500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1157957645.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1157957747.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
本人是研一电力电子专业学生,正进行单周控制实验,使用了IR1150,按照IR公司提供的300瓦范例实验,电路板布局和实验参数都是参照其中,可是实验效果却不理想.存在三个问题.
1.谐波电流大,这是我的图形,IR公司作出的电路也没采用电流缓冲电路 为何电流波形很好呢
2.电路设计目标是输入85-265伏,输出385伏,按理说应该在输入范围内输出都是385伏,可是我的电路在芯片刚开始工作时输出仅为200伏,随着输入电压的增大,输出也增大.我不知道这是什么原因,输出电压的大小应该是与分压电阻有关啊,怎么会变化呢.
3.我用的MOSFET是20安 500伏的 可是我的电路工作时它总会烧掉,显示输出是300伏,看样子电流也不大 为什么烧掉了 我想不明白
以上是我不解之处,希望对单周控制有所了解的朋友能不吝赐教,救我于水火之中.谢谢了
关于单周控制芯片IR1150使用求助
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希望有能之士能帮帮我啊 我现在把我电路的详细情况发上来
Lbst 用铁氧体芯 560uH
D2 未使用 应该是减少电路工作瞬时电流冲击
开关管 使用了1020 20安耐流 500伏耐压
Rs 0.1欧 无感电阻 3w
D7 R7 R9 改善开关管通断情况
Rsf Csf 对检测电阻滤波
Rf 87k 设置开关频率为100Khz
D8 改善工作情况
C9 C10 对直流供电进行滤波
Cz Cp Rgm 电压环反馈
Rovp1 Rovp2 Rfb1 Rfb2 510k
Rovp3 Rfb3 12k
Rv1 Rv2 用可调电阻 以便对直流输出情况进行调节
Rovp3+Rv2 为过电压保护电阻
Rfb3+Rv1为输出分压电阻
Vout 后接500瓦 600欧电阻500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158115699.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158115785.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
Lbst 用铁氧体芯 560uH
D2 未使用 应该是减少电路工作瞬时电流冲击
开关管 使用了1020 20安耐流 500伏耐压
Rs 0.1欧 无感电阻 3w
D7 R7 R9 改善开关管通断情况
Rsf Csf 对检测电阻滤波
Rf 87k 设置开关频率为100Khz
D8 改善工作情况
C9 C10 对直流供电进行滤波
Cz Cp Rgm 电压环反馈
Rovp1 Rovp2 Rfb1 Rfb2 510k
Rovp3 Rfb3 12k
Rv1 Rv2 用可调电阻 以便对直流输出情况进行调节
Rovp3+Rv2 为过电压保护电阻
Rfb3+Rv1为输出分压电阻
Vout 后接500瓦 600欧电阻500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158115699.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158115785.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@liuchen820220
希望有能之士能帮帮我啊我现在把我电路的详细情况发上来Lbst用铁氧体芯560uHD2未使用应该是减少电路工作瞬时电流冲击开关管使用了102020安耐流500伏耐压Rs0.1欧无感电阻3wD7R7R9改善开关管通断情况RsfCsf对检测电阻滤波Rf87k设置开关频率为100KhzD8改善工作情况C9C10对直流供电进行滤波CzCpRgm电压环反馈Rovp1Rovp2Rfb1Rfb2510kRovp3Rfb312kRv1Rv2用可调电阻以便对直流输出情况进行调节Rovp3+Rv2为过电压保护电阻Rfb3+Rv1为输出分压电阻Vout后接500瓦600欧电阻[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158115699.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158115785.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
MOS使用散热器了吗
20A的有些小
你先使用600V的管子,测一下VDS的峰值
20A的有些小
你先使用600V的管子,测一下VDS的峰值
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@大小二琦
可以到IR的网站上模拟!那有这颗芯片的模拟软件!
1、MOSFET是工作中烧掉还是大多启动烧掉.如果是启动,就是浪涌电流.一般学生做实验基本上不会加启动电路,所以直接上电很容易烧.经验是用一个调压器,慢慢给电,等输出电容充饱了再给PFC芯片.
如果是工作中烧掉,首先感受下温度,过温度烧掉,是因为管子的额定电流过小.不过你的300W电路,20A的管子足够,可以测试下管子的瞬时电流,看看有没有瞬时尖峰.估计是因为二极管的反向恢复尖峰没有控制好而烧毁.
2、IR1150的特点是LAYOUT比较难,电流采样易受干扰.调试起来比较麻烦.看运气之外一定注意几点.首先是供电的去藕电容一定要好.一定要近,令外电流采样的滤波一定要好.
如果是工作中烧掉,首先感受下温度,过温度烧掉,是因为管子的额定电流过小.不过你的300W电路,20A的管子足够,可以测试下管子的瞬时电流,看看有没有瞬时尖峰.估计是因为二极管的反向恢复尖峰没有控制好而烧毁.
