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半桥驱动问题

请问大侠们,IR2103能够用作半桥驱动吗?根据datsheet的给出的时序图.很难做到直接由UC3525给出的信号使上下桥的MOS导通时间一致哦.各位指点给指条明路吧.
ir2103使用说明见下:1096557400.pdf
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sami
LV.6
2
2004-09-30 11:25
你频率多高啊,因为IR2103是有死区的,如果频率高了,死区就太大了.
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powerpower
LV.5
3
2004-09-30 11:27
没用过,但从图看,应该可以吧.
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wb_zjqh
LV.4
4
2004-09-30 11:39
@sami
你频率多高啊,因为IR2103是有死区的,如果频率高了,死区就太大了.
频率50k左右
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wb_zjqh
LV.4
5
2004-09-30 11:47
@powerpower
没用过,但从图看,应该可以吧.
图上是可以,因为IR2103的HIN和LIN要求同时是高则高端的HO输出为高,而只有当HIN和LIN同时为低时,LO才是输出为高的.因为半桥要求上下两个MOS的导通时间是一致的,即要求HO和LO的高电平时间是一致,且要错开导通起点时刻,这样话如果用IR2103来驱动半桥的话,这时间一致的要求很难做到啊,因为我用的是SG3525PWM控制器.不知道我的理解对不对呢
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powerpower
LV.5
6
2004-09-30 13:20
@wb_zjqh
图上是可以,因为IR2103的HIN和LIN要求同时是高则高端的HO输出为高,而只有当HIN和LIN同时为低时,LO才是输出为高的.因为半桥要求上下两个MOS的导通时间是一致的,即要求HO和LO的高电平时间是一致,且要错开导通起点时刻,这样话如果用IR2103来驱动半桥的话,这时间一致的要求很难做到啊,因为我用的是SG3525PWM控制器.不知道我的理解对不对呢
看了一下波形,确实如你所说.这样的话,就不适应半桥了.可能这个电路是干别的用的.我想,你还是换其它驱动器不吧.IC入IR2110,还有一种驱动组件TX_BMB3半桥驱动器,是北京落木源公司的,我用过,挺好使,你可到他们的网站去看看,www.pwrdriver.com
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sami
LV.6
7
2004-09-30 13:40
@wb_zjqh
图上是可以,因为IR2103的HIN和LIN要求同时是高则高端的HO输出为高,而只有当HIN和LIN同时为低时,LO才是输出为高的.因为半桥要求上下两个MOS的导通时间是一致的,即要求HO和LO的高电平时间是一致,且要错开导通起点时刻,这样话如果用IR2103来驱动半桥的话,这时间一致的要求很难做到啊,因为我用的是SG3525PWM控制器.不知道我的理解对不对呢
我觉得你可以选择 IR2153 或者 IR2155 做半桥驱动,我用过,可以的.
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wb_zjqh
LV.4
8
2004-09-30 14:23
@sami
我觉得你可以选择IR2153或者IR2155做半桥驱动,我用过,可以的.
谢谢你.我去申请样品再来试试.
我想问问老兄,你做的半桥是多少瓦的呢,变压器的电感量有要求吗?
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wb_zjqh
LV.4
9
2004-09-30 14:23
@powerpower
看了一下波形,确实如你所说.这样的话,就不适应半桥了.可能这个电路是干别的用的.我想,你还是换其它驱动器不吧.IC入IR2110,还有一种驱动组件TX_BMB3半桥驱动器,是北京落木源公司的,我用过,挺好使,你可到他们的网站去看看,www.pwrdriver.com
好的.
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sami
LV.6
10
2004-09-30 14:37
@wb_zjqh
谢谢你.我去申请样品再来试试.我想问问老兄,你做的半桥是多少瓦的呢,变压器的电感量有要求吗?
你要做电源,这个是 PFM 的,我觉得不适合做电源,适合做灯,你要是想做电源,我推荐你使用 Fairchild 的 KA3846 用一个小隔离变压器做半桥,可以做到100W.
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xkw1
LV.9
11
2004-09-30 15:28
@sami
你要做电源,这个是PFM的,我觉得不适合做电源,适合做灯,你要是想做电源,我推荐你使用Fairchild的KA3846用一个小隔离变压器做半桥,可以做到100W.
IR2153/5可以做PWM也可以PFM还可以做非对称,完全有你自己决定,IR2103可以做开关电源驱动,关键是该IC驱动能力教弱,在ZVS电路中没问题,在硬开关驱动大FET时受密勒效应影响.所以;开关电源中较多用IR2110.千万别用用脉冲变压器驱动.在硬开关中它大约会降低5%效率.你用IR2110替换IR2103就好了.IR的FET密勒效应和沟道电阻要远小于其他品牌的.建议用IR的IC+IR的FET最好.1096572299.pdf1096572368.pdf
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st.you
LV.9
12
2004-09-30 18:10
为什么不用IR2106呢?
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wb_zjqh
LV.4
13
2004-09-30 23:30
@xkw1
IR2153/5可以做PWM也可以PFM还可以做非对称,完全有你自己决定,IR2103可以做开关电源驱动,关键是该IC驱动能力教弱,在ZVS电路中没问题,在硬开关驱动大FET时受密勒效应影响.所以;开关电源中较多用IR2110.千万别用用脉冲变压器驱动.在硬开关中它大约会降低5%效率.你用IR2110替换IR2103就好了.IR的FET密勒效应和沟道电阻要远小于其他品牌的.建议用IR的IC+IR的FET最好.1096572299.pdf1096572368.pdf
谢谢你,和我想的一样,我在正在改线路呢.用的就是IR2110.
但是有一个问题不是很有把握的,我们知道上下桥的MOS的S极电压是不一样的,高端的MOS驱动的供电是不是需要另外一路辅助电源呢?
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wb_zjqh
LV.4
14
2004-09-30 23:33
