越高，尖峰越大拉

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LV.6

18

2013-01-25 10:44

@mko145

开通电流尖峰由三部分组成：(1)变压器初级绕组的层间电容充电电流。(2)MOSFET漏源极电容的放电电流。(3)工作在CCM模式的输出二极管的反向恢复电流。[图片] （以上文字及图摘自网友ADLsong的帖子）前两项很显然和输入电压有关~

very very good！

继续问一下，那尖峰的持续时间和输入电压有关系么？和IC的驱动能力又有关系么？

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LV.6

19

2013-01-25 13:46

@735575630

是Coss和漏感产生了谐振？？？加Y电容，滤掉了共模信号？？

不相信？？？但是事实就是那样。

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