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请问:800V的mosfet 可以用在600V DC的开关电源里边吗?

单片开关电源内部集成了800V的mosfet,
待设计电源的输入范围为450~600V,
采用flyback方式,功率50W,副边4组隔离18V输出.
请问,该芯片电压等级是否合适?

谢谢.
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missyou
LV.3
2
2006-11-18 22:32
Vds=Vdc+(Np/Ns)*Vo+Vl=600+18*6约等于700V,原副边匝比取为6是比较合理的;
注意控制变压器的漏感,减小由漏感引起的电压尖峰Vl,就算50V吧,Vds=750V,
可见稳态工作时的最高电压为750V左右,这里变压器设计是关键了,匝比与漏感一定要注意啦
还有一点就是注意减小开机启动时的冲击电压,尽可能采用软启动电路减小冲击电压,
所以,电路设计好800V的MOS管完全是可行的,不过一定要注意上述几个问题.
有问题与我联系:pxcss_2002@163.com
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股王
LV.1
3
2006-11-19 10:15
@missyou
Vds=Vdc+(Np/Ns)*Vo+Vl=600+18*6约等于700V,原副边匝比取为6是比较合理的;注意控制变压器的漏感,减小由漏感引起的电压尖峰Vl,就算50V吧,Vds=750V,可见稳态工作时的最高电压为750V左右,这里变压器设计是关键了,匝比与漏感一定要注意啦还有一点就是注意减小开机启动时的冲击电压,尽可能采用软启动电路减小冲击电压,所以,电路设计好800V的MOS管完全是可行的,不过一定要注意上述几个问题.有问题与我联系:pxcss_2002@163.com
请问输入整流电容耐壓选擇多少?
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missyou
LV.3
4
2006-11-19 10:27
@股王
请问输入整流电容耐壓选擇多少?
你不是输入直流DC吗?
若是交流输入,整流后的电压有些高,可用两个电容串联起来,应该可以满足要求!
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xue007
LV.9
5
2006-11-20 11:08
用半桥的还可以
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missyou
LV.3
6
2006-11-20 23:23
@xue007
用半桥的还可以
半桥存在直通的问题,容易经常烧管子!
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xue007
LV.9
7
2006-11-20 23:30
@missyou
半桥存在直通的问题,容易经常烧管子!
用1200V的MOS管,http://bbs.dianyuan.com/topic/112157
看看这种方案,用彩电的行管,
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debugwd
LV.5
8
2006-11-23 14:54
@xue007
用1200V的MOS管,http://bbs.dianyuan.com/topic/112157看看这种方案,用彩电的行管,
谢谢xue007
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