MOSFET中RDS、PD、VDSS之间的关系!

譬如:
譬如:TOSHIBA的2SK2837,它VDSS=500V,RDS(ON)=0.21Ω,PD=150W.再看IR的IRFP460A,VDSS=500V,RDS(ON)=0.27Ω,而PD=280W.所以我就感到非常疑惑,它们之间究竟有什么联系,请赐教!!!

请“乞力马扎罗的雪”和“CMG”赐教!
请“乞力马扎罗的雪”和“CMG”赐教!谢谢!!!

“shuyun、诺亚方舟、Tiny、我年轻,但我不菜”几位也发表一下意见
“shuyun、诺亚方舟、Tiny、我年轻,但我不菜”几位也发表一下意见.

附 DATASHEET
1063951190.pdf1063951235.pdf

个人观点,仅供参考.
RDS(on)是指MOS的导通电阻.
而PD是指MOS的耗散功率.
PD主要是受管芯对外壳的热阻限制,这与封装和内部结构有关.
RDS(on)与PN结的面积、厚度、载流子的浓度等有关.

感谢
RDS(ON)、PD概念非常明白,不明白的是同样247封装的管子,PD怎么相差这么大,将近1倍关系了.

从DATASHEET中可以看出,
管芯对外壳的热阻二者相差近一倍.
所以,不要用日本鬼子的烂东西.

哦
是吗?我倒是没注意,来看看.

谢谢
是这样,非常感谢!支持你的观点!!!

MOS的耗散功率
‘MOS的耗散功率PD’能不能理解为‘MOS管的输出功率’?换言之:当我电源输出功率为100瓦时,选择MOS 的PD指标必须大于100瓦,另外请问其PD值的选择与效率也有很大的关系吧?谢先!

个人意见
Rds(on)还和单元的大小和形状有关.单元越多,RDSON越小.

不行,
原因下星期说.

下星期见
下星期恭候你的到来!!!

不对.
耗散功率是指在MOS上损耗的功率.不是什么“MOS的输出功率”.例如我曾用两个IRF460做了个1000W半桥串联谐振电源.

在开关电源中,一般受RDS和PD的限制多而ID几乎没用
要满足:
VDS饱和*RDS*Imax+开关损耗《PD

你半桥的供电电压要多高呀?两只460太悬了点吧?
最起码要用4只;即每两只并联起来用

400VDC供电,频率120K----50K,风冷.
.

最近我发现了同一品牌同一型号的mosfet居然Rds(ON)有很大差异,因为是低压大电流输入,所以这个就体现的很明显,我怀疑性能差的那个是假的,但又不知道从何证明他是假的,所以请大家指点一下:如何去测试mosfet的特性?比如:Rds(on)之类的参数.谢谢!

PD是指MOSFET的损耗功率的极限值。换句话说，MOSFET的开关损耗+导通损耗，必须

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