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请打救我..做100W 的mos fet 很烫,烫到锡都会熔掉!!!

我是做模块100w的,想用前向型来做.用EPC25 的core 来做..mosfet 用TO-220 的包装的..效率都不错..但很烫..烫到mosfet 的锡都会熔掉.我该怎么办呢?是否,做100w的不可以用前向型呢??请指教!谢谢!
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LV.1
2
2006-09-13 17:53
晕,不可能效率很好吧~
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2006-09-13 18:06
@
晕,不可能效率很好吧~
请问81%的效率算好吗?
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LV.1
4
2006-09-13 18:25
@jerry_luk83
请问81%的效率算好吗?
很差了,就算是1.2v,也起码要85%吧,5v至少要92%-93%
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2006-09-13 18:57
你的MOS散热没解决好呀!!!!!!
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2006-09-14 15:37
@大唐之凤凰小筑
你的MOS散热没解决好呀!!!!!!
大哥们,谁能关照我ROYER CONVERTER设计的资料啊?
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2006-09-14 16:59
@jameszzy1970
大哥们,谁能关照我ROYERCONVERTER设计的资料啊?
什么是ROYER CONVERTER?中文名是?
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2006-09-14 17:04
@大唐之凤凰小筑
你的MOS散热没解决好呀!!!!!!
你觉得并联两三个MOSFET,你觉得好不好用?
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呆头鹅
LV.7
9
2006-09-14 21:56
多大体积?输入输出?实测效率?
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jerry_luk83
LV.4
10
2006-09-15 08:23
@呆头鹅
多大体积?输入输出?实测效率?
输入电压=10~15V.
输出电压=19V(5.2A)

效率在12V时,暂时有81%,体积是61mm x58mm x12.7mm
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尘风
LV.5
11
2006-09-15 09:43
@jerry_luk83
输入电压=10~15V.输出电压=19V(5.2A)效率在12V时,暂时有81%,体积是61mmx58mmx12.7mm
本来就可以嘛!一般电源就这几个部位热量大,把热量导出去不就好了!论电源技术,你还孙子呢?好心没好报!
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2006-09-15 17:43
@jerry_luk83
输入电压=10~15V.输出电压=19V(5.2A)效率在12V时,暂时有81%,体积是61mmx58mmx12.7mm
效率确实有点低,半砖体积,不用铝基板,不加散热,常温是很难烧住的,应该先提高效率.
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tired
LV.6
13
2006-09-15 21:28
@尘风
本来就可以嘛!一般电源就这几个部位热量大,把热量导出去不就好了!论电源技术,你还孙子呢?好心没好报!
第13贴哪个人,不懂电源,还满嘴脏话,你能做什么?
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amingda
LV.4
14
2006-09-16 08:01
你的MOS管驱动波形怎样?开关损耗大不大?热阻系数是多少?
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jerry_luk83
LV.4
15
2006-09-18 17:28
@amingda
你的MOS管驱动波形怎样?开关损耗大不大?热阻系数是多少?
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158570349.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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jerry_luk83
LV.4
16
2006-09-18 17:44
@amingda
你的MOS管驱动波形怎样?开关损耗大不大?热阻系数是多少?
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158572281.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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jerry_luk83
LV.4
17
2006-09-18 17:57
@amingda
你的MOS管驱动波形怎样?开关损耗大不大?热阻系数是多少?
为什么我的波形那么差呢?问题在?MOSFET用到不刚?还是变压器绕到不好?
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呆头鹅
LV.7
18
2006-09-18 21:04
@jerry_luk83
为什么我的波形那么差呢?问题在?MOSFET用到不刚?还是变压器绕到不好?
波形还行,MOS型号?
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amingda
LV.4
19
2006-09-18 23:16
@jerry_luk83
[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158570349.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
你的驱动信号的下降沿时间太长!上升沿也有阻尼震荡,降低驱动电阻试试!