@sami
你要做电源,这个是PFM的,我觉得不适合做电源,适合做灯,你要是想做电源,我推荐你使用Fairchild的KA3846用一个小隔离变压器做半桥,可以做到100W.
哦,可惜守伤只有SG3525,没有现成的KA3846.老板催的急来不及申请样品了,只能凑合着了.
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nestalu
LV.1
15
2005-05-26 13:32
我向大家推介NS的LM5109.他是国半专门为电动车控制器设计的一款芯片,完全PIN TO PIN 2103.只需要注意两者的高低有效的区分,把原来2103的MCU修改一下就可以了.附件是LM5109的DATA SHEET,我的MAIL是nesta_lu@teconet.com.cn1117085566.pdf
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nyfy
LV.1
16
2005-06-09 15:30
请问你找到半桥驱动器IR2103了吗,我们需要这个型号的,请问半桥驱动器IR2103是哪上面用的.
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changze
LV.9
17
2005-10-07 21:24
@xkw1
IR2153/5可以做PWM也可以PFM还可以做非对称,完全有你自己决定,IR2103可以做开关电源驱动,关键是该IC驱动能力教弱,在ZVS电路中没问题,在硬开关驱动大FET时受密勒效应影响.所以;开关电源中较多用IR2110.千万别用用脉冲变压器驱动.在硬开关中它大约会降低5%效率.你用IR2110替换IR2103就好了.IR的FET密勒效应和沟道电阻要远小于其他品牌的.建议用IR的IC+IR的FET最好.1096572299.pdf1096572368.pdf
大哥,,,请问一下2153的PWM调节是如何实现??????
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luyongq
LV.7
18
2005-10-08 09:12
为何不用IR2106 ?
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luyongq
LV.7
19
2005-10-08 09:13
@st.you
为什么不用IR2106呢?
唉呀,发了贴子才看到,你都说了 IR2106 了.哈哈
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老化中的镇流器
LV.8
20
2005-10-08 10:19
@xkw1
IR2153/5可以做PWM也可以PFM还可以做非对称,完全有你自己决定,IR2103可以做开关电源驱动,关键是该IC驱动能力教弱,在ZVS电路中没问题,在硬开关驱动大FET时受密勒效应影响.所以;开关电源中较多用IR2110.千万别用用脉冲变压器驱动.在硬开关中它大约会降低5%效率.你用IR2110替换IR2103就好了.IR的FET密勒效应和沟道电阻要远小于其他品牌的.建议用IR的IC+IR的FET最好.1096572299.pdf1096572368.pdf
大侠:IR2153/5可以做PWM也可以PFM还可以做非对称,完全有你自己决定
     怎么做啊?怎么决定啊?赐教一下.谢谢
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xkw1
LV.9
21
2005-10-08 10:31
@老化中的镇流器
大侠:IR2153/5可以做PWM也可以PFM还可以做非对称,完全有你自己决定    怎么做啊?怎么决定啊?赐教一下.谢谢
IR2153的RC端(3#PIN)实际是斯密特输入特性,可以做驱动器用!
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老化中的镇流器
LV.8
22
2005-10-08 10:36
@xkw1
IR2153的RC端(3#PIN)实际是斯密特输入特性,可以做驱动器用!
是的,但怎么调PWM呢?
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xkw1
LV.9
23
2005-10-08 10:48
@老化中的镇流器
是的,但怎么调PWM呢?
IR2153=NE7555+高压驱动器．用555做PWM控制器可以查看555应用500例一书．
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老化中的镇流器
LV.8
24
2005-10-08 11:04
@xkw1
IR2153=NE7555+高压驱动器．用555做PWM控制器可以查看555应用500例一书．
哦,有道理.它内部实际就是555加高压驱动.但这个芯片只有RT CT脚啊,怎么控制内部的555呢?555不是通过调节外围的电阻来调PWM的吗?
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剑心
LV.8
25
2005-10-08 11:09
@老化中的镇流器
哦,有道理.它内部实际就是555加高压驱动.但这个芯片只有RTCT脚啊,怎么控制内部的555呢?555不是通过调节外围的电阻来调PWM的吗?
555可以当反相器用
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老化中的镇流器
LV.8
26
2005-10-08 11:22
@剑心
555可以当反相器用
大侠能否说清楚一点?谢谢.怎么控制2153内部的555的PWM呢?
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368373515
LV.4
27
2009-02-10 08:49
IR2103是专门用于半桥驱动的.我也是刚开始用这个,研究了一下同大家分享.
1.用于BUCK降压器,IN端接3843等PWM芯片的脉冲输出端.SD与1脚的VCC相连.这时候HO与IN同相,并且实现隔离驱动,LO与IN反相,用于驱动同步整流管.
2.用于半桥,接受像SG3525这样的半桥专门芯片,IN端接一组SG3525的信号.SD的信号要注意了,这里要输入SG3525的两个信号相加.即上管和下管的导通脉冲都要进去.要用得高级点,可以把SG3525的两路信号通过异或门后再给SD
3.用于半桥,接受像UC3843这样的为单端电源设计的芯片,在SD端输入UC3843的输出信号.把UC3843的输出信号再接一个单D触发器进行分频.再输给IN端使用.
4.用于单端双管正激.使用UC3845,50%占空比.接法同4.
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zhyxsh
LV.1
28
2012-03-20 10:31
@nestalu
我向大家推介NS的LM5109.他是国半专门为电动车控制器设计的一款芯片,完全PINTOPIN2103.只需要注意两者的高低有效的区分,把原来2103的MCU修改一下就可以了.附件是LM5109的DATASHEET,我的MAIL是nesta_lu@teconet.com.cn1117085566.pdf