2、IR1150的特点是LAYOUT比较难,电流采样易受干扰.调试起来比较麻烦.看运气之外一定注意几点.首先是供电的去藕电容一定要好.一定要近,令外电流采样的滤波一定要好.
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@jurda
1、MOSFET是工作中烧掉还是大多启动烧掉.如果是启动,就是浪涌电流.一般学生做实验基本上不会加启动电路,所以直接上电很容易烧.经验是用一个调压器,慢慢给电,等输出电容充饱了再给PFC芯片. 如果是工作中烧掉,首先感受下温度,过温度烧掉,是因为管子的额定电流过小.不过你的300W电路,20A的管子足够,可以测试下管子的瞬时电流,看看有没有瞬时尖峰.估计是因为二极管的反向恢复尖峰没有控制好而烧毁.2、IR1150的特点是LAYOUT比较难,电流采样易受干扰.调试起来比较麻烦.看运气之外一定注意几点.首先是供电的去藕电容一定要好.一定要近,令外电流采样的滤波一定要好.
也有同感,这个片子应用的最难之处就是LAYOUT,我原来也碰到各种各样的问题,后来割了好多铜箔,接了几条飞线,总算是可以了,现在230V的效率在95%,不知道还有没有可能再提高一些,PF=0.998
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@jurda
1、MOSFET是工作中烧掉还是大多启动烧掉.如果是启动,就是浪涌电流.一般学生做实验基本上不会加启动电路,所以直接上电很容易烧.经验是用一个调压器,慢慢给电,等输出电容充饱了再给PFC芯片. 如果是工作中烧掉,首先感受下温度,过温度烧掉,是因为管子的额定电流过小.不过你的300W电路,20A的管子足够,可以测试下管子的瞬时电流,看看有没有瞬时尖峰.估计是因为二极管的反向恢复尖峰没有控制好而烧毁.2、IR1150的特点是LAYOUT比较难,电流采样易受干扰.调试起来比较麻烦.看运气之外一定注意几点.首先是供电的去藕电容一定要好.一定要近,令外电流采样的滤波一定要好.
谢谢你们啊 你们说的挺全面 很有道理啊 帮我看看布局有没有问题吧 在上面帖出来了,还有,我不知道怎么测管子的瞬时电流,就连测输入交流我都是用串电阻测其电压的方法,好象不是很好.
再问个可能很弱智的问题:单周控制的文章很多,关于Vm的介绍说是Rs乘以Vo再除Re,输出分压同基准电压经过误差放大器比较后也是Vm,我不知道这二者是怎么联系上的?万望各位前辈能给予解答,我看了很多文章都是讲的很模糊
再问个可能很弱智的问题:单周控制的文章很多,关于Vm的介绍说是Rs乘以Vo再除Re,输出分压同基准电压经过误差放大器比较后也是Vm,我不知道这二者是怎么联系上的?万望各位前辈能给予解答,我看了很多文章都是讲的很模糊
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@liuchen820220
谢谢你们啊你们说的挺全面很有道理啊帮我看看布局有没有问题吧在上面帖出来了,还有,我不知道怎么测管子的瞬时电流,就连测输入交流我都是用串电阻测其电压的方法,好象不是很好.再问个可能很弱智的问题:单周控制的文章很多,关于Vm的介绍说是Rs乘以Vo再除Re,输出分压同基准电压经过误差放大器比较后也是Vm,我不知道这二者是怎么联系上的?万望各位前辈能给予解答,我看了很多文章都是讲的很模糊
给点东西你看下吧.有什么问题再讨论.1158226699.pdf
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@liuchen820220
麻烦能不能给我讲解为什么我的输出电压不能在电路工作后立即上升到385伏,只有200伏,随着输入电压的增大它才会增加是因为交流侧电阻大么?
这说明Boost电路的升压环节工作不正常.
其原因可能有:
1, 电压环分压电阻设定有误----不过一般这种错误应该不会犯
2, 电压环路工作不正常,环路设计不良-----使用例子中给的补偿RC参数一般是没问题的.
3, 电流环工作不正常影响了电压环的工作----最常见的问题,电流采样信号不良需要改善滤波和LAYOUT,电流采样电阻过大.
检查方法:
1, 首先确定1150的驱动有输出,检查Isense Pin的负电压没有超过该脚电压门限,好像是1V.其实采样电阻的选择并无需按照峰值电流和ISENSE的电压门限来选.电阻选择小一些有好处.功耗小.调试时候也避免电流环的问题.不过危险是没有使用芯片提供的峰值电流限制功能.设计不好容易烧MOSFET.
2, 调整输入电压,同时调整负载.如果在某个点你的PFC可以工作正常.就说明PFC环路设计有缺陷.
