摸索了几天,18W样机终于做好了!
完美的低成本,先自己祝贺下先!
感谢JEROME朋友的帮助,对ACTIVE-SEMI公司也感到高兴,服务好,芯片也不错,希望能再为民族电源事业做出努力(哈哈,象领导了)
说正题了,ACT30B的参数相信大家都已经了解,做小功率的成功的案例也是多不胜数了,将这个芯片发挥到极限18W这样没有几个做了吧!
我的经验
1,VDD电压维持在空载11.4V,这个时候损耗最小,也就是达到空载小于0.3W
2,带载的匝比发现并不是说越大越好,小了也不行,我12VOUT,全电压INPUT的匝比给大家参考下匝比为5.44
3,三极管驱动电流,发现不是灌越多电流驱动性能越好,而是刚好的位置最好,也就是对批量生产的时候要注意了,三极管的放大倍数一定要经过分选,否则管热炸机我就不负责了!
我个人总结的一个小计算方法,假定三极管的放大倍数为20,负责功率为18W,最小输入电压是90V,效率设70%
第一步,计算输入功率18W/.7=25W
第二步,计算初级最大电流25W/(130V*0.48)=0.4A
第三步,计算峰峰值电流0.4*取系数1.7=0.68A
第四步,计算三极管驱动电流0.68/20=0.034A
计算驱动电阻得352欧,也就是驱动环路的电阻总值为352欧,分开两个的取值可以取R1=100欧,R2=240欧
发现电阻取太小时(例如取100+100)带载功率大了0.3W
4,输出整流二极管可以取低耐压(压降小,温升低),但一定要加一个小吸收,也利于输出纹波小
5,布线规则,板子认证完了再说,呵呵
也希望大家支持民族事业,坚决不采用PI芯片做电源!PI的你会做,那是傻瓜,为什么卖到中国来,因为他说中国人都是傻瓜,只会做简单的东西!
使用ACT30B经验分享!发挥到极限(全电压INPUT,18WOUT)
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@牵只蚂蚁散步
请问你的开关管用的是什么?13003吗?按你的匝比计算输入AC264V时开关管上Vce差不多有500V.而13003的Vceo为400V.我一直担心这点,高压时开关管会击穿.所以这个方案一直没用.我司好多电源极端时输入电压会高到280V.是不是发射极驱动,对三极管耐压有提高?还请指教!
当三极管关断的时候,即使VCE＝600V,三极管仍然不会击穿.为什么呢?这要先了解三极管的击穿机理.为什么三极管CE间的击穿电压低于CB间的击穿电压呢?是因为三极管的电流放大能力,现在可以想一下三极管CE击穿的过程,首先集电极的高压首先在CB结上形成电场,如果这个电压过高,那么BASE电压会被拉高,一旦BASE电压拉高,由于三极管的放大能力,击穿就发生了.
如果用MOS在发射极控制,那么当BASE被拉高的时候,发射极会跟随着BASE升高(因为没有电流通路),电流不再放大,击穿就不会出现;只有集电极电压继续升高,直接导致CB结击穿,才会出现.
实际上承受高压的是三极管,当IC 内部MOS关断时,相当于把三极管的E极悬空,所以承受高压的是三极管的CB极,一般三极管如13003的Vcbo=600V>Vceo=400V,但真正做开关动作的是IC内的MOS.
如果用MOS在发射极控制,那么当BASE被拉高的时候,发射极会跟随着BASE升高(因为没有电流通路),电流不再放大,击穿就不会出现;只有集电极电压继续升高,直接导致CB结击穿,才会出现.
实际上承受高压的是三极管,当IC 内部MOS关断时,相当于把三极管的E极悬空,所以承受高压的是三极管的CB极,一般三极管如13003的Vcbo=600V>Vceo=400V,但真正做开关动作的是IC内的MOS.
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@葉孤城
隨便說幾句:1,你的開關管用的是13003還是130052,你的火牛用的是多少的型號3,淨功耗多少,效率多少?幾個因素加在一起時會出現什麼情況,同時你的產品有沒有做FMEA分析.
管用13003是厂家定的大芯片那种,温度测试为50度(可以接受)
火牛(变压器)为了保证充足的余量使用了大体积的EE2520(4+4PIN)
输出18W的时候输入功率为23.7W,效率75%(低压90INPUT)
产品到时会去做CE认证,我的把握应该完全没有问题
同时指出匝比是我调试N多次(虽然多了点,开始不知道关键因素),最后的匝比,我相信是最好的优化,初级136T,次极25T匝比5.44
空载240VINPUT的时候较大,为0.2W,90VINPUT的时候为0.08W,调整过吸收仍得不到改善,希望有经验的提出意见
火牛(变压器)为了保证充足的余量使用了大体积的EE2520(4+4PIN)
输出18W的时候输入功率为23.7W,效率75%(低压90INPUT)
产品到时会去做CE认证,我的把握应该完全没有问题
同时指出匝比是我调试N多次(虽然多了点,开始不知道关键因素),最后的匝比,我相信是最好的优化,初级136T,次极25T匝比5.44
空载240VINPUT的时候较大,为0.2W,90VINPUT的时候为0.08W,调整过吸收仍得不到改善,希望有经验的提出意见
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@jerome
顶一下先! 其实11V不是VDD电压,而是反馈绕组出来的VCC电压,ACT30B芯片VDD电压是在3.35-5.45V间,我帮你纠正下,怕误导别人! 另外,计算驱动电阻的方法,我觉得可以再准确些,因为当你变压器一旦设定好以后,效率也可估计,那么初级峰值电流是可以计算出来的,这样计算是否会比你取电流系数准确些,然后再用所用的三极管放大倍数去算驱动电阻是否科学些,这当然是我个人意见! 很感谢你的经验共享!
