漏感引起的尖峰电压这部分电压不会损坏MOSFET?

碰到一牛人,用600V的MOSFET在一反激电路中,测试时Vds电压710V(含尖峰电压),说只要减掉尖峰电压部分不超过600V就没问题!是真的吗?请高手指点,谢谢!

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jameszeng

LV.4

2004-09-10 10:16

那就得看这710V是在什么条件下抓到的

base

LV.2

2004-09-10 10:57

@jameszeng

那就得看这710V是在什么条件下抓到的

满载输出20V/6A,前级PFC输出380V,楼上的,谢谢回答!

jameszeng

LV.4

2004-09-10 10:59

@base

满载输出20V/6A,前级PFC输出380V,楼上的,谢谢回答!

在我看来,是不能接受的

老狼

LV.8

2004-09-10 11:02

太危险了,不要说MOSFET留点余量了.

如果这样,你这个电源的MTBF肯定很低.

base

LV.2

2004-09-10 11:07

@老狼

太危险了,不要说MOSFET留点余量了.如果这样,你这个电源的MTBF肯定很低.

谢了!据说此人是台湾一专业电源公司RD,似乎挺要面子,我无法说服他!

老狼

LV.8

2004-09-10 11:12

@base

谢了!据说此人是台湾一专业电源公司RD,似乎挺要面子,我无法说服他!

是吗?
知错就改,是好孩子嘛!

LV.1

2004-09-10 11:19

其实,很多公司都这样用的,因为如果质量好的MOS本身就有一定的余量,而且,还可以利用管子本身雪崩击穿的能量,因此,他的话是有道理的.

base

LV.2

2004-09-10 11:25

其实,很多公司都这样用的,因为如果质量好的MOS本身就有一定的余量,而且,还可以利用管子本身雪崩击穿的能量,因此,他的话是有道理的.

不是很明白,怎么利用雪崩击穿能量?看一些资料说,重复性雪崩击穿引起的功率耗散会对MOSFET造成严重破坏,怎么解释?谢谢DX!

jhf123

LV.4

2004-09-10 16:00

这个710V电压主要看是在什么样的情况下得到的.
一般来说, 高压MOSFET的Vds在测试时瞬间峰值是最高的.如果710V是瞬间电压, 正常工作时的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量), 应该是没有问题的.如果在正常工作时电压是710V(含尖峰电压), 那肯定是有问题的, 至少MTBF是不行的.

在开机, 关机, 或是短路时, 尽管瞬间峰值电压大于MOSFET的额定值, 但时间很短,一般是不会炸MOSFET的, 但峰值也不能太高.我做了量产很大的机, 900V的MOSFET, 在短路时峰值达到1050V,正常工作是是780V. 没有问题.还有一款电源, 也是120W, 用600V的MOSFET,刚开始做短路测试时老是炸MOSFET,一测试发现在起机瞬间Vds是800V,短路时是1000V.后来该了设计,也就OK了. 毕竟,对于100多瓦的电源, 用大于600V的MOSFET, 不是一个好的设计.
楼上老兄说的, 我想应该是我说的瞬间峰值电压吧.

hereliu

LV.8

2004-09-10 20:11

其实,很多公司都这样用的,因为如果质量好的MOS本身就有一定的余量,而且,还可以利用管子本身雪崩击穿的能量,因此,他的话是有道理的.

雪崩击穿?雪崩击穿一来,热击穿立即就跟来了,除非你串了很大的限流电阻,否则,你如何限制MOS的功率使其不超出安全工作区?

king-骑士

LV.7

2004-09-11 10:33

看了你的贴子有个疑问.就是说.他的尖峰电压是710V那么他的嵌位电路是的嵌位电压是多少呢?
嵌位不保护MOS管吗?

king-骑士

LV.7

2004-09-11 10:34

@jhf123

这个710V电压主要看是在什么样的情况下得到的.一般来说,高压MOSFET的Vds在测试时瞬间峰值是最高的.如果710V是瞬间电压,正常工作时的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量),应该是没有问题的.如果在正常工作时电压是710V(含尖峰电压),那肯定是有问题的,至少MTBF是不行的.在开机,关机,或是短路时,尽管瞬间峰值电压大于MOSFET的额定值,但时间很短,一般是不会炸MOSFET的,但峰值也不能太高.我做了量产很大的机,900V的MOSFET,在短路时峰值达到1050V,正常工作是是780V.没有问题.还有一款电源,也是120W,用600V的MOSFET,刚开始做短路测试时老是炸MOSFET,一测试发现在起机瞬间Vds是800V,短路时是1000V.后来该了设计,也就OK了.毕竟,对于100多瓦的电源,用大于600V的MOSFET,不是一个好的设计.楼上老兄说的,我想应该是我说的瞬间峰值电压吧.