其原因可能有:
1, 电压环分压电阻设定有误----不过一般这种错误应该不会犯
2, 电压环路工作不正常,环路设计不良-----使用例子中给的补偿RC参数一般是没问题的.
3, 电流环工作不正常影响了电压环的工作----最常见的问题,电流采样信号不良需要改善滤波和LAYOUT,电流采样电阻过大.
检查方法:
1, 首先确定1150的驱动有输出,检查Isense Pin的负电压没有超过该脚电压门限,好像是1V.其实采样电阻的选择并无需按照峰值电流和ISENSE的电压门限来选.电阻选择小一些有好处.功耗小.调试时候也避免电流环的问题.不过危险是没有使用芯片提供的峰值电流限制功能.设计不好容易烧MOSFET.
2, 调整输入电压,同时调整负载.如果在某个点你的PFC可以工作正常.就说明PFC环路设计有缺陷.
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@jurda
这说明Boost电路的升压环节工作不正常.其原因可能有:1,电压环分压电阻设定有误----不过一般这种错误应该不会犯2,电压环路工作不正常,环路设计不良-----使用例子中给的补偿RC参数一般是没问题的.3,电流环工作不正常影响了电压环的工作----最常见的问题,电流采样信号不良需要改善滤波和LAYOUT,电流采样电阻过大.检查方法:1,首先确定1150的驱动有输出,检查IsensePin的负电压没有超过该脚电压门限,好像是1V.其实采样电阻的选择并无需按照峰值电流和ISENSE的电压门限来选.电阻选择小一些有好处.功耗小.调试时候也避免电流环的问题.不过危险是没有使用芯片提供的峰值电流限制功能.设计不好容易烧MOSFET.2,调整输入电压,同时调整负载.如果在某个点你的PFC可以工作正常.就说明PFC环路设计有缺陷.
谢谢你的指导 我的分压电阻设置是按照计算公式得来的,所不同的是分压电阻上面的两个电阻没有用样板用的499K,用了510K的 分压电阻也相应设置大了一些,另外我对电压环反馈设置有些迷惑,300瓦范例用的是1K 0.01U 0.33U,而IR公司的参数计算上用的是8.9K 0.001U 0.33U,我用了前者 是不是这的问题呢?我的驱动有输出,从波形看基本实现了功率因数校正,只是电流过零处变化过快(上面有图),我的电路工作情况是在输入75伏时 输出170伏(从输出波形上看纹波很小)增大输入电压后输出电压也在增大,输入110伏时,输出280伏,输入150伏时,管子就烧坏了(耐流20安,耐压500伏)真是让人头疼,还请您进一步指点啊 本人不胜感激(PCB图 电流波形上面有)
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@liuchen820220
谢谢你的指导我的分压电阻设置是按照计算公式得来的,所不同的是分压电阻上面的两个电阻没有用样板用的499K,用了510K的分压电阻也相应设置大了一些,另外我对电压环反馈设置有些迷惑,300瓦范例用的是1K0.01U0.33U,而IR公司的参数计算上用的是8.9K0.001U0.33U,我用了前者是不是这的问题呢?我的驱动有输出,从波形看基本实现了功率因数校正,只是电流过零处变化过快(上面有图),我的电路工作情况是在输入75伏时输出170伏(从输出波形上看纹波很小)增大输入电压后输出电压也在增大,输入110伏时,输出280伏,输入150伏时,管子就烧坏了(耐流20安,耐压500伏)真是让人头疼,还请您进一步指点啊本人不胜感激(PCB图电流波形上面有)
你好,请问驱动输出是在芯片上电后就有吗?还是外加AC达到一定电压后芯片8脚才有驱动脉冲输出,谢谢
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@liuchen820220
谢谢你的指导我的分压电阻设置是按照计算公式得来的,所不同的是分压电阻上面的两个电阻没有用样板用的499K,用了510K的分压电阻也相应设置大了一些,另外我对电压环反馈设置有些迷惑,300瓦范例用的是1K0.01U0.33U,而IR公司的参数计算上用的是8.9K0.001U0.33U,我用了前者是不是这的问题呢?我的驱动有输出,从波形看基本实现了功率因数校正,只是电流过零处变化过快(上面有图),我的电路工作情况是在输入75伏时输出170伏(从输出波形上看纹波很小)增大输入电压后输出电压也在增大,输入110伏时,输出280伏,输入150伏时,管子就烧坏了(耐流20安,耐压500伏)真是让人头疼,还请您进一步指点啊本人不胜感激(PCB图电流波形上面有)
你取的第一的控制参数是不稳定的,工作在100KHZ下你控制参数的微分环节就已经很大,引入了开关频率的影响,可以采用8.9K电阻的参数,或者就把你0.01u的电容调大(不划算)
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