我正在用NS的LM5109BMA，用来做控制器中产生脉冲电压给蓄电池充电的部分，只是现在脉冲电压产生了，只是HS端电压被锁定在10点几伏，不随输入电压的升高而增大，也就是不能给电路右边的12V蓄电池充电。我已经在HS端和L1之间加了个正向导通二极管，防止蓄电池反向充电。不知道是电路设计的不对，还是自举电容的容值大小不对？方便的话，加我QQ：287486179 （杨）我们探讨一下！

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zhyxsh
LV.1
29
2012-04-08 14:41
@luyongq
为何不用IR2106?

IR2106我也用过了，好像也不行，2106好像不是专门用于充电电路的吧；我想用IR2125尝试一下

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zmjjj622
LV.5
30
2012-04-09 11:53
2101/2110都可以，2101便宜，2110贵好多，性能差异没比较过，都可以用
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mcu-zs
LV.1
31
2012-11-26 21:56
@nestalu
我向大家推介NS的LM5109.他是国半专门为电动车控制器设计的一款芯片,完全PINTOPIN2103.只需要注意两者的高低有效的区分,把原来2103的MCU修改一下就可以了.附件是LM5109的DATASHEET,我的MAIL是nesta_lu@teconet.com.cn1117085566.pdf

为什么我用2个5109驱动mos管，两路同时工作时就有大电流产生，好像5109比较容易损坏，或者说是漏电?

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