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求助:为什么MOS在关断的时候振得那么厉害?
求助:为什么MOS在关断的时候振得那么厉害?
各位大虾:本人做的一款200W的反激电源,不知为什么MOS在关断的时候振得那么厉害?(图中方框所示),这跟电路的什么参数有关,谢谢!
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funyang
LV.3
2
2006-09-20 17:06
變壓器應該是妳自己設計或者繞制的吧﹐原邊漏感太大了﹒不然就是妳的MOSFET結電容太大﹒
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jalone
LV.3
3
2006-09-21 10:01
@funyang
變壓器應該是妳自己設計或者繞制的吧﹐原邊漏感太大了﹒不然就是妳的MOSFET結電容太大﹒
变压器是我们自己绕的,漏感应该是比较大,结电容不怎么大啊,跟一般的MOS(FQA11N90C)没有什么区别啊,我再改一下变压器试一下,
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hjjk
LV.6
4
2006-09-21 10:24
@jalone
变压器是我们自己绕的,漏感应该是比较大,结电容不怎么大啊,跟一般的MOS(FQA11N90C)没有什么区别啊,我再改一下变压器试一下,
变压器的磁芯气隙太大啦..............
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cyyzej
LV.7
5
2006-09-21 11:27
@hjjk
变压器的磁芯气隙太大啦..............
方框里的不应该是气息大的问题 ,应该是漏感问题吧
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hjjk
LV.6
6
2006-09-21 11:36
@cyyzej
方框里的不应该是气息大的问题 ,应该是漏感问题吧
变压器感量的问题,以前试过..
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jalone
LV.3
7
2006-09-21 11:39
@hjjk
变压器的磁芯气隙太大啦..............
我减小了气隙还是没有改变,不过重新绕了一个变压器,应该是漏感减小,有所改善
1158809906.tif
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sealand_1981
LV.7
8
2006-09-21 11:39
输出电压多少啊
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lee_sun
LV.4
9
2006-09-21 11:52
漏感问题.怎么绕制的?
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jalone
LV.3
10
2006-09-21 12:35
@sealand_1981
输出电压多少啊
200V/1A
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jalone
LV.3
11
2006-09-21 12:37
@lee_sun
漏感问题.怎么绕制的?
初级包次级
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gjhsz
LV.5
12
2006-09-21 13:24
吸收回路影响比较大
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sealand_1981
LV.7
13
2006-09-21 13:35
@jalone
初级包次级
您用的是三明治绕法吧
三明治绕法就是专门用来减小漏感的
你测变压器的漏感了吗
您上传的波形是轻载还是满载情况啊?
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jalone
LV.3
14
2006-09-21 15:10
@sealand_1981
您用的是三明治绕法吧三明治绕法就是专门用来减小漏感的你测变压器的漏感了吗您上传的波形是轻载还是满载情况啊?
没有测,我们这里没测试的设备,我上传的第一个波形是轻载的,后一个是满载的
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jalone
LV.3
15
2006-09-21 15:11
@gjhsz
吸收回路影响比较大
改吸收没多大的效果,试过
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jalone
LV.3
16
2006-09-21 15:14
此图是在轻载的情况下的,如是满载,VPP大概有960V左右,而方框里的振幅加大了
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lee_sun
LV.4
17
2006-09-21 16:04
@jalone
此图是在轻载的情况下的,如是满载,VPP大概有960V左右,而方框里的振幅加大了
你变压器的初级电感是多少?
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gjhsz
LV.5
18
2006-09-21 16:10
@jalone
改吸收没多大的效果,试过
1.振荡的幅值主要由漏感的大小,工作电流大小及吸收回路共同决定.
2.振荡频率由漏感与寄生电容(变压器+MOS...)决定,但采用在吸收二极管上加磁珠及使用慢速的二极管会使振荡减弱甚至成为阻尼振荡.
3.功率大于50W的AC-DC变换器吸收回路中应慎用慢速二极管.
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gjhsz
LV.5
19
2006-09-21 16:25
@jalone
此图是在轻载的情况下的,如是满载,VPP大概有960V左右,而方框里的振幅加大了
哪里用的电源?什么输入条件?何故次级反射电压选那么高250V?如是空载测的那变压器的漏感也太大了.
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jalone
LV.3
20
2006-09-22 08:41
@gjhsz
哪里用的电源?什么输入条件?何故次级反射电压选那么高250V?如是空载测的那变压器的漏感也太大了.
Lp=520uH,Input=380Vdc,PDP三星V5屏用,
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funyang
LV.3
21
2006-09-27 15:20
@jalone
Lp=520uH,Input=380Vdc,PDP三星V5屏用,
1﹒漏感大﹐注意采用三明治繞法﹐走線均勻排布﹐磁芯和气隙選擇合适﹒
2﹒輸出側整流二极管上沒有并聯RC﹐就是一般使用2﹒2KP電容和2﹒2歐姆(當然不同電路值有所區別)
3﹒MOS驅動電阻太小﹒
4﹒所使用的RCD吸收用二极管和輸出側二极管反向恢复時間過長﹒
以上原因基本會導致此現象﹐去驗証是以上哪相引起的吧﹒
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lijun4545
LV.4
22
2006-09-29 14:22
@jalone
我减小了气隙还是没有改变,不过重新绕了一个变压器,应该是漏感减小,有所改善1158809906.tif
明显是缓冲电路没有设计好
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求知星际
LV.6
23
2006-09-29 16:27
可将吸收回路中的电容加大,还有一个问题是从波形上看有点不正常,振铃幅度太大了,不是初级电感量偏大就是MOSFET输出电容偏大.
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xulijun
LV.3
24
2006-09-30 17:34
@求知星际
可将吸收回路中的电容加大,还有一个问题是从波形上看有点不正常,振铃幅度太大了,不是初级电感量偏大就是MOSFET输出电容偏大.
第一個圖片是在DCM模式,第二個圖片是在CCM模式,
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