说明：条件，单极PFC电源，输入电容为小容量薄膜电容
问题一：
1、开机瞬间测试是 AC source先开，后开开关观察此时的波形吗？（不同的开关对MOS VDS有影响）
还是开关一直开着，AC source设为90度开机后，再开AC source测量此时的MOS VDS 呢？
2、用不同功率的AC source冲击为什么测试 MOS VDS尖峰相差很大？
问题二：开机瞬间，此时VCC还未建立，IC未工作，MOS也未导通（测试此时MOS电流为零），
但此时MOS VDS会有一个很大的尖峰（超出VDSS max),这个电压是否会击穿MOS？
（不停开关测试多台未发现击穿现象）
