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MOSFET中RDS、PD、VDSS之间的关系!

MOSFET中RDS、PD、VDSS之间的关系!
各位:最近看了几份MOSFET的datasheet,有几个问题感到非常疑惑:RDS与PD之间究竟存在什么关系?请大家发表高见.
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老狼
LV.8
2
2003-09-19 13:38
譬如:
譬如:TOSHIBA的2SK2837,它VDSS=500V,RDS(ON)=0.21Ω,PD=150W.再看IR的IRFP460A,VDSS=500V,RDS(ON)=0.27Ω,而PD=280W.所以我就感到非常疑惑,它们之间究竟有什么联系,请赐教!!!
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老狼
LV.8
3
2003-09-19 13:41
请“乞力马扎罗的雪”和“CMG”赐教!
请“乞力马扎罗的雪”和“CMG”赐教!谢谢!!!
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老狼
LV.8
4
2003-09-19 13:48
“shuyun、诺亚方舟、Tiny、我年轻,但我不菜”几位也发表一下意见
“shuyun、诺亚方舟、Tiny、我年轻,但我不菜”几位也发表一下意见.
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老狼
LV.8
5
2003-09-19 14:00
附 DATASHEET
1063951190.pdf1063951235.pdf
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乞力马扎罗的雪
LV.9
6
2003-09-19 14:24
@老狼
譬如:譬如:TOSHIBA的2SK2837,它VDSS=500V,RDS(ON)=0.21Ω,PD=150W.再看IR的IRFP460A,VDSS=500V,RDS(ON)=0.27Ω,而PD=280W.所以我就感到非常疑惑,它们之间究竟有什么联系,请赐教!!!
个人观点,仅供参考.
RDS(on)是指MOS的导通电阻.
而PD是指MOS的耗散功率.
PD主要是受管芯对外壳的热阻限制,这与封装和内部结构有关.
RDS(on)与PN结的面积、厚度、载流子的浓度等有关.
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老狼
LV.8
7
2003-09-19 15:18
@乞力马扎罗的雪
个人观点,仅供参考.RDS(on)是指MOS的导通电阻.而PD是指MOS的耗散功率.PD主要是受管芯对外壳的热阻限制,这与封装和内部结构有关.RDS(on)与PN结的面积、厚度、载流子的浓度等有关.
感谢
RDS(ON)、PD概念非常明白,不明白的是同样247封装的管子,PD怎么相差这么大,将近1倍关系了.
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乞力马扎罗的雪
LV.9
8
2003-09-19 15:32
@老狼
感谢RDS(ON)、PD概念非常明白,不明白的是同样247封装的管子,PD怎么相差这么大,将近1倍关系了.
从DATASHEET中可以看出,
管芯对外壳的热阻二者相差近一倍.
所以,不要用日本鬼子的烂东西.
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老狼
LV.8
9
2003-09-19 15:46
@乞力马扎罗的雪
从DATASHEET中可以看出,管芯对外壳的热阻二者相差近一倍.所以,不要用日本鬼子的烂东西.
哦
是吗?我倒是没注意,来看看.
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老狼
LV.8
10
2003-09-19 15:51
@乞力马扎罗的雪
从DATASHEET中可以看出,管芯对外壳的热阻二者相差近一倍.所以,不要用日本鬼子的烂东西.
谢谢
是这样,非常感谢!支持你的观点!!!
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szrg
LV.7
11
2003-09-19 16:56
@乞力马扎罗的雪
个人观点,仅供参考.RDS(on)是指MOS的导通电阻.而PD是指MOS的耗散功率.PD主要是受管芯对外壳的热阻限制,这与封装和内部结构有关.RDS(on)与PN结的面积、厚度、载流子的浓度等有关.
MOS的耗散功率
‘MOS的耗散功率PD’能不能理解为‘MOS管的输出功率’?换言之:当我电源输出功率为100瓦时,选择MOS 的PD指标必须大于100瓦,另外请问其PD值的选择与效率也有很大的关系吧?谢先!
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gwwater
LV.6
12
2003-09-19 16:58
@乞力马扎罗的雪
个人观点,仅供参考.RDS(on)是指MOS的导通电阻.而PD是指MOS的耗散功率.PD主要是受管芯对外壳的热阻限制,这与封装和内部结构有关.RDS(on)与PN结的面积、厚度、载流子的浓度等有关.
个人意见
Rds(on)还和单元的大小和形状有关.单元越多,RDSON越小.
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gwwater
LV.6
13
2003-09-19 16:59
@szrg
MOS的耗散功率‘MOS的耗散功率PD’能不能理解为‘MOS管的输出功率’?换言之:当我电源输出功率为100瓦时,选择MOS的PD指标必须大于100瓦,另外请问其PD值的选择与效率也有很大的关系吧?谢先!
不行,
原因下星期说.
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老狼
LV.8
14
2003-09-19 17:13
@gwwater
个人意见Rds(on)还和单元的大小和形状有关.单元越多,RDSON越小.
下星期见
下星期恭候你的到来!!!
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乞力马扎罗的雪
LV.9
15
2003-09-19 17:20
@szrg
MOS的耗散功率‘MOS的耗散功率PD’能不能理解为‘MOS管的输出功率’?换言之:当我电源输出功率为100瓦时,选择MOS的PD指标必须大于100瓦,另外请问其PD值的选择与效率也有很大的关系吧?谢先!
不对.
耗散功率是指在MOS上损耗的功率.不是什么“MOS的输出功率”.例如我曾用两个IRF460做了个1000W半桥串联谐振电源.
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xspang
LV.4
16
2003-09-19 20:56
@szrg
MOS的耗散功率‘MOS的耗散功率PD’能不能理解为‘MOS管的输出功率’?换言之:当我电源输出功率为100瓦时,选择MOS的PD指标必须大于100瓦,另外请问其PD值的选择与效率也有很大的关系吧?谢先!
在开关电源中,一般受RDS和PD的限制多而ID几乎没用
要满足:
VDS饱和*RDS*Imax+开关损耗《PD
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xspang
LV.4
17
2003-09-19 21:08
@乞力马扎罗的雪
不对.耗散功率是指在MOS上损耗的功率.不是什么“MOS的输出功率”.例如我曾用两个IRF460做了个1000W半桥串联谐振电源.
你半桥的供电电压要多高呀?两只460太悬了点吧?
最起码要用4只;即每两只并联起来用
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乞力马扎罗的雪
LV.9
18
2003-09-19 22:02
@xspang
你半桥的供电电压要多高呀?两只460太悬了点吧?最起码要用4只;即每两只并联起来用
400VDC供电,频率120K----50K,风冷.
.
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zhangjunfuabc
LV.5
19
2007-08-23 10:45
最近我发现了同一品牌同一型号的mosfet居然Rds(ON)有很大差异,因为是低压大电流输入,所以这个就体现的很明显,我怀疑性能差的那个是假的,但又不知道从何证明他是假的,所以请大家指点一下:如何去测试mosfet的特性?比如:Rds(on)之类的参数.谢谢!
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muvis
LV.1
20
2013-02-07 12:23
PD是指MOSFET的损耗功率的极限值。换句话说，MOSFET的开关损耗+导通损耗，必须
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