看了你的贴子有个疑问.就是说.他的尖峰电压是710V那么他的嵌位电路是的嵌位电压是多少呢?
嵌位不保护MOS管吗?

hotsps

LV.7

2004-09-11 16:52

@king-骑士

看了你的贴子有个疑问.就是说.他的尖峰电压是710V那么他的嵌位电路是的嵌位电压是多少呢?嵌位不保护MOS管吗?

鉗位反應沒這麼快

king-骑士

LV.7

2004-09-21 08:55

@hotsps

鉗位反應沒這麼快

那一般我们的嵌位电路不就是保护MOS管的吗?
他的做用不就是把电路嵌位到嵌位电压的范围内.防止变压器产生的尖逢电压超过一定的电压.从而保护MOS管吗?

goldfish

LV.2

2004-09-21 12:28

@base

不是很明白,怎么利用雪崩击穿能量?看一些资料说,重复性雪崩击穿引起的功率耗散会对MOSFET造成严重破坏,怎么解释?谢谢DX!

其实就是你的尖峰能量小于mos管的雪崩击穿能量的话,就没有问题

今天的明天

LV.5

2004-09-21 12:36

@jhf123

这个710V电压主要看是在什么样的情况下得到的.一般来说,高压MOSFET的Vds在测试时瞬间峰值是最高的.如果710V是瞬间电压,正常工作时的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量),应该是没有问题的.如果在正常工作时电压是710V(含尖峰电压),那肯定是有问题的,至少MTBF是不行的.在开机,关机,或是短路时,尽管瞬间峰值电压大于MOSFET的额定值,但时间很短,一般是不会炸MOSFET的,但峰值也不能太高.我做了量产很大的机,900V的MOSFET,在短路时峰值达到1050V,正常工作是是780V.没有问题.还有一款电源,也是120W,用600V的MOSFET,刚开始做短路测试时老是炸MOSFET,一测试发现在起机瞬间Vds是800V,短路时是1000V.后来该了设计,也就OK了.毕竟,对于100多瓦的电源,用大于600V的MOSFET,不是一个好的设计.楼上老兄说的,我想应该是我说的瞬间峰值电压吧.

MTBF是什么亚,不要嫌我无知啊

今天的明天

LV.5

2004-09-21 12:41

@jhf123

这个710V电压主要看是在什么样的情况下得到的.一般来说,高压MOSFET的Vds在测试时瞬间峰值是最高的.如果710V是瞬间电压,正常工作时的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量),应该是没有问题的.如果在正常工作时电压是710V(含尖峰电压),那肯定是有问题的,至少MTBF是不行的.在开机,关机,或是短路时,尽管瞬间峰值电压大于MOSFET的额定值,但时间很短,一般是不会炸MOSFET的,但峰值也不能太高.我做了量产很大的机,900V的MOSFET,在短路时峰值达到1050V,正常工作是是780V.没有问题.还有一款电源,也是120W,用600V的MOSFET,刚开始做短路测试时老是炸MOSFET,一测试发现在起机瞬间Vds是800V,短路时是1000V.后来该了设计,也就OK了.毕竟,对于100多瓦的电源,用大于600V的MOSFET,不是一个好的设计.楼上老兄说的,我想应该是我说的瞬间峰值电压吧.

是呀,钳位为什么不起作用呢?

zgh468

LV.2

2004-09-21 13:33

@今天的明天

MTBF是什么亚,不要嫌我无知啊

mean time between failure 平均無故障間隔時間

eastlaker

LV.4

2004-09-21 14:47

@jhf123

这个710V电压主要看是在什么样的情况下得到的.一般来说,高压MOSFET的Vds在测试时瞬间峰值是最高的.如果710V是瞬间电压,正常工作时的Vds是小于600V(一般取1.2倍以上的余量),应该是没有问题的.如果在正常工作时电压是710V(含尖峰电压),那肯定是有问题的,至少MTBF是不行的.在开机,关机,或是短路时,尽管瞬间峰值电压大于MOSFET的额定值,但时间很短,一般是不会炸MOSFET的,但峰值也不能太高.我做了量产很大的机,900V的MOSFET,在短路时峰值达到1050V,正常工作是是780V.没有问题.还有一款电源,也是120W,用600V的MOSFET,刚开始做短路测试时老是炸MOSFET,一测试发现在起机瞬间Vds是800V,短路时是1000V.后来该了设计,也就OK了.毕竟,对于100多瓦的电源,用大于600V的MOSFET,不是一个好的设计.楼上老兄说的,我想应该是我说的瞬间峰值电压吧.

开关机时出现的电压尖峰应该被限制在什么范围呢?
大家有没有这方面的经验?