1、我司SM7523是单芯片的封装，对封装制程工艺要求低、简单、可靠性好！
2、我司SM7523是700V高压MOS工艺，耐压值可以做到700V以上，我司的成测指标是：730V的标准。
3. 芯片采用高压内部自启动电路，解决外部高压电阻启动的弊端（如：失效、炸机、高压放电）等不稳定的因素。
4. 芯片内部VDD智能供电电路，解决VDD外部供电问题，对电容的要求不高（如：电容耐压、容值、ESR\ESL）。
5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W，不管什么颜色的灯珠都可以兼容。
6、我司SM7523在3*1W中，效率高达80%。
