请教如何消除MOSFET关断瞬间的尖蜂电压

加TVS ESD器件行不?

很多种办法
1、原则上以减小变压器漏感为主,尽量采用三明治绕法.用中心柱比较长的磁芯,副边用三层绝缘线(就可以不用控端胶带了),这样可以增加原副边的耦合性能.
2、在Snab回路上加TVS是好办法,关键是功率比较大时TVS是不是过热.可以加RC再加TVS.
3、减小Vor
4、用慢速二极管作Snab的反向释放二极管,如果这颗二极管过热,可以串一个2R-10R/2W的电阻.(最近比较流行).
5、用耐压更高的mos,你用900V的MOS基本不会烧.

感谢大家对我的指导,请问楼上1.变压器漏感对瞬间高压影响很大吗,我是做Boost电路的PFC,AC是经过调压器后再整流输入的;2.在Snab回路加TVS的意思是在MOSFET两端加反并联的TVS二极管吗?RC是怎么加的,是和TVS串联吗?3.Vor是什么电压;4.MOSFET内部已经有一个反向二极管了,还要再加一个慢速反向释放二极管吗?这是什么原理呢.小弟再次谢过了...

你的PFC电路是隔离的吧

是隔离的,能解释一下具体方法吗

1从驱动信号.2变压器3功率

加RC吸收.并联

wbj098你好,请问你说的是什么意思,是从这三方面考虑降低尖蜂电压吗,能说的具体些吗?我也加了RC吸收了,但效果不是很理想,只是对振荡的抑制比较好,尖蜂电压还是较高.

现在加了RC吸收后情况好了许多,但是电阻的温升太大了,担心再加电压运行下去会烧掉电阻,哪位高手指点一下如何处理这种情况.

你的电阻几W的啊 建议换大功率电阻

我已经用了10W的电阻了啊,不知这么做下去行不行

10W?这么高啊,一般2W的绰绰有余了,请问你的BOOST升压的电压为多大?

MOS的G的VPP多高.波形是否正常.是多少功率.

我也觉得2或3W就够了,可是发热厉害只能用10W的,Boost升压电压要作到380V,因为现在MOSFET上的尖蜂电压太大,所以Boost电压还没上到那么大.

MOS的DS尖蜂电压一般比正常关断电压高出一倍多,比如正常关断电压为100V的话,VPP就达到200多V了,这样MOS肯定受不了.波形加了RC吸收后已经比较正常了,功率现在还没加太大,估计也就是几十W的样子.

帖图出来 比较好分析

Adjust MOSFET driver resistor

兄弟,你的PFC电路隔离?能不能发个原理图上来看一下,我也学习一下.谢了!