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功率管D-S极击穿是什么问题啊?

我的电路图在http://bbs.dianyuan.com/topic/10672
功率管irf260耐压200V导通电流50A.
每次烧管都是DS两极已经导通了.一般是什么原因啊.
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3v300a
LV.4
2
2004-09-14 08:40
没人回答啊,自己顶.急啊.
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mr.gjd
LV.4
3
2004-09-14 08:59
@3v300a
没人回答啊,自己顶.急啊.
呵呵,这里的人看不起新手!击穿与烧管原因不同但结果一样:D-S短路.如何区别?不知道:)
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2004-09-14 09:17
@3v300a
没人回答啊,自己顶.急啊.
一点经验,只D-S通,由于电流大造成,G-D-S都通,由于电压高引起
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mr.gjd
LV.4
5
2004-09-14 09:22
@智慧大头
一点经验,只D-S通,由于电流大造成,G-D-S都通,由于电压高引起
呵呵,到底这个头没白大!
刚巧击穿和刚巧烧管是这样,猛烈的话大概就一塌糊涂了:)
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ic_fan
LV.3
6
2004-09-14 09:32
@智慧大头
一点经验,只D-S通,由于电流大造成,G-D-S都通,由于电压高引起
如果只有G-S导通,什么原因啊?
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chc-2004
LV.5
7
2004-09-14 09:57
根据我的经验是电流过大烧毁.有时是平均电流过大,管子发烫,超过管子的允许温度而烧毁,可能G、D、S三极短路;有时是瞬时电流过大,管子不热,D、S两极短路.
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3v300a
LV.4
8
2004-09-14 10:30
@chc-2004
根据我的经验是电流过大烧毁.有时是平均电流过大,管子发烫,超过管子的允许温度而烧毁,可能G、D、S三极短路;有时是瞬时电流过大,管子不热,D、S两极短路.
谢谢大家,可惜没加分了要不一定给大家加分.
可是管子耐电流200A,温度可到175度.
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2004-09-14 11:37
你去计算一下你的Id电流,就知道为什么烧毁了.
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costdown
LV.5
10
2004-09-14 12:22
@howard_zhang
你去计算一下你的Id电流,就知道为什么烧毁了.
我来问个深点的问题,一个mos管,我没加散热片,ds没击穿,加了散热片就穿了,为什么?
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3v300a
LV.4
11
2004-09-14 12:46
@howard_zhang
你去计算一下你的Id电流,就知道为什么烧毁了.
昨天也有人让我算,但我还是不明白,您能直接告诉我为什么吗?
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2004-09-14 14:54
@costdown
我来问个深点的问题,一个mos管,我没加散热片,ds没击穿,加了散热片就穿了,为什么?
是不是散热片与那里短路了?
不然没有道理呀?
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costdown
LV.5
13
2004-09-14 15:04
@howard_zhang
是不是散热片与那里短路了?不然没有道理呀?
散热片当然没短路了,接地的呵呵.换个额定电流值大点的mos管就没问题.
应该是电流击穿.
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mr.gjd
LV.4
14
2004-09-14 15:17
@costdown
我来问个深点的问题,一个mos管,我没加散热片,ds没击穿,加了散热片就穿了,为什么?
我也来试试,是否电流接近临界极限,不加散热Rds随温升起了限流作用;
加了散热反而让电流无遮拦地上去了?
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sunyi0219
LV.5
15
2004-09-14 16:30
@costdown
散热片当然没短路了,接地的呵呵.换个额定电流值大点的mos管就没问题.应该是电流击穿.
可是IRF260的瞬时电压可以达到200A,怎么会是电流问题呢?
能解释一下吗?
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sunyi0219
LV.5
16
2004-09-14 16:31
@mr.gjd
我也来试试,是否电流接近临界极限,不加散热Rds随温升起了限流作用;加了散热反而让电流无遮拦地上去了?
要是这么说岂不是大家都不需要散热器了.
肯定是没道理的.
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costdown
LV.5
17
2004-09-14 16:42
@mr.gjd
我也来试试,是否电流接近临界极限,不加散热Rds随温升起了限流作用;加了散热反而让电流无遮拦地上去了?
不是这样的,是一开机就击穿.我觉得偶合电容起了作用.
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ken21cn
LV.8
18
2004-09-14 17:58
@ic_fan
如果只有G-S导通,什么原因啊?
说明VGS过大,击穿了绝缘层
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mr.gjd
LV.4
19
2004-09-14 18:07
@costdown
不是这样的,是一开机就击穿.我觉得偶合电容起了作用.
哈哈,不懂不懂!
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2004-09-14 18:53
@costdown
我来问个深点的问题,一个mos管,我没加散热片,ds没击穿,加了散热片就穿了,为什么?
根据你说的情况,我想做一下推想.如果我们是共源接法的话,当加入散热片,假设比较大的话,D-S极间的电容就会增大,当有过高的DV/DT加入,就会容易使其击穿,我相信如果大家对于MOS的构造熟悉的话,应该会想到的.我没有遇到过类似问题,只是鄙人的拙见.
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