FQPF3N80C

 

FQPF3N80

800V N沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的

,平面条形,DMOS技术.

这种先进的技术已特别针对最大限度地减少通态电阻,提供出色的

开关性能,并能承受高能量脉冲雪崩和换向模式.这些器件非常适

用于高效率开关模式电源.

TM

特点

1.8A, 800V, R

DS(on)

= 5.0Ω @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型值15 NC）

低Crss（典型值7.0 pF的）

快速开关

100％雪崩测试

改进dv / dt能力