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mosfet的耗散功率?

MOSFET的DATASHEET里都有一个耗散功率,随温度升高耗散功率降低,请问这个耗散功率是什么意思.比如一个MOSFET在25度时的耗散功率是400W,那这个MOSFET是否就不能用在600W输出的BOOST升压APFC上?另外,如果是半桥逆变电路,输出为600W,那么是否每个MOSFET的耗散功率只要选择300W就够了?
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chym
LV.7
2
2006-10-11 10:49
输出是输出,耗散是耗散,两回事,不能混为一谈的,,,
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yxh5692
LV.2
3
2006-10-11 11:03
谢谢回复,那这个耗散功率杂MOSFET的选择中起什么作用呢?MOSFET的选择我现在主要是看Vds和Id,当然还有Rds,但是比如一个母线电压400V,输出600瓦的半桥逆变,它的Id并不高,为什么要选择一个30~40A的MOSFET呢?
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ken21cn
LV.8
4
2006-10-11 21:09
@yxh5692
谢谢回复,那这个耗散功率杂MOSFET的选择中起什么作用呢?MOSFET的选择我现在主要是看Vds和Id,当然还有Rds,但是比如一个母线电压400V,输出600瓦的半桥逆变,它的Id并不高,为什么要选择一个30~40A的MOSFET呢?
因为热带来的问题.
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cosmoliu
LV.3
5
2006-10-12 14:34
@yxh5692
谢谢回复,那这个耗散功率杂MOSFET的选择中起什么作用呢?MOSFET的选择我现在主要是看Vds和Id,当然还有Rds,但是比如一个母线电压400V,输出600瓦的半桥逆变,它的Id并不高,为什么要选择一个30~40A的MOSFET呢?
Id是MOSFET能通过的电流容量,主要由RDS与耗散功率确定,ID越高,表明MOSFET对电流的控制能力越大,如果用于功率控制,当然给ID足够的可控空间好些.当然同样的ID情况下,QG越小越好.
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ken21cn
LV.8
6
2006-10-14 10:14
@ken21cn
因为热带来的问题.
稍微解释一下,免得让你一头雾水.
Pd的定义通常是: (Tj(max)-Ta)/Rja, 它表征着芯片内部的散热能力.而I^2*Rdson是发热,显然Pd>=I^2*Rdson,否则IC烧毁.

许多datasheet上的电流或内阻,哪怕是PD都是有条件的.什么条件呢?温度. 具体的怎么查曲线我不说了.但概念先陈述一下,望你明白.
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