VDD电压可能是我的误解,应该是VCC电压
驱动电阻我是经过实际对比和实际计算得出的结果,三极管分选肯定是一种必要措施,有利于产品的一致性保障,想如果放大倍数相差10几的话就很难了!
感谢JEROME提出建议!
驱动电阻我是经过实际对比和实际计算得出的结果,三极管分选肯定是一种必要措施,有利于产品的一致性保障,想如果放大倍数相差10几的话就很难了!
感谢JEROME提出建议!
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@佚名
管用13003是厂家定的大芯片那种,温度测试为50度(可以接受)火牛(变压器)为了保证充足的余量使用了大体积的EE2520(4+4PIN)输出18W的时候输入功率为23.7W,效率75%(低压90INPUT)产品到时会去做CE认证,我的把握应该完全没有问题同时指出匝比是我调试N多次(虽然多了点,开始不知道关键因素),最后的匝比,我相信是最好的优化,初级136T,次极25T匝比5.44空载240VINPUT的时候较大,为0.2W,90VINPUT的时候为0.08W,调整过吸收仍得不到改善,希望有经验的提出意见
我想問一下你用的是那家的13003,功耗有6W,你的外殼有多大?會不會湯手呀?比較局限的東西,我擔心的是生產的一致性.
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@jerome
当三极管关断的时候,即使VCE＝600V,三极管仍然不会击穿.为什么呢?这要先了解三极管的击穿机理.为什么三极管CE间的击穿电压低于CB间的击穿电压呢?是因为三极管的电流放大能力,现在可以想一下三极管CE击穿的过程,首先集电极的高压首先在CB结上形成电场,如果这个电压过高,那么BASE电压会被拉高,一旦BASE电压拉高,由于三极管的放大能力,击穿就发生了. 如果用MOS在发射极控制,那么当BASE被拉高的时候,发射极会跟随着BASE升高(因为没有电流通路),电流不再放大,击穿就不会出现;只有集电极电压继续升高,直接导致CB结击穿,才会出现. 实际上承受高压的是三极管,当IC内部MOS关断时,相当于把三极管的E极悬空,所以承受高压的是三极管的CB极,一般三极管如13003的Vcbo=600V>Vceo=400V,但真正做开关动作的是IC内的MOS.
有道理...
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@jerome
当三极管关断的时候,即使VCE＝600V,三极管仍然不会击穿.为什么呢?这要先了解三极管的击穿机理.为什么三极管CE间的击穿电压低于CB间的击穿电压呢?是因为三极管的电流放大能力,现在可以想一下三极管CE击穿的过程,首先集电极的高压首先在CB结上形成电场,如果这个电压过高,那么BASE电压会被拉高,一旦BASE电压拉高,由于三极管的放大能力,击穿就发生了. 如果用MOS在发射极控制,那么当BASE被拉高的时候,发射极会跟随着BASE升高(因为没有电流通路),电流不再放大,击穿就不会出现;只有集电极电压继续升高,直接导致CB结击穿,才会出现. 实际上承受高压的是三极管,当IC内部MOS关断时,相当于把三极管的E极悬空,所以承受高压的是三极管的CB极,一般三极管如13003的Vcbo=600V>Vceo=400V,但真正做开关动作的是IC内的MOS.
谢谢Jerome的精彩分析:如果用MOS在发射极控制,那么当BASE被拉高的时候,发射极会跟随着BASE升高(因为没有电流通路),电流不再放大,击穿就不会出现;只有集电极电压继续升高,直接导致CB结击穿,才会出现.但有一点我还是不理解:三极管发射接的是驱动开关管.但驱动开关管耐压很低,“发射极会跟随着BASE升高”,也就是发射击极的电压升高不能超过驱动管的耐压,否则驱动管不就击穿了,也就整个回路的耐压,三极管的Vce加上驱动管的耐压,也就400多伏.
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@牵只蚂蚁散步
谢谢Jerome的精彩分析:如果用MOS在发射极控制,那么当BASE被拉高的时候,发射极会跟随着BASE升高(因为没有电流通路),电流不再放大,击穿就不会出现;只有集电极电压继续升高,直接导致CB结击穿,才会出现.但有一点我还是不理解:三极管发射接的是驱动开关管.但驱动开关管耐压很低,“发射极会跟随着BASE升高”,也就是发射击极的电压升高不能超过驱动管的耐压,否则驱动管不就击穿了,也就整个回路的耐压,三极管的Vce加上驱动管的耐压,也就400多伏.
不知道你看过应用电路没有,VCC部分不是有一个12V的稳压管做钳位嘛,发射极跟随B极电压就好了,工作正常就不会超过IC内部的MOS耐压了!另外BASE电压被拉高指的是三极管发生击穿时的现象,由于没有电流通路不发生击穿时BASE电压是VCC电压,所以IC可以用很小耐压的开关做在里面便可,并不是像你所说的两个耐压加在一起,因为三极管的击穿特性!
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