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200W反激电源屡烧MOS,请教高手和前辈.

一个200W左右的3842反激电源,输出60V3A,有风扇对流散热,但满载输出都是不超过20分钟就烧了MOS,参数如下:
变压器是EC35,Np:Ns=68:40,Lp=560uH,MOS是10N60,RCD是:36K+103M+FR207,工作频率120K.
烧机的时候测试各温度是:
变压器89度,MOS 95度,输出二极管67度,就是RCD的FR207非常烫,PCB都焦了(还不是黄).
不知道MOS应该是二次尖峰击穿还是高温电流过大烧的,但不知道问题出在哪里?
还请各位能帮小弟我分析一下,谢谢了!
全部回复(13)
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2006-08-27 10:18
200W的反激有点难做.MOS上的尖峰测试过有没有超标?FR207那么热,是不是已经损坏了,RCD不起作用了,然后烧坏MOS.
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cnpower
LV.6
3
2006-08-27 10:18
工作时,你36K电阻上电压多少?
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2006-08-27 14:30
@anson_wong
200W的反激有点难做.MOS上的尖峰测试过有没有超标?FR207那么热,是不是已经损坏了,RCD不起作用了,然后烧坏MOS.
测试过FR207的,还是好的,就是从PCB变焦的情况看好像电流很大,觉得消磁电流不正常.
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2006-08-27 14:32
@cnpower
工作时,你36K电阻上电压多少?
好的,回头我量一下再告诉你.
另外,你是否怀疑我的RCD参数有问题?增大R是否会好点儿?
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cnpower
LV.6
6
2006-08-27 14:34
@百无聊赖
好的,回头我量一下再告诉你.另外,你是否怀疑我的RCD参数有问题?增大R是否会好点儿?
不是怀疑,RCD可以简单判断变压器的工作状态
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coming.lu
LV.6
7
2006-08-27 14:49
我之前做过个100W反激来玩,RCD那里都用了两个33K并联.
你的200W才用36K,太大了吧?
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2006-08-27 20:44
@coming.lu
我之前做过个100W反激来玩,RCD那里都用了两个33K并联.你的200W才用36K,太大了吧?
如此说来,改小R后,D的电流不是更大?难道我需要也并联两个FR207?

还有,今天下午我把变压器的气隙增大了,将感量减小到450uH左右了,在2.5A测试时对比温度比之前在2.5A测试时要低一些了,难道是变压器参数问题?

但之前的550uH时烧机时变压器也不算烫啊,线包92度,磁芯87度,还有观察电流没有不稳的情况,不像是饱和了啊???
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2006-08-27 21:12
@百无聊赖
如此说来,改小R后,D的电流不是更大?难道我需要也并联两个FR207?还有,今天下午我把变压器的气隙增大了,将感量减小到450uH左右了,在2.5A测试时对比温度比之前在2.5A测试时要低一些了,难道是变压器参数问题?但之前的550uH时烧机时变压器也不算烫啊,线包92度,磁芯87度,还有观察电流没有不稳的情况,不像是饱和了啊???
有2个可能:
1, mosfet 反压太高. 尖峰产生雪崩能量太高.
2, 变压器磁饱和, 先算一下Bmax看.
第2种可能性比较大.
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wxy2003
LV.4
10
2006-10-11 00:28
@deep_thought
有2个可能:1,mosfet反压太高.尖峰产生雪崩能量太高.2,变压器磁饱和,先算一下Bmax看.第2种可能性比较大.
有道理

最主要是要找到反压太高和尖峰高的原因
你的结果有助于我的产品同样类似问题的解决
不过稍有点不同,我的产品是如果风冷的话就可以长期工作
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LV.2
11
2006-10-11 10:00
@wxy2003
有道理最主要是要找到反压太高和尖峰高的原因你的结果有助于我的产品同样类似问题的解决不过稍有点不同,我的产品是如果风冷的话就可以长期工作
可以试一下我们的SIC肖特基整流,它没有反向恢复时间所以就没有反向的一个电压尖峰,同时几乎没有开关损耗.也降低了各个器件的温度特别是MOS管的温度,谢谢13590330343(吴)
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2006-10-11 10:44
估计是RCD参数设计不当,电阻太小了,应选大点的电阻,最好两个电阻并联;电容大了,应选小点的几nF,再试试
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hy.power
LV.5
13
2006-10-11 19:27
从你的Lp=560uF来看,你这个电源可以断定是工作在连续状态的,这么大的功率,用10N60肯定是不行的.
给你点建议:
1:好好调一下T的匝比,降低二次反峰的高度,再调低Lp的值,使10N60的温度尽量低.
2:在1的基础上最好换用内阻低的MOS管.
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开拓者1
LV.8
14
2006-10-11 19:30
@hy.power
从你的Lp=560uF来看,你这个电源可以断定是工作在连续状态的,这么大的功率,用10N60肯定是不行的.给你点建议:1:好好调一下T的匝比,降低二次反峰的高度,再调低Lp的值,使10N60的温度尽量低.2:在1的基础上最好换用内阻低的MOS管.
根本原因就是反激不适合作大功率,反激做到100W以上时,问题就开始出来了,100W以下,问题就不多.
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