FQP12N60C,FQPF12N60C,仙童的老版本

FQP12N60

600V N沟道MOSFET

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的

,平面条形,DMOS技术.

这种先进的技术已特别针对最大限度地减少通态电阻,提供出色的

开关性能,并能承受高能量脉冲雪崩和换向模式.这些器件非常适

用于高效率开关模式电源.

特点

10.5A, 600V, R

DS(on)

= 0.7

Ω

@ V

= 10 V

低栅极电荷（典型42 nC的）

低Crss（典型值为25 pF的）

快速开关

100％雪崩测试

改进dv / dt能力

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LV.2

2013-07-06 16:58

仙童的老版本不是没有了吗？出来一个新版本FDPF12N60NZ,晶元小了很多，功率达不到；有一款韩国品牌PFF12N65 TO220F RDN(on)=0.46,比仙童，ST的0.65还要低，而且价格便宜，13543340553 王生

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