问一个关于MOS的问题

Pd就是内损功耗.Rds*Id^2

谢谢!

在有些规格书中Rds*Id^2大于Pd,而有些规格书Rds*Id^2小于Pd,

理论值与实际值有区别,规格上写的PD是中心理想值.

亦有交越損耗!

请告之交越损耗是什么?这个词以前没听说过

要正确理解Pd并能算出相应的散热片,绝不是一件简单的事,它的复杂程度不亚于你对磁的理解,要有相当的高等数学知识,不信你问热阻的概念看你周围有几人能答上来,下面还有一个derate above 25又有多少人知道或用过它,好多人都知道热损耗是怎么产生的,但用散热片时是用经验和实验来做的,我曾问几个作开关管公司的高级工程师,他们都是一知半解的,说国外的就是这样来,后来还是我自己总结了一套方法,在这里我没办法详解.这个Pd一般是指散热片为无限大时开关管所能承受的热量,你肯定会问,如何作到无限大呢,半导体公司一般是用水冷来做的,就是用流动的液体将热量导走,你这个问题问得好,要学好我告诉你几个步骤
:第一,学好高等数学,第二,学好晶体内部结构,第三,多看一些热学各相关力学方面的书,第四,把实验温度结果和你理论公式进行计算,找出差异,多做几次,你会明白很多东西.

IR的大部分MOSFET的Pd和Id是管壳温度(Tc)25摄氏度条件下测试,而Rds是在结温(Tj)25摄氏度条件下测试,所以Rds*Id*Id小于Pd.