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jerry_luk83
LV.4
20
2006-09-19 08:22
@amingda
你的驱动信号的下降沿时间太长!上升沿也有阻尼震荡,降低驱动电阻试试!
Rg(驱动电阻)已经是2.2Ohm了.
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jerry_luk83
LV.4
21
2006-09-19 10:02
@jerry_luk83
Rg(驱动电阻)已经是2.2Ohm了.
我用的MOSFET是MTP50N06V TO-220包装,适合吗?我的问题会是?
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jerry_luk83
LV.4
22
2006-09-19 10:03
@呆头鹅
波形还行,MOS型号?
我用的MOSFET是MTP50N06V TO-220包装,适合吗?我的问题会是?
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呆头鹅
LV.7
23
2006-09-19 13:00
@jerry_luk83
我用的MOSFET是MTP50N06VTO-220包装,适合吗?我的问题会是?
内阻大了
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jerry_luk83
LV.4
24
2006-09-19 13:41
@呆头鹅
内阻大了
请问您有什么型号的MOSFET 介绍给我用吗?
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呆头鹅
LV.7
25
2006-09-19 20:06
@jerry_luk83
请问您有什么型号的MOSFET介绍给我用吗?
z48
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jerry_luk83
LV.4
26
2006-09-20 14:07
@amingda
你的驱动信号的下降沿时间太长!上升沿也有阻尼震荡,降低驱动电阻试试!
请问一下,如果把铁心用较大的来做,可以的吗?如EE40.我发现用这个比较大的铁心来做好像波形会很差似的.用于过大的铁心来做,有什么要注意的呢?
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jerry_luk83
LV.4
27
2006-09-20 14:08
@呆头鹅
z48
请问一下,如果把铁心用较大的来做,可以的吗?如EE40.我发现用这个比较大的铁心来做好像波形会很差似的.用于过大的铁心来做,有什么要注意的呢?
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LV.1
28
2006-09-21 19:49
@jerry_luk83
请问一下,如果把铁心用较大的来做,可以的吗?如EE40.我发现用这个比较大的铁心来做好像波形会很差似的.用于过大的铁心来做,有什么要注意的呢?
用个好点的管子吧!
磁性越大那是会越好的,但是没有必要
你需要计算一下
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LV.1
29
2006-09-21 19:59
@jerry_luk83
输入电压=10~15V.输出电压=19V(5.2A)效率在12V时,暂时有81%,体积是61mmx58mmx12.7mm
原边电流挺大的了...有效值恐怕要10个安培左右...(取决于副边电感量),如果28毫欧姆的Rds(on),就意味着I^2*Rds(on)大概有2.8w....而加上驱动损耗,至少3w,一般一个管子最好不要承受这么大的损耗,如果用0.028毫欧姆的管子,至少应该并三个!甚至更多,建议用好管子!
顺便问一下你的匝数比?
真想提高效率,可以从原边mos和副边电感量来着手,简单说是多并mos,用好管子,提高副边电感量,当然不要让副边电感Bmax过高(如果用铁氧体的话要注意饱和问题)
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jerry_luk83
LV.4
30
2006-09-25 12:26
@
原边电流挺大的了...有效值恐怕要10个安培左右...(取决于副边电感量),如果28毫欧姆的Rds(on),就意味着I^2*Rds(on)大概有2.8w....而加上驱动损耗,至少3w,一般一个管子最好不要承受这么大的损耗,如果用0.028毫欧姆的管子,至少应该并三个!甚至更多,建议用好管子!顺便问一下你的匝数比?真想提高效率,可以从原边mos和副边电感量来着手,简单说是多并mos,用好管子,提高副边电感量,当然不要让副边电感Bmax过高(如果用铁氧体的话要注意饱和问题)
匝数比7:26:21( Np:Ns:Nf) ,谢谢您的意见.
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LV.1
31
2006-10-12 09:37
如果不要隔离,只做升压电路,变压器可以减小一半.
可以更换更好的控制IC.
可以加大撒热面积.
可以使用推挽电路加强驱动能力.
可以.....
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